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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGX32N170AH1	-	RFQ	5210	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX32	标准		350 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，32A，2.7OHM，15V											150 ns	npt	1700 v	32 a	110 a	5V @ 15V，21a	4.1mj（在）上，1.25MJ off）	157 NC	27NS/270NS
IXXX200N60B3	25.6400	RFQ	2502	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX200	标准		1630 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，100a，1ohm，15V											100 ns	-	600 v	380 a	900 a	1.7V @ 15V，100a	2.85MJ（在）上，4.4MJ off）	315 NC	48NS/160NS
IXFQ22N60P3	9.8600	RFQ	9385	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ22		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq22n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGR50N60B2	-	RFQ	8791	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR50	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，5ohm，15V												-	600 v	68 a	300 a	2.2V @ 15V，40a	（550µJ）	140 NC	18NS/190NS
IXSH30N60CD1	-	RFQ	4165	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准		200 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXSH30N60CD1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，30a，4.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	110 a	2.5V @ 15V，30a	（700µJ）（离）	100 NC	30NS/90NS
IXTQ160N085T	-	RFQ	7202	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ160		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		85 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	164 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXGH60N60C2	-	RFQ	1789年	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH60	标准		480 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，2ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	2.5V @ 15V，50a	480µJ（OFF）	146 NC	18NS/95NS
IXYH16N250CV1HV	31.9100	RFQ	6	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		500 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，16A，10OHM，15V											19 ns	-	2500 v	35 a	126 a	4V @ 15V，16a	4.75MJ（在）上，3.9MJ off）	97 NC	14NS/260NS
IXFT50N85XHV	19.4700	RFQ	4313	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	50A（TC）	10V	105mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±30V	4480 pf @ 25 V	-	890W（TC）
IXXX200N65B4	2000年2月27日	RFQ	868	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX200	标准		1150 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，1OHM，15V												pt	650 v	370 a	1000 a	1.7V @ 15V，160a	4.4mj（在）上，2.2MJ off）	553 NC	62NS/245NS
IXTH16N50D2	13.8500	RFQ	2218	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	16A（TC）	0V	240mohm @ 8a，0v	-	199 NC @ 5 V	±20V	5250 pf @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
ixtx8n150l	42.3400	RFQ	30	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx8		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx8n150l	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	8A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXFT26N50	-	RFQ	6258	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFX90N30	-	RFQ	8443	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX90		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFX90N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	90A（TC）	10V	33mohm @ 45a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	10000 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTQ36N20T	-	RFQ	8891	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	-		-	-				-	-
IXXH60N65C4	7.1180	RFQ	6107	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH60	标准		455 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，5ohm，15V												pt	650 v	118 a	240 a	2.2V @ 15V，60a	3.2mj（在）上，830µJ（830µJ）	94 NC	37ns/133ns
IXTQ44N50P	8.4570	RFQ	4746	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq44		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	44A（TC）	10V	140mohm @ 22a，10v	5V @ 250µA	98 NC @ 10 V	±30V	5440 pf @ 25 V	-	658W（TC）
IXGB75N60BD1	-	RFQ	8595	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGB75	标准		360 w		加上264™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，75A，5OHM，15V											50 ns	-	600 v	120 a	300 a	2.3V @ 15V，75a	3.3mj（（）	248 NC	62NS/220NS
IXFH80N15Q	-	RFQ	2631	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	80A（TC）	10V	22.5mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXA40PG1200DHG-TUB	25.2370	RFQ	2275	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40			230 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥														pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a				150 µA	不
MUBW50-12A8	152.1800	RFQ	1653	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw50			350 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-mubw50-12a8	Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														npt	1200 v	85 a		2.6V @ 15V，50a				3.7 MA	是的	3.3 NF @ 25 V
IXYH16N170CV1	14.2600	RFQ	30	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，16a，10ohm，15V											150 ns	-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
IXTX400N15X4	44.1200	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx400		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	400A（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	430 NC @ 10 V	±20V	14500 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
IXFQ60N503	10.5200	RFQ	24	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	60a（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	5V @ 4mA	96 NC @ 10 V	±30V	6250 pf @ 25 V	-	1040W（TC）
IXXA30N65C3HV	5.6612	RFQ	9253	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXXA30	标准		230 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，24a，10ohm，15V											33 ns	-	650 v	52 a	113 a	2.2V @ 15V，24a	（500µJ）（在450µJ上）	37 NC	33NS/125NS
IXTP55N075T	-	RFQ	1625年	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp55		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	55A（TC）	10V	19.5MOHM @ 27.5A，10V	4V @ 25µA	33 NC @ 10 V	±20V	1400 pf @ 25 V	-	130W（TC）
IXFR90N20	-	RFQ	9038	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR90		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	90A（TC）		-	-				-	-
IXYA30N120A4HV	7.6136	RFQ	6009	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixya30	标准		500 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixya30n120a4hv	Ear99	8541.29.0095	50			960V，25a，5ohm，15V											42 ns	pt	1200 v	106 a	184 a	1.9V @ 15V，25a	4MJ（在）上，3.4MJ（3.4MJ）	57 NC	15NS/235NS
IXFH80N65X2-4	16.2800	RFQ	2016	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-ixfh80n65x2-4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	80A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXYP24N100A4	15.2094	RFQ	4185	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3		标准		375 w		TO-220（（IXYP）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP24N100A4	Ear99	8541.29.0095	50			800V，24A，10OHM，15V											47 ns	pt	1000 v	85 a	145 a	1.9V @ 15V，24a	3.5MJ（在）上，2.3MJ off）	44 NC	13NS/216NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²