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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	NTC热敏电阻
ixta130n10t-trl	3.3089	RFQ	3335	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta130		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFX100N25	-	RFQ	6675	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX100		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTP270N04T4	4.4300	RFQ	24	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP270		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	270a（TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±15V	9140 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXTC75N10	-	RFQ	1865年	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc75		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	72A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXKC15N60C5	-	RFQ	4528	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC15		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 900µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXTP80N12T2	2.9800	RFQ	5715	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp80		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixtp80n12t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	80A（TC）	10V	17mohm @ 40a，10v	4.5V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	325W（TC）
IXFH160N15T	-	RFQ	5025	ixys	TrechHV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	160a（TC）	10V	9.6mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	160 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXSH15N120BD1	-	RFQ	9907	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH15	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，15a，10ohm，15V											30 ns	pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
IXFN50N120SK	81.1200	RFQ	1065	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN50		sicfet （碳化硅）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	48A（TC）	20V	52MOHM @ 40a，20V	2.8V @ 10mA	115 NC @ 20 V	+20V，-5V	1895 PF @ 1000 V	-	-
IXXR100N60B3H1	22.5933	RFQ	3553	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXR100	标准		400 w		ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，70a，2ohm，15V											140 ns	pt	600 v	145 a	440 a	1.8V @ 15V，70a	1.9MJ（在），2MJ（2MJ）中	143 NC	30NS/120NS
ixta1r4n100ptrl	2.0761	RFQ	5188	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1r4n100ptrltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	1.4A（TC）	10V	11.8ohm @ 700mA，10v	4.5V @ 50µA	17.8 NC @ 10 V	±20V	450 pf @ 25 V	-	63W（TC）
ixtq16n50p	5.3400	RFQ	15	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ16		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	16A（TC）	10V	400mohm @ 8a，10v	5.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	300W（TC）
MIXG450PF1700TSF	225.2033	RFQ	9177	ixys	-	盒子	积极的	-	底盘安装	Simbus f	Mixg450				标准	Simbus f	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG450PF1700TSF			3	单身的														pt				-				不
IXYX300N65A3	35.2647	RFQ	1357	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体		标准		2300 w		加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYX300N65A3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，1OHM，15V											125 ns	pt	650 v	600 a	1460 a	1.6V @ 15V，100a	7.8MJ（在）上，4.7MJ off）	565 NC	42NS/190NS
IXFP14N60P3	-	RFQ	3137	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP14		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp14n60p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	14A（TC）	10V	540MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	327W（TC）
IXFH50N20	10.7200	RFQ	36	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH50N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFR24N100Q3	32.9000	RFQ	150	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	18A（TC）	10V	490MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixth10p50p	8.4800	RFQ	9566	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFB100N50P	31.5000	RFQ	8522	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB100		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	100A（TC）	10V	49mohm @ 50a，10v	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±30V	20000 PF @ 25 V	-	1890W（TC）
IXTY90N055T2-TRL	1.7155	RFQ	5734	ixys	TRENCHT2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty90		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty90n055t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		55 v	90A（TC）	10V	8.4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTH16P20	-	RFQ	1569年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	16A（TC）	10V	160MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	95 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH18N65X3	5.4460	RFQ	1038	ixys	-	管子	积极的				IXFH18						-				238-ixfh18n65x3			30
IXFK72N20	-	RFQ	6530	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK72		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	72A（TC）	10V	35mohm @ 36a，10v	4V @ 4mA	280 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXBT6N170	2000年11月11日	RFQ	6519	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT6	标准		75 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.08 µs	-	1700 v	12 a	36 a	3.4V @ 15V，6A	-	17 NC	-
IXTT240N15X4HV	23.2300	RFQ	3949	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT240		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	240a（TC）	10V	4.4mohm @ 120A，10V	4.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	940W（TC）
IXFA90N20X3-TRL	6.6640	RFQ	8592	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA90		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXSH40N60B2D1	-	RFQ	5358	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXSH40	标准				TO-247AD	-		不适用	到达不受影响	IXSH40N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			-												pt	600 v	48 a		-	-		-
IXGQ96N30TBD1	-	RFQ	6086	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ96	标准				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												沟	320 v	96 a		-	-		-
IXGH32N120A3	10.8600	RFQ	2	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												pt	1200 v	75 a	230 a	2.35V @ 15V，32a	-	89 NC	-
ixtp62n15p	4.9700	RFQ	37	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp62		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	62A（TC）	10V	40mohm @ 31a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	350W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²