RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXBH10N170	11.7400	RFQ	3508	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH10	标准		140 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixbh10n170	Ear99	8541.29.0095	30			1360v，10a，56ohm，15V											360 ns	-	1700 v	20 a	40 a	3.8V @ 15V，10a	6MJ（（）	30 NC	35NS/500NS
IXTH3N150	13.5200	RFQ	3048	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	3A（TC）	10V	7.3OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	38.6 NC @ 10 V	±30V	1375 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXFQ60N25X3	9.2300	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	60a（TC）	10V	23mohm @ 30a，10v	4.5V @ 1.5mA	50 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 25 V	-	320W（TC）
MIXA100W1200TEH	153.4920	RFQ	5477	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa100			500 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														pt	1200 v	155 a		2.1V @ 15V，100a				300 µA	是的
IXTH60N15	-	RFQ	5007	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	60a（TC）	10V	33mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3000 pf @ 25 V	-	275W（TC）
IXTP20N65X	6.4315	RFQ	7285	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	320W（TC）
IXTV36N50PS	-	RFQ	3865	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv36		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	85 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
ixyy8n90c3-trl	1.8159	RFQ	5194	ixys	GenX3™，XPT™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixyy8n90	标准		125 w		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyy8nnn90c3-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500			450V，8A，30OHM，15V											20 ns	pt	900 v	20 a	48 a	3V @ 15V，8a	（460µJ）（180µJ降），OFF）	13.3 NC	16NS/40NS
IXTL2X200N085T	-	RFQ	7330	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixtl2x200		MOSFET （金属 o化物）	150W		isoplusi5-pak™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			85V	112a		6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	152NC @ 10V		7600pf @ 25V	-
IXGH32N100A3	-	RFQ	9195	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			800V，32A，10欧姆，15V												pt	1000 v	75 a	200 a	2.2V @ 15V，32a	2.6mj（在）上，9.5MJ OFF）	87 NC	24NS/385NS
IXGX120N120B3	-	RFQ	5689	ixys	Genx3™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX120	标准		830 w		加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，100a，2ohm，15V												pt	1200 v	200 a	370 a	3V @ 15V，100a	5.5MJ（在）上，5.8MJ（5.8MJ）	470 NC	36NS/275NS
IXBF20N300	56.1580	RFQ	1388	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF20	标准		150 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-											1.35 µs	-	3000 v	34 a	150 a	3.2V @ 15V，20A	-	105 NC	-
IXTQ40N50Q	-	RFQ	9373	ixys	Q类	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq40		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	40a（TC）	10V	160MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	130 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTQ80N28T	-	RFQ	5352	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ80		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		280 v	80A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	115 NC @ 10 V	±30V	5000 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFA4N85X	4.5200	RFQ	8043	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA4N85		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1402-ixfa4n85x	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		850 v	3.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	247 PF @ 25 V	-	150W（TC）
ixtp5n50p	-	RFQ	5670	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp5		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	4.8A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.4a，10V	5.5V @ 50µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	89W（TC）
IXG50I4500KN	97.0144	RFQ	3878	ixys	X2PT™	管子	积极的		通过洞	ISOPLUS264™	IXG50I4500	标准				ISOPLUS264™	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixg50i4500kn		0000.00.0000	25			-												pt	4500 v	74 a		-	-		-
IXFN120N60X3	34.4890	RFQ	2389	ixys	-	管子	积极的				IXFN120						-				238-ixfn120n60x3			10
IXTH62N25T	-	RFQ	6113	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth62		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	62A（TC）		-	-				-	-
VIO50-06P1	-	RFQ	2499	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vio			130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	42.5 a		2.9V @ 15V，50a				600 µA	不	16 NF @ 25 V
IXFH26N65X2	11.8200	RFQ	180	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfh26n65x2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	26a（TC）	10V	130MOHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	45 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	460W（TC）
IXFR4N100Q	8.8178	RFQ	4353	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR4N100		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	3.5A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	80W（TC）
IXFH18N65X3	5.4460	RFQ	1038	ixys	-	管子	积极的				IXFH18						-				238-ixfh18n65x3			30
IXYH30N65C3	3.6306	RFQ	9286	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		270 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V												pt	650 v	60 a	118 a	2.7V @ 15V，30a	1MJ（在）上，270µJ（OFF））	44 NC	21NS/75NS
IXYH50N120C3	11.6000	RFQ	1326	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH50	标准		750 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，50A，5OHM，15V												-	1200 v	100 a	240 a	3.5V @ 15V，50a	3MJ（在）（1MJ）上（1MJ）	142 NC	28ns/133ns
IXYX25N250CV1HV	46.6600	RFQ	418	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYX25	标准		937 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，25a，5ohm，15V											220 ns	-	2500 v	95 a	235 a	4V @ 15V，25a	8.3mj（在）上，7.3mj（7.3MJ）	147 NC	15NS/230NS
GMM3X160-0055X2-SMDSAM	-	RFQ	2426	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼	GMM3x160		MOSFET （金属 o化物）	-		24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			55V	150a		-	4V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
ixtk180n15p	16.6000	RFQ	400	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk180		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		150 v	180a（TC）	10V	10mohm @ 90a，10v	5V @ 500µA	240 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	800W（TC）
MUBW10-06A6	-	RFQ	5621	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw			45 W	三相桥梁整流器	E1	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	600 v	11 a		2.5V @ 15V，6a				20 µA	是的	435 pf @ 25 V
IXTM40N30	-	RFQ	1360	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	ixtm40		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		300 v	40a（TC）	10V	88mohm @ 20a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²