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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXFR80N60P3	18.1630	RFQ	9775	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfr80n60p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	48A（TC）	10V	76mohm @ 40a，10v	5V @ 8mA	190 NC @ 10 V	±30V	13100 PF @ 25 V	-	540W（TC）
ixtu02n50d	1.9800	RFQ	385	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu02		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		500 v	200ma（tc）	10V	30ohm @ 50mA，0v	5V @ 25µA		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.1W（TA），25W（25W）TC）
IXTH20N50D	-	RFQ	3018	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth20		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 10a，10v	-	125 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	耗尽模式	400W（TC）
IXFT140N20X3HV	14.7700	RFQ	17	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT140		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	140a（TC）	10V	9.6mohm @ 70a，10v	4.5V @ 4mA	127 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	520W（TC）
MIXA10W1200TMH	-	RFQ	2604	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	Mixa10w			65 w	标准	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三相逆变器														pt	1200 v	17 a		2.1V @ 15V，9A				150 µA	是的
ixta76n25t	6.4600	RFQ	1	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	76A（TC）	10V	39mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	4500 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTP2N100	3.9808	RFQ	2491	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp2		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	2A（TC）	10V	7ohm @ 1a，10v	4.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	825 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXFH21N50F	-	RFQ	7395	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH21		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	5.5V @ 4mA	77 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixta72n20t	-	RFQ	2524	ixys	沟	管子	在sic中停产	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta72		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXTT40N50L2	21.5000	RFQ	8	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT40		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	40a（TC）	10V	170mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXSP10N60B2D1	-	RFQ	2841	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXSP10	标准		100 W		TO-220-3	下载		不适用	到达不受影响	IXSP10N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	50			480V，10a，30ohm，15V											25 ns	pt	600 v	20 a	30 a	2.5V @ 15V，10a	（430µJ））	17 NC	30NS/180NS
IXTM5N100	-	RFQ	7228	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AA，TO-3	ixtm5		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AA（IXTM）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2.4OHM @ 2.5a，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXGK82N120A3	27.8408	RFQ	3376	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK82	标准		1250 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			600V，80a，2ohm，15V												pt	1200 v	260 a	580 a	2.05V @ 15V，82a	5.5mj（在）中，12.5MJ off）	340 NC	34NS/265NS
IXFJ32N50	-	RFQ	7476	ixys	-	管子	过时的				IXFJ32						-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30					-
IXTP05N100P	-	RFQ	4957	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp05		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	500mA（TC）	10V	30ohm @ 250mA，10v	4V @ 50µA	8.1 NC @ 10 V	±20V	196 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXTY1N80P-TRL	1.3298	RFQ	7098	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty1n80p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		800 v	1A（TC）	10V	14ohm @ 500mA，10v	4V @ 50µA	9 NC @ 10 V	±30V	250 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXGR60N60C2D1	-	RFQ	3227	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR60	标准		250 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，2ohm，15V											35 ns	pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，50a	490µJ（OFF）	140 NC	18NS/95NS
IXGR40N120A2D1	-	RFQ	1024	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准				ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v			-	-		-
IXTK110N30	-	RFQ	5645	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk110		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	110A（TC）	10V	26mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	390 NC @ 10 V	±20V	7800 PF @ 25 V	-	730W（TC）
IXTP14N60PM	3.7640	RFQ	4510	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp14		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	7A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	75W（TC）
IXYH50N170C	12.9633	RFQ	8561	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		1500 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，50a，1ohm，15V											44 ns	-	1700 v	178 a	460 a	3.7V @ 15V，50a	8.7mj（在）上，5.6mj（5.6MJ）	260 NC	20N/180NS
IXFR20N80Q	-	RFQ	8414	ixys	-	管子	过时的				ixfr20						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXFK32N80Q3	28.9700	RFQ	446	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk32n80q3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	32A（TC）	10V	270mohm @ 16a，10v	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	6940 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
IXTT30N60P	-	RFQ	4846	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±30V	5050 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXGH20N60BU1	-	RFQ	5641	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXGH20	标准		150 w		TO-247AD	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	600 v	40 a		2V @ 15V，20A	-		-
IXTQ100N25P	12.0200	RFQ	49	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq100		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	100A（TC）	10V	24mohm @ 50a，10v	5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFT400N075T2	15.4733	RFQ	4068	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT400		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	400A（TC）	10V	2.3MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	420 NC @ 10 V	±20V	24000 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
IXFH6N90	-	RFQ	7660	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响	IXFH6N90-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	6A（TC）	10V	2ohm @ 3a，10v	4.5V @ 2.5mA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH60N65X2-4	13.1300	RFQ	213	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IXFH60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	60a（TC）	10V	52MOHM @ 30a，10V	5V @ 4mA	108 NC @ 10 V	±30V	6300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXGH40N60C	-	RFQ	2764	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，4.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	150 a	2.5V @ 15V，40a	850µJ（离）	116 NC	25n/100n

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²