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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFV52N30PS	-	RFQ	8308	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV52		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	52A（TC）	10V	66mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3490 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXGP30N60C3	-	RFQ	4073	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP30	标准		220 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，20A，5OHM，15V												pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	270µJ（在）上，90µJ（90µJ）	38 NC	16ns/42ns
IXGR40N60B2	-	RFQ	9794	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准		167 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3.3ohm，15V												pt	600 v	60 a	200 a	1.9V @ 15V，30a	400µJ（离）	100 NC	18NS/130NS
IXTH15N50L2	11.9100	RFQ	8	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH15		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTN17N120L	58.4400	RFQ	1636年	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn17		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	15A（TC）	20V	900mohm @ 8.5a，20v	5V @ 250µA	155 NC @ 15 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFB110N60P3	25.2200	RFQ	8160	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB110		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	110A（TC）	10V	56mohm @ 55a，10v	5V @ 8mA	245 NC @ 10 V	±30V	18000 PF @ 25 V	-	1890W（TC）
IXFB72N55Q2	-	RFQ	4162	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB72		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		550 v	72A（TC）	10V	72MOHM @ 500mA，10V	5V @ 8mA	258 NC @ 10 V	±30V	10500 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFQ24N50P2	-	RFQ	5836	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ24		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq24n50p2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	2890 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IXFT24N90P	17.5000	RFQ	300	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	24A（TC）	10V	420MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	660W（TC）
IXGC16N60C2	-	RFQ	9842	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXGC16	标准		63 W		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V												pt	600 v	20 a	100 a	3V @ 15V，12A	60µJ（离）	32 NC	25NS/60NS
IXFJ32N50	-	RFQ	7476	ixys	-	管子	过时的				IXFJ32						-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30					-
IXTP450P2	4.8100	RFQ	156	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP450		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp450p2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	16A（TC）	10V	330mohm @ 8a，10v	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	2530 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXXX140N65B4H1	19.3227	RFQ	4582	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX140	标准		1200 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，4.7OHM，15V											105 ns	-	650 v	340 a	840 a	1.9V @ 15V，120a	5.75mj（在）上，2.67mj off）	250 NC	54NS/270NS
IXBH24N170	28.3900	RFQ	30	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH24	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.06 µs	-	1700 v	60 a	230 a	2.5V @ 15V，24a	-	140 NC	-
IXYH60N90C3	8.5300	RFQ	58	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH60	标准		750 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，60a，3ohm，15V												-	900 v	140 a	310 a	2.7V @ 15V，60a	2.7MJ（在）上，1.55MJ off）	107 NC	30ns/87ns
IXFX55N50	-	RFQ	8557	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX55		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载			到达不受影响	IXFX55N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	55A（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	625W（TC）
IXGH50N60C2	-	RFQ	4657	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准		400 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，40a	380µJ（OFF）	138 NC	18NS/115NS
ixta42n15t-trl	2.6928	RFQ	8650	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta42		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta42n15t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	42A（TC）	10V	45mohm @ 21a，10v	4.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	1880 pf @ 25 V	-	200W（TC）
MDI150-12A4	-	RFQ	8295	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI150			760 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	180 a		2.7V @ 15V，100a				7.5 ma	不	6.6 NF @ 25 V
IXFH60N65X2	11.4700	RFQ	5914	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	60a（TC）	10V	52MOHM @ 30a，10V	5.5V @ 4mA	107 NC @ 10 V	±30V	6180 pf @ 25 V	-	780W（TC）
IXTH12N120	-	RFQ	4929	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	12A（TC）	10V	1.4OHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±30V	3400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGQ28N120B	-	RFQ	8491	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ28	标准		250 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，28a，5ohm，15V												-	1200 v	50 a	150 a	3.5V @ 15V，28a	2MJ（（）	92 NC	30NS/180NS
IXTC280N055T	-	RFQ	7928	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC280		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	145a（TC）	10V	3.6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9800 PF @ 25 V	-	160W（TC）
IXRP15N120	-	RFQ	4402	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXRP15	标准		300 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，10a，47ohm，15V											300 ns	npt	1200 v	25 a		2.95V @ 15V，10a	1.1MJ（在）（130µJ）上	36 NC	-
MIXA600PF650TSF	-	RFQ	7943	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	Mixa600			1750 w	标准	模块	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	半桥														pt	650 v	720 a		1.8V @ 15V，600A				1.8 ma	是的
IXKC13N80C	-	RFQ	1685年	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC13		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	13A（TC）	10V	290MOHM @ 9A，10V	4V @ 1mA	90 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	-
IXFH14N100Q2	15.3847	RFQ	9339	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	608166	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	14A（TC）	10V	950MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 4mA	83 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFQ28N60P3	6.8500	RFQ	283	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ28		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq28n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	28a（TC）	10V	260mohm @ 14a，10v	5V @ 2.5mA	50 NC @ 10 V	±30V	3560 pf @ 25 V	-	695W（TC）
MMIX1Y82N120C3H1	45.9840	RFQ	9694	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1Y82	标准		320 w		24-smpd	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIX1Y82N120C3H1	Ear99	8541.29.0095	20			600V，80a，2ohm，15V											78 ns	pt	1200 v	78 a	320 a	3.4V @ 15V，82a	4.95MJ（在）上，2.78mj off）	215 NC	29NS/192NS
VID160-12P1	-	RFQ	8355	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vid			694 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	169 a		3.5V @ 15V，160a				6 ma	是的	6.5 nf @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²