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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C
IXGR40N60C IXYS IXGR40N60C -
RFQ
 ECAD 3568 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR40 标准 200 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，4.7Ohm，15V - 600 v 75 a 150 a 2.7V @ 15V，40a 850µJ（离） 116 NC 25n/100n
IXGR40N60C2G1 IXYS IXGR40N60C2G1 -
RFQ
 ECAD 7107 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-247-3 IXGR40 标准 ISOPLUS247™ - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 600 v - - -
IXGR45N120 IXYS IXGR45N120 -
RFQ
 ECAD 4670 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXGR45 标准 ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 1200 v 90 a - - -
IXGR50N60B IXYS IXGR50N60B -
RFQ
 ECAD 1840年 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR50 标准 250 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，2.7Ohm，15V - 600 v 75 a 200 a 2.5V @ 15V，50a 3MJ（（） 110 NC 50NS/110NS
IXFK210N17T IXYS IXFK210N17T -
RFQ
 ECAD 3726 0.00000000 ixys Gigamos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK210 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 170 v 210a（TC） 10V 7.5MOHM @ 60a，10V 5V @ 4mA 285 NC @ 10 V ±20V 18800 PF @ 25 V - 1150W（TC）
IXFX210N17T IXYS IXFX210N17T -
RFQ
 ECAD 3074 0.00000000 ixys Gigamos™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX210 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 170 v 210a（TC） 10V 7.5MOHM @ 60a，10V 5V @ 4mA 285 NC @ 10 V ±20V 18800 PF @ 25 V - 1150W（TC）
IXFX170N20T IXYS IXFX170N20T 13.2463
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX170 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 170a（TC） 10V 11mohm @ 60a，10v 5V @ 4mA 265 NC @ 10 V ±20V 19600 pf @ 25 V - 1150W（TC）
IXFK230N20T IXYS IXFK230N20T 26.4300
RFQ
 ECAD 3307 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK230 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 200 v 230a（TC） 10V 7.5MOHM @ 60a，10v 5V @ 8mA 378 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 1670W（TC）
IXFN230N20T IXYS IXFN230N20T 37.7000
RFQ
 ECAD 401 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN230 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 200 v 220A（TC） 10V 7.5MOHM @ 60a，10V 5V @ 8mA 378 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 1090W（TC）
IXFN180N25T IXYS IXFN180N25T 25.8900
RFQ
 ECAD 2851 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN180 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 250 v 168a（TC） 10V 12.9mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 345 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 900W（TC）
IXFK180N25T IXYS IXFK180N25T 20.1600
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK180 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 250 v 180a（TC） 10V 12.9mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 345 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 1390W（TC）
IXFX140N25T IXYS IXFX140N25T 13.2463
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX140 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 140a（TC） 10V 17mohm @ 60a，10v 5V @ 4mA 255 NC @ 10 V ±20V 19000 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXFX160N30T IXYS IXFX160N30T 20.1500
RFQ
 ECAD 811 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX160 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 160a（TC） 10V 19mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 335 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 1390W（TC）
IXGR60N60C3C1 IXYS IXGR60N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 2982 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR60 标准 170 w ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，3ohm，15V pt 600 v 75 a 260 a 2.5V @ 15V，40a （830µJ）（在450µJ上） 115 NC 24NS/70NS
IXGP30N60C3C1 IXYS IXGP30N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 6041 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP30 标准 220 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 300V，20A，5OHM，15V pt 600 v 60 a 150 a 3V @ 15V，20A （120µJ）（在），90µJ（90µJ）中 38 NC 17NS/42NS
IXGH30N60C3C1 IXYS IXGH30N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH30 标准 220 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 300V，20A，5OHM，15V pt 600 v 60 a 150 a 3V @ 15V，20A （120µJ）（在），90µJ（90µJ）中 38 NC 17NS/42NS
IXGH48N60C3C1 IXYS IXGH48N60C3C1 -
RFQ
 ECAD 9427 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH48 标准 300 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，3ohm，15V pt 600 v 75 a 250 a 2.5V @ 15V，30a （330µJ）（在230µJ上） 77 NC 19NS/60NS
IXTA110N055T2 IXYS IXTA110N055T2 2.9800
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta110 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 110A（TC） 10V 6.6mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±20V 3060 pf @ 25 V - 180W（TC）
IXTA200N055T2 IXYS IXTA200N055T2 4.2300
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta200 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 200a（TC） 10V 4.2MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 109 NC @ 10 V ±20V 6800 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTA220N04T2-7 IXYS IXTA220N04T2-7 6.4098
RFQ
 ECAD 6684 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta220 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 IXTA220N04T27 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 220A（TC） 10V 3.5MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±20V 6820 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTA26P20P IXYS ixta26p20p 6.8800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta26 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 200 v 26a（TC） 10V 170MOHM @ 13A，10V 4V @ 250µA 56 NC @ 10 V ±20V 2740 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTA90N075T2 IXYS IXTA90N075T2 3.4400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB ixta90 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixta90n075t2 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 90A（TC） 10V 10mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 54 NC @ 10 V ±20V 3290 pf @ 25 V - 180W（TC）
IXTC36P15P IXYS ixtc36p15p -
RFQ
 ECAD 5419 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ ixtc36 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 150 v 22a（TC） 10V 120MOHM @ 18A，10V 5V @ 250µA 55 NC @ 10 V ±20V 2950 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTK170P10P IXYS IXTK170P10P 21.4200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXTK170 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 P通道 100 v 170a（TC） 10V 12mohm @ 500mA，10v 4V @ 1mA 240 NC @ 10 V ±20V 12600 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXTN40P50P IXYS IXTN40P50P 38.4800
RFQ
 ECAD 22 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixtn40 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 P通道 500 v 40a（TC） 10V 230MOHM @ 500mA，10V 4V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXTP110N055T2 IXYS IXTP110N055T2 3.0400
RFQ
 ECAD 19 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP110 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 110A（TC） 10V 6.6mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 57 NC @ 10 V ±20V 3060 pf @ 25 V - 180W（TC）
IXTP120N04T2 IXYS IXTP120N04T2 2.5796
RFQ
 ECAD 7697 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP120 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 120A（TC） 10V 6.1MOHM @ 25A，10V 4V @ 250µA 58 NC @ 10 V ±20V 3240 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXTP220N04T2 IXYS IXTP220N04T2 4.0600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp220 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 220A（TC） 10V 3.5MOHM @ 50a，10v 4V @ 250µA 112 NC @ 10 V ±20V 6820 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTP44P15T IXYS ixtp44p15t 6.3900
RFQ
 ECAD 80 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 通过洞 TO-220-3 ixtp44 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 150 v 44A（TC） 10V 65mohm @ 500mA，10v 4V @ 250µA 175 NC @ 10 V ±15V 13400 PF @ 25 V - 298W（TC）
IXTP48N20T IXYS IXTP48N20T 4.1800
RFQ
 ECAD 3242 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp48 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 48A（TC） 10V 50MOHM @ 24A，10V 4.5V @ 250µA 60 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 250W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

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    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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196-LFBGA裸露的垫子

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