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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXEL40N400	134.1500	RFQ	167	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixel40	标准		380 w		isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q6074758	Ear99	8541.29.0095	25			2800V，40a，33ohm，15V												-	4000 v	90 a	400 a	3.2V @ 15V，40a	（55MJ）（165MJ）（OFF）	275 NC	160NS/630NS
IXSH24N60BD1	-	RFQ	5674	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH24	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，24a，33ohm，15V											25 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	1.3MJ（（）	41 NC	50NS/150NS
MUBW10-12A7	85.4700	RFQ	7146	ixys	-	大部分	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw10			105 w	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														npt	1200 v	20 a		2.7V @ 15V，10a				600 µA	是的	600 pf @ 25 V
IXFX140N25T	13.2463	RFQ	7555	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX140		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	140a（TC）	10V	17mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	255 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXGR60N60C2	-	RFQ	8328	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR60	标准		250 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，2ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，50a	490µJ（OFF）	140 NC	18NS/95NS
IXFK64N50Q3	28.9700	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK64		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk64n50q3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	64A（TC）	10V	85mohm @ 32a，10v	6.5V @ 4mA	145 NC @ 10 V	±30V	6950 pf @ 25 V	-	1000W（TC）
IXFK120N20	-	RFQ	3431	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK120		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFK120N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	120A（TC）	10V	17mohm @ 60a，10v	4V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXKP35N60C5	-	RFQ	9487	ixys	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixkp35		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	35A（TC）	10V	100mohm @ 18a，10v	3.9V @ 1.2mA	70 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	-
IXGP16N60B2	-	RFQ	6315	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP16	标准		150 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V												pt	600 v	40 a	100 a	1.95V @ 15V，12A	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	24 NC	18NS/73NS
IXFN100N10S3	-	RFQ	7704	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN100		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	100A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
ixta1r6n100d2-trl	2.0243	RFQ	4868	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1r6n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	1.6A（TJ）	0V	10ohm @ 800mA，0v	4.5V @ 100µA	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXTP20N65X2	5.0500	RFQ	279	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixtp20n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	185mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IXGQ90N27PB	-	RFQ	9153	ixys	Polar™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ90	标准		150 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	270 v	90 a		2.1V @ 15V，50a	-	79 NC	-
IXFK90N20Q	15.3652	RFQ	9792	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK90		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFK90N20Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	90A（TC）	10V	22mohm @ 45a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
FII24N170AH1	-	RFQ	2751	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-4，隔离	FII24N17			140 w	标准	ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥														npt	1700 v	18 a		6V @ 15V，16a				100 µA	不	2.4 nf @ 25 V
IXTH10N100D2	17.5600	RFQ	8270	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.5OHM @ 5A，10V	-	200 NC @ 5 V	±20V	5320 PF @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
ixtq28n15p	-	RFQ	6432	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq28		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道			-		-	-				-	-
IXFK150N30X3	20.7100	RFQ	96	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK150		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	150a（TC）	10V	8.3MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 4mA	177 NC @ 10 V	±20V	13100 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXGT60N60B2	-	RFQ	5667	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT60	标准		500 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，3.3Ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	1.8V @ 15V，50a	1MJ （关闭）	170 NC	28NS/160NS
ixta80n10t	3.8500	RFQ	6	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXFH6N100	14.5687	RFQ	5930	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH6N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	6A（TC）	10V	2ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 2.5mA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFT30N50Q3	15.3200	RFQ	8724	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft30n50q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	6.5V @ 4mA	62 NC @ 10 V	±20V	3200 PF @ 25 V	-	690W（TC）
IXYH40N120C4	15.9115	RFQ	8092	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3		标准		680 w		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyH40N120C4	Ear99	8541.29.0095	30			960V，32A，5OHM，15V											55 ns	-	1200 v	120 a	230 a	2.5V @ 15V，32a	5.55MJ（在）上，1.55mj（1.55MJ）	92 NC	21NS/140NS
IXFK300N20X3	34.4000	RFQ	7596	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK300		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	300A（TC）	10V	4mohm @ 150a，10v	4.5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXXH50N60C3D1	13.4100	RFQ	1809年	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准		600 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	625659	Ear99	8541.29.0095	30			360V，36a，5ohm，15V											25 ns	pt	600 v	100 a	200 a	2.3V @ 15V，36a	（720µJ）（在330µJ上）	64 NC	24ns/62ns
IXTV230N085T	-	RFQ	3544	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXTV230		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	230a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXGK400N30A3	26.0400	RFQ	21	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK400	标准		1000 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												pt	300 v	400 a	1200 a	1.15V @ 15V，100a	-	560 NC	-
IXFB70N100X	53.8200	RFQ	62	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB70		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	70A（TC）	10V	89mohm @ 35a，10v	6V @ 8mA	350 NC @ 10 V	±30V	9160 pf @ 25 V	-	1785W（TC）
IXGA20N120B3	4.7479	RFQ	6215	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga20	标准		180 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			600V，16A，15OHM，15V												pt	1200 v	36 a	80 a	3.1V @ 15V，16a	（920µJ）（在），560µJ（OFF）上）	51 NC	16NS/150NS
IXGN100N170	61.0300	RFQ	1983	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn100			735 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														npt	1700 v	160 a		3V @ 15V，100a				50 µA	不	9.22 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²