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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGH48N60C3C1	-	RFQ	9427	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH48	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	（330µJ）（在230µJ上）	77 NC	19NS/60NS
VIO125-12P1	-	RFQ	2914	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vio			568 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	138 a		3.4V @ 15V，125a				5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
IXFN24N90Q	-	RFQ	6887	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN24		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		900 v	24A（TC）		-	-				-	500W（TC）
ixta5n60p	-	RFQ	4148	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta5		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 2.5A，10V	5.5V @ 50µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXBF50N360	110.4140	RFQ	8557	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXBF50	标准		290 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，50a，5ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	70 a	420 a	2.9V @ 15V，50a	-	210 NC	46NS/205NS
IXTH20N60	-	RFQ	2535	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth20		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	20A（TC）	10V	350MOHM @ 10A，10V	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTD2N60P-1J	-	RFQ	9532	ixys	Polarhv™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	ixtd2n		MOSFET （金属 o化物）			死	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		600 v	2A（TC）	10V	5.1OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	240 pf @ 25 V	-	56W（TC）
IXFH80N08	-	RFQ	8934	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		80 V	80A（TC）	10V	9mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK35N50	-	RFQ	9959	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK35		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	35A（TC）	10V	150MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 4mA	227 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
IXYH16N170CV1	14.2600	RFQ	30	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh16	标准		310 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，16a，10ohm，15V											150 ns	-	1700 v	40 a	100 a	3.8V @ 15V，16a	2.1mj（在）上，1.5mj off）	56 NC	11NS/140NS
IXKR40N60C	26.4200	RFQ	30	ixys	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKR40		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixkr40n60c	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	38A（TC）	10V	70mohm @ 25a，10v	3.9V @ 3mA	250 NC @ 10 V	±20V		-	-
IXTH102N20T	-	RFQ	4514	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH102		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	102A（TC）	10V	23mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	750W（TC）
IXTM9226	-	RFQ	4913	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtm92		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-			-	-	-	-		-		-	-
IXGT30N60B2	-	RFQ	8254	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT30	标准		190 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V												pt	600 v	70 a	150 a	1.8V @ 15V，24a	320µJ（离）	66 NC	13NS/110NS
IXTH160N15T	10.0150	RFQ	9842	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	160a（TC）	10V	9.6mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	160 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
ixtp32p20t	9.0100	RFQ	8111	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp32		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		200 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	14500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT24N50Q	-	RFQ	8119	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTR200N10P	16.3410	RFQ	7117	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTR200		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	120A（TC）	10V	8mohm @ 60a，10v	5V @ 500µA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFB150N65X2	35.6000	RFQ	6241	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB150		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		650 v	150a（TC）	10V	17mohm @ 75a，10v	5.5V @ 8mA	430 NC @ 10 V	±30V	20400 PF @ 25 V	-	1560W（TC）
IXFR32N80Q3	36.4500	RFQ	57	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR32		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfr32n80q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	24A（TC）	10V	300mohm @ 16a，10v	6.5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	6940 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXTH6N50D2	9.3800	RFQ	15	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	6A（TC）	-	500mohm @ 3a，0v	-	96 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IXFP5N100P	5.5900	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP5N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp5n100p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 500mA，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFI7N80P	-	RFQ	6019	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ixfi7		MOSFET （金属 o化物）			TO-262（I2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1890 pf @ 25 V	-	200W（TC）
MKI75-06A7T	-	RFQ	6558	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MKI75			280 w	标准	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	完整的桥梁逆变器														npt	600 v	90 a		2.6V @ 15V，75a				1.3 ma	是的	3.2 NF @ 25 V
IXTT2N300P3HV	52.2600	RFQ	23	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C〜155°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt2		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-ixtt2n300p3hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		3000 v	2A（TC）	10V	21ohm @ 1A，10V	5V @ 250µA	73 NC @ 10 V	±20V	1890 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXFT30N50P	12.6006	RFQ	9164	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXT36N20T	-	RFQ	8938	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	36a（TC）		-	-				-	-
IXYA20N120A4HV	11.3500	RFQ	6311	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixya20	标准		375 w		TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixya20N120A4HV	Ear99	8541.29.0095	50			800mv，20a，10ohm，15V											54 ns	pt	1200 v	80 a	135 a	1.9V @ 15V，20A	3.6mj（在）上，2.75mj off）	46 NC	12NS/275NS
ixtx3n250l	67.7467	RFQ	7322	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx3		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtx3n250l	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		2500 v	3A（TC）	10V	10ohm @ 1.5A，10V	5V @ 1mA	230 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	417W（TC）
IXFP22N60P3	5.6300	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP22		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²