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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXGH72N60B3	-	RFQ	7298	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH72	标准		540 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v												pt	600 v	75 a	400 a	1.8V @ 15V，60a	1.38mj（在）上，1.05mj off）	230 NC	31ns/150ns
IXFN180N15P	28.9600	RFQ	1813年	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN180		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		150 v	150a（TC）	10V	11MOHM @ 90A，10V	5V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	680W（TC）
IXBH32N300	98.9500	RFQ	87	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH32	标准		400 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.5 µs	-	3000 v	80 a	280 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	-
IXFH26N60P	9.4700	RFQ	2938	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
MIXA80R1200VA	27.5250	RFQ	5487	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1a-pak	Mixa80			390 w	标准	v1a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单身的														pt	1200 v	120 a		2.2V @ 15V，77a				200 µA	不
IXFH18N60P	6.3600	RFQ	2556	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH18		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	18A（TC）	10V	400mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	50 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXGA12N60C	-	RFQ	5984	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA12	标准		100 W		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，12a，18onm，15v												-	600 v	24 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
IXXX200N60C3	25.1600	RFQ	1	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX200	标准				加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，100a，1ohm，15V												pt	600 v	340 a	900 a	2.1V @ 15V，100a	3MJ（在）上，1.7MJ（OFF）	315 NC	47NS/125NS
IXFA220N06T3	4.9700	RFQ	170	ixys	HiperFet™，Trencht3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA220		MOSFET （金属 o化物）			TO-263	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	220A（TC）	10V	4MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	136 NC @ 10 V	±20V	8500 PF @ 25 V	-	440W（TC）
IXFX400N15X3	37.9373	RFQ	4855	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX400		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfx400N15x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	400A（TC）	10V	3mohm @ 200a，10v	4.5V @ 8mA	365 NC @ 10 V	±20V	23700 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFK88N20Q	-	RFQ	9585	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK88		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	88A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 4mA	146 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFN32N120	37.8290	RFQ	4497	ixys	Hiperfet™	盒子	不适合新设计		底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN32		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7906213	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	32a		350MOHM @ 500mA，10V	5V @ 8mA	400 NC @ 10 V		15900 PF @ 25 V	-
IXGR40N120B2D1	-	RFQ	9932	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准				ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v			-	-		-
IXGR32N90B2D1	-	RFQ	8434	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr32	标准		160 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			720v，32a，5ohm，15v											190 ns	pt	900 v	47 a	200 a	2.9V @ 15V，32a	2.2mj（（）	89 NC	20NS/260NS
VMO60-05F	-	RFQ	1380	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMO60		MOSFET （金属 o化物）			TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	60a（TC）	10V	75mohm @ 500mA，10v	4V @ 24mA	405 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	590W（TC）
IXFN100N25	-	RFQ	2861	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IRFP470	-	RFQ	2501	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP47		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTQ22N60P	7.2900	RFQ	190	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq22		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
ixta60n10t-trl	2.8600	RFQ	5	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta60		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta60n10t-trlct	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	60a（TC）	10V	18mohm @ 25a，10v	4.5V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±20V	2650 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXTC72N30T	-	RFQ	4731	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc72		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXFK26N90	18.1356	RFQ	1528年	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK26		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		900 v	26a（TC）	10V	300MOHM @ 13A，10V	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFH240N15X3	18.6923	RFQ	9265	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH240		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh240n15x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	240a（TC）	10V	5.4MOHM @ 120A，10V	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	9580 pf @ 25 V	-	780W（TC）
IXTQ182N055T	-	RFQ	6271	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ182		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	182a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixtp64n10l2	18.7800	RFQ	400	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp64		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixtp64n10l2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	64A（TC）	10V	32MOHM @ 32A，10V	4.5V @ 250µA	100 nc @ 10 V	±20V	3620 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IXDH20N120D1	-	RFQ	7607	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXDH20	标准		200 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20A，82OHM，15V											40 ns	npt	1200 v	38 a	50 a	3V @ 15V，20A	3.1mj（在）上，2.4MJ off）	70 NC	-
Mixg240rf1200pted	62.8661	RFQ	8999	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixg240			1250 w	标准	E2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-mixg240rf1200pted	Ear99	8541.29.0095	28	单菜器														pt	1200 v	335 a		2V @ 15V，200a				200 µA	是的
IXTQ30N50L2	14.1720	RFQ	4912	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFP36N303	3.6441	RFQ	4934	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 25 V	-	347W（TC）
IXTQ30N60P	10.2700	RFQ	7568	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	5050 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXTR120P20T	26.2486	RFQ	5953	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTR120		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	90A（TC）	10V	32MOHM @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	73000 PF @ 25 V	-	595W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²