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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXFA6N120P	10.6300	RFQ	4	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA6N120		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	6A（TC）	10V	2.4ohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	2830 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXFT120N25X3HV	14.7700	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT120		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	12mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	122 NC @ 10 V	±20V	7870 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXGB200N60B3	-	RFQ	5180	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGB200	标准		1250 w		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			300V，100A，1OHM，15V												pt	600 v	75 a	600 a	1.5V @ 15V，100a	1.6MJ（在）上，2.9MJ off）	750 NC	44NS/310NS
VMO60-05F	-	RFQ	1380	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMO60		MOSFET （金属 o化物）			TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	60a（TC）	10V	75mohm @ 500mA，10v	4V @ 24mA	405 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	590W（TC）
IXFP36N303	3.6441	RFQ	4934	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 25 V	-	347W（TC）
IXTQ182N055T	-	RFQ	6271	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ182		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	182a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFN32N120	37.8290	RFQ	4497	ixys	Hiperfet™	盒子	不适合新设计		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN32		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7906213	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	32a		350MOHM @ 500mA，10V	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V		15900 PF @ 25 V	-
IRFP470	-	RFQ	2501	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP47		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGR40N120B2D1	-	RFQ	9932	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准				ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v			-	-		-
IXTR120P20T	26.2486	RFQ	5953	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTR120		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	90A（TC）	10V	32MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	73000 PF @ 25 V	-	595W（TC）
IXTQ30N50L2	14.1720	RFQ	4912	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFK88N20Q	-	RFQ	9585	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK88		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	88A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 4mA	146 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFN100N25	-	RFQ	2861	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFT170N25X3HV	20.6100	RFQ	70	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT170		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	170a（TC）	10V	7.4mohm @ 85a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXTH140P10T	18.9900	RFQ	39	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH140		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		100 v	140a（TC）	10V	12mohm @ 70a，10v	4V @ 250µA	400 NC @ 10 V	±15V	31400 PF @ 25 V	-	568W（TC）
IXA20I1200PZ-TRL	3.7616	RFQ	8050	ixys	XPT™	胶带和卷轴（（tr）	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXA20I1200	标准		165 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXA20I1200PZ-TRLTR	Ear99	8541.29.0095	800			600V，15a，56ohm，15V												pt	1200 v	38 a		2.1V @ 15V，15a	1.6mj（在）上，1.7mj off）	47 NC	48NS/230N
IXFH30N60P	10.9000	RFQ	145	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	82 NC @ 10 V	±30V	4000 pf @ 25 V	-	500W（TC）
MIXA100PF1200TMH	-	RFQ	3956	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Minipack2				500 w	标准	Minipack2	-		3（168））		511931	Ear99	8541.29.0095	3	半桥														-	1200 v	155 a		2.1V @ 15V，100a				300 µA	是的
IXYR50N120C3D1	12.7526	RFQ	2148	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyr50	标准		290 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，50A，5OHM，15V											195 ns	-	1200 v	56 a	210 a	4V @ 15V，50a	3MJ（在）（1MJ）上（1MJ）	142 NC	28ns/133ns
IXBH10N170	11.7400	RFQ	3508	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH10	标准		140 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixbh10n170	Ear99	8541.29.0095	30			1360v，10a，56ohm，15V											360 ns	-	1700 v	20 a	40 a	3.8V @ 15V，10a	6MJ（（）	30 NC	35NS/500NS
IXGQ240N30PB	-	RFQ	1450	ixys	Polar™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ240	标准		500 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	300 v	240 a		1.6V @ 15V，120a	-	225 NC	-
ixta5n50p	-	RFQ	2176	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta5		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	4.8A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.4a，10V	5.5V @ 50µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	89W（TC）
ixtp2n80p	-	RFQ	3252	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	2A（TC）	10V	6ohm @ 1a，10v	5.5V @ 50µA	10.6 NC @ 10 V	±30V	440 pf @ 25 V	-	70W（TC）
IXA40RG1200DHG-TRR	15.8811	RFQ	4906	ixys	ISOPLUS™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40			230 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200	半桥														pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a				150 µA	不
IXFK360N10T	14.1900	RFQ	5686	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK360		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	360a（TC）	10V	2.9MOHM @ 100A，10V	5V @ 3mA	525 NC @ 10 V	±20V	33000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTH54N30T	-	RFQ	9289	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth54		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	54A（TC）		-	-				-	-
IXFK240N25X3	34.4000	RFQ	393	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK240		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		250 v	240a（TC）	10V	5mohm @ 120a，10v	4.5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFT88N30P-TRL	11.0257	RFQ	9585	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft88		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixft88n30p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTN17N120L	58.4400	RFQ	1636年	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn17		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	15A（TC）	20V	900mohm @ 8.5a，20v	5V @ 250µA	155 NC @ 15 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXRP15N120	-	RFQ	4402	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXRP15	标准		300 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，10a，47ohm，15V											300 ns	npt	1200 v	25 a		2.95V @ 15V，10a	1.1MJ（在）（130µJ）上	36 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²