SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IXFB210N20P IXYS IXFB210N20P 35.6900
RFQ
ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFB210 MOSFET (金属 o化物) 加上264™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 210a(TC) 10V 10.5MOHM @ 105A,10V 4.5V @ 8mA 255 NC @ 10 V ±20V 18600 PF @ 25 V - 1500W(TC)
IXFK66N85X IXYS IXFK66N85X 28.1500
RFQ
ECAD 25 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXFK66 MOSFET (金属 o化物) TO-264AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 850 v 66A(TC) 10V 65mohm @ 500mA,10v 5.5V @ 8mA 230 NC @ 10 V ±30V 8900 PF @ 25 V - 1250W(TC)
IXFT94N30P3 IXYS IXFT94N30P3 14.3500
RFQ
ECAD 3304 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft94 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixft94n30p3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 94A(TC) 10V 36mohm @ 47a,10v 5V @ 4mA 102 NC @ 10 V ±20V 5510 PF @ 25 V - 1040W(TC)
IXTP2N80 IXYS IXTP2N80 -
RFQ
ECAD 7222 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp2 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 2A(TC) 10V 6.2OHM @ 500mA,10V 5.5V @ 250µA 22 NC @ 10 V ±20V 440 pf @ 25 V - 54W(TC)
IXFX21N100Q IXYS IXFX21N100Q -
RFQ
ECAD 4745 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX21 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 21a(TC) 10V 500mohm @ 10.5a,10v 5.5V @ 4mA 170 NC @ 10 V ±20V 6900 PF @ 25 V - 500W(TC)
IXBL64N250 IXYS IXBL64N250 123.8172
RFQ
ECAD 7961 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 isoplusi5-pak™ ixbl64 标准 500 w isoplusi5-pak™ 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Q7051550 Ear99 8541.29.0095 25 - 160 ns - 2500 v 116 a 750 a 3V @ 15V,64a - 400 NC -
IXFP220N06T3 IXYS IXFP220N06T3 4.7600
RFQ
ECAD 40 0.00000000 ixys HiperFet™,Trencht3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXFP220 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 60 V 220A(TC) 10V 4MOHM @ 100A,10V 4V @ 250µA 136 NC @ 10 V ±20V 8500 PF @ 25 V - 440W(TC)
MIXG360RF1200P-PC IXYS MIXG360RF1200P-PC 98.4107
RFQ
ECAD 9811 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 - - - Mixg360 - - 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 28 - - -
IXGK50N60A2U1 IXYS IXGK50N60A2U1 -
RFQ
ECAD 9614 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXGK50 标准 400 w TO-264(ixgk) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 480V,50a,5ohm,15V - 600 v 75 a 200 a 1.6V @ 15V,50a 3.5MJ() 140 NC 20N/410NS
IXGH72N60B3 IXYS IXGH72N60B3 -
RFQ
ECAD 7298 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH72 标准 540 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,50a,3ohm,15v pt 600 v 75 a 400 a 1.8V @ 15V,60a 1.38mj(在)上,1.05mj off) 230 NC 31ns/150ns
IXFA18N65X2 IXYS IXFA18N65X2 3.8178
RFQ
ECAD 1360 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXFA18 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfa18n65x2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 18A(TC) 10V 200mohm @ 9a,10v 5V @ 1.5mA 29 NC @ 10 V ±30V 1520 pf @ 25 V - 290W(TC)
IXSH24N60U1 IXYS IXSH24N60U1 -
RFQ
ECAD 6369 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXSH24 标准 150 w TO-247AD 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V,24a,10ohm,15V 50 ns - 600 v 48 a 96 a 2.2V @ 15V,24a 2MJ(() 75 NC 100NS/450NS
IXTH230N085T IXYS IXTH230N085T -
RFQ
ECAD 5633 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXTH230 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 85 v 230a(TC) 10V 4.4mohm @ 50a,10v 4V @ 250µA 187 NC @ 10 V ±20V 9900 PF @ 25 V - 550W(TC)
IXFH70N20Q3 IXYS IXFH70N20Q3 13.5700
RFQ
ECAD 30 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFH70 MOSFET (金属 o化物) TO-247AD(IXFH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 70A(TC) 10V 40mohm @ 35a,10v 6.5V @ 4mA 67 NC @ 10 V ±20V 3150 pf @ 25 V - 690W(TC)
IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA15N65C3D1 -
RFQ
ECAD 3626 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixya15 标准 200 w TO-263AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixya15n65c3d1 Ear99 8541.29.0095 50 400V,15a,20欧姆,15V 20 ns pt 650 v 38 a 80 a 2.5V @ 15V,15a 270µJ(在)上,230µJ(230µJ) 19 nc 15NS/68NS
IXTY2R4N50P IXYS IXTY2R4N50P -
RFQ
ECAD 5177 0.00000000 ixys Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-252-3,DPAK (2 LEADS + TAB),SC-63 ixty2 MOSFET (金属 o化物) TO-252AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 500 v 2.4A(TC) 10V 3.75ohm @ 500mA,10v 5.5V @ 25µA 6.1 NC @ 10 V ±30V 240 pf @ 25 V - 55W(TC)
IXYH60N90C3 IXYS IXYH60N90C3 8.5300
RFQ
ECAD 58 0.00000000 ixys GenX3™,XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXYH60 标准 750 w TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 450V,60a,3ohm,15V - 900 v 140 a 310 a 2.7V @ 15V,60a 2.7MJ(在)上,1.55MJ off) 107 NC 30ns/87ns
IXTP450P2 IXYS IXTP450P2 4.8100
RFQ
ECAD 156 0.00000000 ixys Polarp2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 IXTP450 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixtp450p2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 16A(TC) 10V 330mohm @ 8a,10v 4.5V @ 250µA 43 NC @ 10 V ±30V 2530 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXFT24N90P IXYS IXFT24N90P 17.5000
RFQ
ECAD 300 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft24 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 24A(TC) 10V 420MOHM @ 12A,10V 6.5V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 660W(TC)
IXYA12N250CHV IXYS IXYA12N250CHV 58.4224
RFQ
ECAD 1003 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB 标准 310 w TO-263HV - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixya12N250CHV Ear99 8541.29.0095 50 1250V,12a,10ohm,15V 16 ns - 2500 v 28 a 80 a 4.5V @ 15V,12a 3.56mj(在)上,1.7MJ OFF) 56 NC 12NS/167NS
IXA45IF1200HB IXYS IXA45IF1200HB 12.2200
RFQ
ECAD 178 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXA45IF1200 标准 325 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V,35A,27OHM,15V 350 ns pt 1200 v 78 a 2.1V @ 15V,35a 3.8MJ(在)上,4.1MJ off) 106 NC -
IXBT20N300 IXYS IXBT20N300 -
RFQ
ECAD 9766 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXBT20 标准 250 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.35 µs - 3000 v 50 a 140 a 3.2V @ 15V,20A - 105 NC -
IXFJ26N50P3 IXYS IXFJ26N503 21.8900
RFQ
ECAD 2 0.00000000 ixys Hiperfet™,Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFJ26 MOSFET (金属 o化物) TO-247(IXTH) 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixfj26n50p3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 14A(TC) 10V 265MOHM @ 13A,10V 5V @ 4mA 42 NC @ 10 V ±30V 2220 PF @ 25 V - 180W(TC)
IXFX400N15X3 IXYS IXFX400N15X3 37.9373
RFQ
ECAD 4855 0.00000000 ixys Hiperfet™,Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX400 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfx400N15x3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 400A(TC) 10V 3mohm @ 200a,10v 4.5V @ 8mA 365 NC @ 10 V ±20V 23700 PF @ 25 V - 1250W(TC)
IXFT26N50Q TR IXYS IXFT26N50Q TR -
RFQ
ECAD 3509 0.00000000 ixys Hiperfet™ 胶带和卷轴((tr) 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft26 MOSFET (金属 o化物) TO-268(IXFT) 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 1,000 n通道 500 v 26a(TC) 10V 200mohm @ 13a,10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXGH56N60B3 IXYS IXGH56N60B3 -
RFQ
ECAD 4416 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXGH56 标准 330 w TO-247(IXTH) - 238-ixgh56n60b3 Ear99 8541.29.0095 30 480V,44A,5OHM,15V 41 ns pt 600 v 130 a 350 a 1.8V @ 15V,44a 1.3MJ(在)上,1.05mj off) 138 NC 26NS/155NS
IXTA102N15T-TRL IXYS ixta102n15t-trl 3.3218
RFQ
ECAD 5057 0.00000000 ixys 胶带和卷轴((tr) 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixta102 MOSFET (金属 o化物) TO-263(D2PAK) - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta102n15t-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 150 v 102A(TC) 10V 18mohm @ 51a,10v 5V @ 1mA 87 NC @ 10 V ±20V 5220 PF @ 25 V - 455W(TC)
IXGC16N60C2 IXYS IXGC16N60C2 -
RFQ
ECAD 9842 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 ISOPLUS220™ IXGC16 标准 63 W ISOPLUS220™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,12A,22OHM,15V pt 600 v 20 a 100 a 3V @ 15V,12A 60µJ(离) 32 NC 25NS/60NS
IXXX140N65B4H1 IXYS IXXX140N65B4H1 19.3227
RFQ
ECAD 4582 0.00000000 ixys XPT™,Genx4™ 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXXX140 标准 1200 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V,100A,4.7OHM,15V 105 ns - 650 v 340 a 840 a 1.9V @ 15V,120a 5.75mj(在)上,2.67mj off) 250 NC 54NS/270NS
IXBH24N170 IXYS IXBH24N170 28.3900
RFQ
ECAD 30 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXBH24 标准 250 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 1.06 µs - 1700 v 60 a 230 a 2.5V @ 15V,24a - 140 NC -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库