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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXYX50N170C	29.4300	RFQ	1	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX50	标准		1500 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，50a，1ohm，15V											44 ns	-	1700 v	178 a	460 a	3.7V @ 15V，50a	8.7mj（在）上，5.6mj（5.6MJ）	260 NC	20N/180NS
FMM22-06PF	22.9360	RFQ	6235	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM22		MOSFET （金属 o化物）	130W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			600V	12a		350MOHM @ 11A，10V	5V @ 1mA	58nc @ 10V		3600pf @ 25V	-
ixtk170n10p	10.6724	RFQ	9751	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXTK170		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	170a（TC）	10V	9mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	198 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	715W（TC）
IXTM50N20	-	RFQ	8151	ixys	Gigamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXTM50		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		200 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFX120N30T	13.2463	RFQ	9460	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX120		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx120n30t	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	120A（TC）	10V	24mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	265 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFK73N30Q	-	RFQ	4349	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK73		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	73A（TC）	10V	45mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	195 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGT32N170-TRL	24.4600	RFQ	775	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT32	标准		350 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	400			1020v，32a，2.7Ohm，15V												npt	1700 v	75 a	200 a	3.3V @ 15V，32a	（11mj）（）	155 NC	45NS/270NS
IXTA08N100P	2.3918	RFQ	1212	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta08		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	800mA（TC）	10V	20ohm @ 500mA，10v	4V @ 50µA	11.3 NC @ 10 V	±20V	240 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXTA270N04T4	4.0802	RFQ	8868	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta270		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	270a（TC）	10V	2.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	182 NC @ 10 V	±15V	9140 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXKG25N80C	-	RFQ	7499	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixkg25		MOSFET （金属 o化物）			ISO264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	25A（TC）	10V	150MOHM @ 9A，10V	4V @ 2mA	166 NC @ 10 V	±20V		-	250W（TC）
IXGH60N60C3	-	RFQ	3212	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH60	标准		380 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	360 a	2.5V @ 15V，40a	（800µJ）（在450µJ上）	115 NC	21NS/70NS
IXFA90N20X3-TRL	6.6640	RFQ	8592	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA90		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXER60N120	-	RFQ	6189	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixer60	标准		375 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，60a，22ohm，15V												npt	1200 v	95 a		2.7V @ 15V，60a	7.2mj（在）上，4.8MJ off）	350 NC	-
IXTT4N150HV	39.8300	RFQ	20	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt4		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-ixtt4n150hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	4A（TC）	10V	6ohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±30V	1576 PF @ 25 V	-	280W（TC）
ixta34n65x2-trl	4.6042	RFQ	9607	ixys	Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta34		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta34n65x2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	34A（TC）	10V	96mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXFN24N100	44.6220	RFQ	8042	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN24		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN24N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	24A（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	±20V	8700 PF @ 25 V	-	568W（TC）
IXGH48N60B3D1	10.1700	RFQ	6633	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH48	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，30a，5ohm，15V											100 ns	pt	600 v		280 a	1.8V @ 15V，32a	（840µJ）（在660µJ上）	115 NC	22NS/130NS
IXFR48N60P	20.3500	RFQ	208	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR48		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	32A（TC）	10V	150MOHM @ 24A，10V	5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8860 pf @ 25 V	-	300W（TC）
GMM3X160-0055X2-SMDSAM	-	RFQ	2426	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼	GMM3x160		MOSFET （金属 o化物）	-		24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			55V	150a		-	4V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
IXGN80N60A2D1	-	RFQ	6392	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn80			625 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	600 v	160 a		1.35V @ 15V，80a				650 µA	不
IXFX180N25T	19.9600	RFQ	650	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX180		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	180a（TC）	10V	12.9mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1390W（TC）
IXTT240N15X4HV	23.2300	RFQ	3949	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT240		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	240a（TC）	10V	4.4mohm @ 120A，10V	4.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	940W（TC）
IXGH20N120B	-	RFQ	7440	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			960V，20a，10ohm，15V												pt	1200 v	40 a	80 a	3.4V @ 15V，20A	2.1MJ（（）	72 NC	25NS/150NS
IXBT20N300HV	32.6163	RFQ	4862	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT20	标准		250 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	Q7867913	Ear99	8541.29.0095	30			-											1.35 µs	-	3000 v	50 a	140 a	3.2V @ 15V，20A	-	105 NC	-
ixtp62n15p	4.9700	RFQ	37	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp62		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	62A（TC）	10V	40mohm @ 31a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IXTH22N50P	6.7500	RFQ	5210	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth22		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth22n50p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）
IXFH14N100Q2	15.3847	RFQ	9339	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	608166	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	14A（TC）	10V	950MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 4mA	83 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixta44n30t	-	RFQ	8427	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta44		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	44A（TC）		-	-				-	-
IXTK46N50L	47.1500	RFQ	150	ixys	线性	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk46		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	46A（TC）	20V	160MOHM @ 500mA，20V	6V @ 250µA	260 NC @ 15 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXFV18N60PS	-	RFQ	2894	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV18		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	18A（TC）	10V	400mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	50 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	360W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²