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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXSK50N60AU1	-	RFQ	3941	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXSK50	标准		300 w		TO-264AA（IXSK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			480V，50a，2.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	6MJ（（）	190 NC	70NS/200NS
IXFN130N90SK	143.6650	RFQ	4172	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN130		MOSFET （金属 o化物）	-		SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfn130n90sk	Ear99	8541.29.0095	10	2 n 通道（双）			900V	-		-	-	-		-	-
IXFH24N90P	16.0200	RFQ	196	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH24		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	24A（TC）	10V	420MOHM @ 12A，10V	6.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	660W（TC）
IXTP48P05T	4.2700	RFQ	31	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp48		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		50 V	48A（TC）	10V	30mohm @ 24a，10v	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±15V	3660 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTT220N20X4HV	19.2800	RFQ	103	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT220		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixtt220n20x4hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	220A（TC）	10V	5.5MOHM @ 110A，10V	4.5V @ 250µA	157 NC @ 10 V	±20V	12300 PF @ 25 V	-	800W（TC）
IXGH20N120BD1	-	RFQ	2507	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v	40 a		3.4V @ 15V，20A	2.1MJ（（）	72 NC	25NS/150NS
IXFH18N65X3	5.4460	RFQ	1038	ixys	-	管子	积极的				IXFH18						-				238-ixfh18n65x3			30
IXFC30N60P	-	RFQ	5918	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC30N60		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	15A（TC）	10V	250mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	±30V	3820 pf @ 25 V	-	166W（TC）
IXFN150N10	32.0755	RFQ	8383	ixys	Hiperfet™	大部分	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN150		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	Rohs不合规	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		100 v	150a（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFK72N20	-	RFQ	6530	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK72		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	72A（TC）	10V	35mohm @ 36a，10v	4V @ 4mA	280 NC @ 10 V	±20V	5900 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXBT6N170	2000年11月11日	RFQ	6519	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT6	标准		75 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											1.08 µs	-	1700 v	12 a	36 a	3.4V @ 15V，6A	-	17 NC	-
ixtk21n100	-	RFQ	6832	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk21		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	21a（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 500µA	250 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	500W（TC）
VBH40-05B	-	RFQ	5192	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v2-pak	VBH40		MOSFET （金属 o化物）	-		v2-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	4（n n 通道（半桥）			500V	40a		116mohm @ 30a，10v	4V @ 8mA	270NC @ 10V		-	-
IXYX100N120B3	26.1300	RFQ	2	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixyx100	标准		1150 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixyx100N120B3	Ear99	8541.29.0095	30			600V，100A，1OHM，15V												pt	1200 v	225 a	530 a	2.6V @ 15V，100a	（7.7mj）（在），7.1MJ（7.1MJ）中	250 NC	30ns/153ns
IXGK120N60B3	-	RFQ	4398	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK120	标准		780 w		TO-264（ixgk）	-				238-ixgk120n60b3	Ear99	8541.29.0095	25			480V，100a，2ohm，15V											87 ns	pt	600 v	280 a	600 a	1.8V @ 15V，100a	2.9MJ（在）上，3.5MJ off）	465 NC	40NS/227NS
IXFN39N90	50.9820	RFQ	7425	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN39		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		900 v	39A（TC）	10V	220MOHM @ 500mA，10V	5V @ 8mA	390 NC @ 10 V	±20V	9200 PF @ 25 V	-	694W（TC）
IXST30N60BD1	-	RFQ	1419	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST30	标准		200 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，30a，4.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	110 a	2.7V @ 15V，55a	1.5mj（（）	100 NC	30NS/150NS
IXTP182N055T	-	RFQ	8383	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP182		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	182a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	4850 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTA90N055T2	2.5796	RFQ	7723	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta90		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	90A（TC）	10V	8.4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	2770 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFA10N80P-TRL	2.9328	RFQ	1823年	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA10		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa10n80p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		800 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	5.5V @ 2.5mA	40 NC @ 10 V	±30V	2050 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTV30N50P	-	RFQ	8410	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv30		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTP28P065T	3.7600	RFQ	330	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp28		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		65 v	28a（TC）	10V	45mohm @ 14a，10v	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±15V	2030 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXFQ20N503	5.6300	RFQ	297	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ20		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixFQ20N503	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	20A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	380W（TC）
IXSN50N60BD3	-	RFQ	3375	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXSN50			250 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	600 v	75 a		2.5V @ 15V，50a				350 µA	不	3.85 NF @ 25 V
IXTT110N10L2	21.5000	RFQ	1	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT110		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt110n10l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	110A（TC）	10V	18mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	260 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXGK300N60B3	-	RFQ	3520	ixys	-	管子	积极的				IXGK300						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25
VDI50-06P1	-	RFQ	1122	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	42.5 a		2.9V @ 15V，50a				600 µA	是的	16 NF @ 25 V
ixtv26n60ps	-	RFQ	6260	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv26		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTY26P10T-TRL	2.0793	RFQ	7780	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty26		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty26p10t-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		P通道		100 v	26a（TC）	10V	90MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±15V	3820 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixta44p15t-trl	6.5100	RFQ	25	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta44		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		150 v	44A（TC）	10V	65mohm @ 22a，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	298W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²