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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MUBW75-06A8	-	RFQ	7843	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw			320 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														npt	600 v	100 a		2.5V @ 15V，75a				1.4 MA	是的	4.2 NF @ 25 V
IXFR20N80P	10.0360	RFQ	3566	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixfr20		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	11A（TC）	10V	500mohm @ 10a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	±30V	4680 pf @ 25 V	-	166W（TC）
IXTT1N300P3HV	40.5800	RFQ	1365	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt1		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-ixtt1N300P3HV	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		3000 v	1A（TC）	10V	50ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	30.6 NC @ 10 V	±20V	895 pf @ 25 V	-	（195W）（TC）
IXGJ40N60C2D1	-	RFQ	7521	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXGJ40	标准		300 w		TO-268	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，30a	（200µJ）	95 NC	18NS/90NS
IXGH45N120	-	RFQ	8049	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH45	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，45A，5OHM，15V												-	1200 v	75 a	180 a	2.5V @ 15V，45a	（14mj））	170 NC	55NS/370NS
IXTN600N04T2	38.1700	RFQ	488	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn600		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		40 V	600A（TC）	10V	1.05MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	590 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	940W（TC）
IXTH220N055T	-	RFQ	7110	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH220		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	220A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXFX80N15Q	-	RFQ	9369	ixys	-	管子	过时的				IXFX80						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXFH6N120P	12.0200	RFQ	5939	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	6A（TC）	10V	2.4ohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	2830 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXTQ82N25P	9.4100	RFQ	36	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq82		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	82A（TC）	10V	35mohm @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixta14n60p	4.9300	RFQ	250	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta14		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFX44N50Q	-	RFQ	5686	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX44		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 22a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixtp8n50p	-	RFQ	6495	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	8A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 100µA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTH16P60P	11.6500	RFQ	1153	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		600 v	16A（TC）	10V	720MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH14N60P3	-	RFQ	5693	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh14n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	14A（TC）	10V	540MOHM @ 7A，10V	5V @ 1mA	25 NC @ 10 V	±30V	1480 pf @ 25 V	-	327W（TC）
ixta130n10t-trl	3.3089	RFQ	3335	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta130		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTT11P50	12.3800	RFQ	2546	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt11		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	11A（TC）	10V	750MOHM @ 5.5A，10V	5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGF20N250	60.0072	RFQ	8181	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXGF20	标准		100 W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-	2500 v	23 a	105 a	3.1V @ 15V，20A	-	53 NC	-
IXTC75N10	-	RFQ	1865年	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc75		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	72A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFH160N15T	-	RFQ	5025	ixys	TrechHV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	160a（TC）	10V	9.6mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	160 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXTP80N12T2	2.9800	RFQ	5715	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp80		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixtp80n12t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	80A（TC）	10V	17mohm @ 40a，10v	4.5V @ 100µA	80 NC @ 10 V	±20V	4740 pf @ 25 V	-	325W（TC）
IXKC15N60C5	-	RFQ	4528	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC15		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 900µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXTP270N04T4	4.4300	RFQ	24	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP270		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	270a（TC）	10V	2.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±15V	9140 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXFH66N20Q	-	RFQ	1427	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH66		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	66A（TC）	10V	40mohm @ 33a，10v	4V @ 4mA	105 NC @ 10 V	±30V	3700 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXSH15N120BD1	-	RFQ	9907	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH15	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，15a，10ohm，15V											30 ns	pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
MCB60I1200TZ	-	RFQ	9220	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	MCB60I1200		sicfet （碳化硅）			TO-268AA（D3PAK-HV）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q10970246	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	90A（TC）	20V	34mohm @ 50a，20v	4V @ 15mA	160 NC @ 20 V	+20V，-5V	2790 pf @ 1000 V	-	-
ixta44p15t	6.5100	RFQ	4	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta44		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	629516	Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	44A（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	298W（TC）
ixft6n100f	-	RFQ	3096	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft6		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	5.5V @ 2.5mA	54 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFH120N30x3	17.3300	RFQ	8019	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	120A（TC）	10V	11mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	1376 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXFR24N100Q3	32.9000	RFQ	150	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	18A（TC）	10V	490MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	500W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²