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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGP10N60A	-	RFQ	8441	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-220-3	IXGP10	标准		100 W		TO-220-3	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			-												-	600 v	20 a		3V @ 15V，10a	-		-
IXKC40N60C	-	RFQ	5094	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC40		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	28a（TC）	10V	95mohm @ 28a，10v	3.9V @ 2mA	230 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	-
IXGK400N30B3	-	RFQ	7161	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK400	标准				TO-264（ixgk）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-	300 v	400 a		-	-		-
IXTT40N50L2	21.5000	RFQ	8	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT40		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	40a（TC）	10V	170mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	540W（TC）
MUBW15-12A7	83.3700	RFQ	1	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw15			180 w	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														npt	1200 v	35 a		2.6V @ 15V，15a				900 µA	是的	1 nf @ 25 V
IXFV14N80P	-	RFQ	9126	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV14		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	14A（TC）	10V	720MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 4mA	61 NC @ 10 V	±30V	3900 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTR68P20T	-	RFQ	6154	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-				238-ixtr68p20t	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	44A（TC）	10V	64mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±15V	33400 PF @ 25 V	-	270W（TC）
IXFP26N503	9.1900	RFQ	300	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP26		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	26a（TC）	10V	230MOHM @ 13A，10V	5V @ 4mA	42 NC @ 10 V	±30V	2220 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGH39N60B	-	RFQ	7432	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH39	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，39A，4.7OHM，15V												-	600 v	76 a	152 a	1.7V @ 15V，39a	（4MJ））	110 NC	25NS/250NS
IXFK50N50	19.2500	RFQ	3256	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK50		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	50A（TC）	10V	80Mohm @ 25a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFH30N60P	10.9000	RFQ	145	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	82 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXA20I1200PZ-TRL	3.7616	RFQ	8050	ixys	XPT™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXA20I1200	标准		165 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXA20I1200PZ-TRLTR	Ear99	8541.29.0095	800			600V，15a，56ohm，15V												pt	1200 v	38 a		2.1V @ 15V，15a	1.6mj（在）上，1.7mj off）	47 NC	48NS/230N
IXGB200N60B3	-	RFQ	5180	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGB200	标准		1250 w		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			300V，100A，1OHM，15V												pt	600 v	75 a	600 a	1.5V @ 15V，100a	1.6MJ（在）上，2.9MJ off）	750 NC	44NS/310NS
IXFA6N120P	10.6300	RFQ	4	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA6N120		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	6A（TC）	10V	2.4ohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	2830 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXTH26N60P	6.6443	RFQ	9178	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXYR50N120C3D1	12.7526	RFQ	2148	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyr50	标准		290 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，50A，5OHM，15V											195 ns	-	1200 v	56 a	210 a	4V @ 15V，50a	3MJ（在）（1MJ）上（1MJ）	142 NC	28ns/133ns
IXSK80N60B	-	RFQ	6253	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXSK80	标准		500 w		TO-264AA（IXSK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，80a，2.7Ohm，15V												pt	600 v	160 a	300 a	2.5V @ 15V，80a	4.2MJ（（）	240 NC	60NS/140NS
IXTN600N04T2	38.1700	RFQ	488	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn600		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		40 V	600A（TC）	10V	1.05MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	590 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	940W（TC）
ixta2n80p	-	RFQ	2391	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta2		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	2A（TC）	10V	6ohm @ 1a，10v	5.5V @ 50µA	10.6 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	70W（TC）
IXFN66N50Q2	-	RFQ	6090	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN66		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	66A（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	199 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXFA38N30x3	6.4200	RFQ	67	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA38		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	38A（TC）	10V	50mohm @ 19a，10v	4.5V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 25 V	-	240W（TC）
IXYJ20N120C3D1	13.9640	RFQ	3661	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyj20	标准		105 w		ISO247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V											195 ns	-	1200 v	21 a	84 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS
IXFL60N80P	27.8528	RFQ	4177	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL60		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	40a（TC）	10V	150mohm @ 30a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18000 PF @ 25 V	-	625W（TC）
IXFR15N100Q	-	RFQ	8395	ixys	-	管子	过时的				IXFR15						-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30					-
IXFC22N60P	-	RFQ	9624	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC22N60		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	12A（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 4mA	58 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	130W（TC）
ixta76n25t	6.4600	RFQ	1	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	76A（TC）	10V	39mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTK46N50L	47.1500	RFQ	150	ixys	线性	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk46		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	46A（TC）	20V	160MOHM @ 500mA，20V	6V @ 250µA	260 NC @ 15 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
MIXA100PF1200TMH	-	RFQ	3956	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Minipack2				500 w	标准	Minipack2	-		3（168））		511931	Ear99	8541.29.0095	3	半桥														-	1200 v	155 a		2.1V @ 15V，100a				300 µA	是的
IXFH58N20Q	-	RFQ	3525	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH58		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用		IXFH58N20Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	58A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK20N120P	28.8400	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK20		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk20n120p	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1200 v	20A（TC）	10V	570MOHM @ 10A，10V	6.5V @ 1mA	193 NC @ 10 V	±30V	11100 PF @ 25 V	-	780W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²