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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTP200N085T	-	RFQ	8114	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp200		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	200a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTP160N085T	-	RFQ	3329	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP160		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	164 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	360W（TC）
ixtp50n20p	5.2300	RFQ	300	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP50		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	50A（TC）	10V	60mohm @ 50a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2720 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTP120P065T	6.3300	RFQ	6	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP120		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		65 v	120A（TC）	10V	10mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	13200 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXTH160N075T	-	RFQ	4528	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	160a（TC）	10V	6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	4950 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXGH24N60BU1	-	RFQ	4949	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，24a，10ohm，15V											50 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.3V @ 15V，24a	600µJ（在）上，800µJ（800µJ）	90 nc	25NS/150NS
IXFP28N60x3	5.7504	RFQ	5867	ixys	-	管子	积极的				IXFP28						-				238-ixfp28n60x3			50
IXGK100N170	43.5100	RFQ	665	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜150°C	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK100	标准		830 w		加上264™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q4669629	Ear99	8541.29.0095	25			850V，100A，1OHM，15V												-	1700 v	170 a	600 a	3V @ 15V，100a	-	425 NC	35NS/285NS
MIAA20WD600TMH	-	RFQ	4381	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MIAA20W			100 W	单相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三相逆变器														npt	600 v	29 a		2.7V @ 15V，20A				1.1 MA	是的	900 pf @ 25 V
ixta1n200p3hv	9.7900	RFQ	9169	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		2000 v	1A（TC）	10V	40ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	646 pf @ 25 V	-	125W（TC）
IXA60IF1200NA	32.1800	RFQ	5186	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克	IXA60IF1200			290 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	1200 v	88 a		2.1V @ 15V，50a				100 µA	不
IXBX75N170A	61.1397	RFQ	6407	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBX75	标准		1040 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1360v，42a，1ohm，15v											360 ns	-	1700 v	110 a	300 a	6V @ 15V，42a	3.8MJ（（）	358 NC	26NS/418NS
MCB60P1200TLB-TRR	-	RFQ	6082	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	MCB60P1200		（SIC）	-		9-SMPD-B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCB60P1200TLB-TRRTR	Ear99	8541.29.0095	200	4（n n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
IXTP1N80	-	RFQ	6266	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp1		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	750mA（TC）	10V	11ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 25µA	8.5 NC @ 10 V	±20V	220 pf @ 25 V	-	40W（TC）
ixta2n100p	2.6031	RFQ	5899	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta2		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	2A（TC）	10V	7.5OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 100µA	24.3 NC @ 10 V	±20V	655 pf @ 25 V	-	86W（TC）
IXTH250N075T	-	RFQ	2973	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH250		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	250A（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
MIXA80W1200TEH	117.0020	RFQ	8969	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa80			390 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														pt	1200 v	120 a		2.2V @ 15V，77a				200 µA	是的
IXTV250N075T	-	RFQ	4568	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXTV250		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	250A（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXFN210N303	48.2700	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN210		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn210n303	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		300 v	192a（TC）	10V	14.5MOHM @ 105A，10V	5V @ 8mA	268 NC @ 10 V	±20V	16200 PF @ 25 V	-	1500W（TC）
VID75-12P1	-	RFQ	8509	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vid			379 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	92 a		3.2V @ 15V，75a				3.7 MA	是的	3.3 NF @ 25 V
ixtq18n60p	5.3467	RFQ	4061	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ18		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	18A（TC）	10V	420MOHM @ 9A，10V	5.5V @ 250µA	49 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTY1R6N50P	-	RFQ	6764	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		500 v	1.6A（TC）	10V	6.5OHM @ 500mA，10V	5.5V @ 25µA	3.9 NC @ 10 V	±30V	140 pf @ 25 V	-	43W（TC）
Ixfp38n30x3m	6.2100	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixfp38		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	38A（TC）	-	-	-	35 NC @ 10 V	±20V	2440 pf @ 25 V	-	34W（TC）
IXFK32N50Q	-	RFQ	8357	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	32A（TC）	10V	160mohm @ 16a，10v	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 25 V	-	416W（TC）
IXTH13N110	-	RFQ	3761	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth13		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		不适用		IXTH13N110-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1100 v	13A（TC）	10V	920MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	5650 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFH20N503	6.3000	RFQ	243	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH20		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh20n503	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	20A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	380W（TC）
IXTN110N20L2	52.3300	RFQ	123	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN110		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	100A（TC）	10V	24mohm @ 55a，10v	4.5V @ 3mA	500 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	735W（TC）
ixtk140n30p	23.6300	RFQ	17	ixys	极性	大部分	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK140		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	140a（TC）	10V	24mohm @ 70a，10v	5V @ 500µA	185 NC @ 10 V	±20V	14800 PF @ 25 V	-	-
IXFH11N80	-	RFQ	1278	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH11		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFH11N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	11A（TC）	10V	950MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFC16N50P	-	RFQ	6171	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC16N50		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	10A（TC）	10V	450MOHM @ 8A，10V	5.5V @ 2.5mA	43 NC @ 10 V	±30V	2250 pf @ 25 V	-	125W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²