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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXFP72N20X3M IXYS IXFP72N20X3M 8.6700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IXFP72 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 72A（TC） 10V 20mohm @ 36a，10v 4.5V @ 1.5mA 55 NC @ 10 V ±20V 3780 pf @ 25 V - 36W（TC）
IXFQ10N80P IXYS IXFQ10N80P -
RFQ
 ECAD 4610 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXFQ10 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 10A（TC） 10V 1.1OHM @ 5A，10V 5.5V @ 2.5mA 40 NC @ 10 V ±30V 2050 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFT80N65X2HV IXYS IXFT80N65X2HV 16.0900
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft80 MOSFET （金属 o化物） TO-268HV（IXFT） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 80A（TC） 10V 5V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±30V 8300 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFY26N30X3 IXYS IXFY26N30x3 4.6800
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 IXFY26 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 300 v 26a（TC） 10V 66mohm @ 13a，10v 4.5V @ 500µA 22 NC @ 10 V ±20V 1465 PF @ 25 V - 170W（TC）
IXBH40N160 IXYS IXBH40N160 -
RFQ
 ECAD 6715 0.00000000 ixys Bimosfet™ 大部分 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH40 标准 350 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXBH40N160-NDR Ear99 8541.29.0095 30 960v，20a，22ohm，15V - 1600 v 33 a 40 a 7.1V @ 15V，20A - 130 NC -
IXTA96P085T IXYS IXTA96P085T 6.5100
RFQ
 ECAD 9170 0.00000000 ixys Trechp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta96 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 P通道 85 v 96A（TC） 10V 13mohm @ 48a，10v 4V @ 250µA 180 NC @ 10 V ±15V 13100 PF @ 25 V - 298W（TC）
IXTH64N65X IXYS IXTH64N65X 13.1883
RFQ
 ECAD 2269 0.00000000 ixys Ultra X 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth64 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixth64n65x Ear99 8541.29.0095 30 n通道 650 v 64A（TC） 10V 51MOHM @ 32A，10V 5V @ 250µA 143 NC @ 10 V ±30V 5500 PF @ 25 V - 890W（TC）
IXFN160N30T IXYS IXFN160N30T 32.5200
RFQ
 ECAD 6166 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN160 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 300 v 130a（TC） 10V 19mohm @ 60a，10v 5V @ 8mA 335 NC @ 10 V ±20V 28000 PF @ 25 V - 900W（TC）
IXFX64N60Q3 IXYS IXFX64N60Q3 24.7800
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX64 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfx64n60q3 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 64A（TC） 10V 95mohm @ 32a，10v 6.5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±30V 9930 PF @ 25 V - 1250W（TC）
MIXA40WB1200TED IXYS MIXA40WB1200 82.8400
RFQ
 ECAD 4166 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 Mixa40 195 w 三相桥梁整流器 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 pt 1200 v 60 a 2.1V @ 15V，35a 2.1 MA 是的
IXTM11P50 IXYS ixtm11p50 -
RFQ
 ECAD 9328 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - - - ixtm11 - - - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 - - - - - - - -
IXFN180N07 IXYS IXFN180N07 -
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN180 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 70 v 180a（TC） 10V 7mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 480 NC @ 10 V ±20V 9000 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXFX32N50 IXYS IXFX32N50 -
RFQ
 ECAD 4285 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX32 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 32A（TC） 10V 150mohm @ 15a，10v 4V @ 4mA 300 NC @ 10 V ±20V 5450 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXTY1R6N100D2-TRL IXYS IXTY1R6N100D2-TRL 1.5387
RFQ
 ECAD 8128 0.00000000 ixys 消耗 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty1 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixty1r6n100d2-trltr Ear99 8541.29.0095 2,500 n通道 1000 v 1.6A（TJ） 0V 10ohm @ 800mA，0v 4.5V @ 100µA 27 NC @ 5 V ±20V 645 pf @ 25 V - 100W（TC）
IXTV130N15T IXYS IXTV130N15T -
RFQ
 ECAD 3697 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3，短选项卡 ixtv130 MOSFET （金属 o化物） 加220 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 130a（TC） - - - -
IXYK300N65A3 IXYS IXYK300N65A3 32.0792
RFQ
 ECAD 3973 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA 标准 2300 w 加上264™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-IXYK300N65A3 Ear99 8541.29.0095 25 400V，100A，1OHM，15V 125 ns pt 650 v 600 a 1460 a 1.6V @ 15V，100a 7.8MJ（在）上，4.7MJ off） 565 NC 42NS/190NS
IXGH40N60B IXYS IXGH40N60B -
RFQ
 ECAD 3457 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH40 标准 250 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，4.7Ohm，15V - 600 v 75 a 150 a 2.1V @ 15V，40a 2.7MJ（） 116 NC 25NS/180NS
IXTH3N100P IXYS IXTH3N100P 4.5697
RFQ
 ECAD 2088 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth3 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 3A（TC） 10V 4.8OHM @ 1.5A，10V 4.5V @ 250µA 39 NC @ 10 V ±20V 1100 PF @ 25 V - 125W（TC）
IXTT75N10 IXYS IXTT75N10 -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT75 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 75A（TC） 10V 20mohm @ 37.5a，10v 4V @ 4mA 260 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 300W（TC）
MIXA100PF1200TMH IXYS MIXA100PF1200TMH -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Minipack2 500 w 标准 Minipack2 - 3（168）） 511931 Ear99 8541.29.0095 3 半桥 - 1200 v 155 a 2.1V @ 15V，100a 300 µA 是的
IXYA20N65C3D1 IXYS IXYA20N65C3D1 4.9200
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixya20 标准 200 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，20A，20欧姆，15V 34 ns - 650 v 50 a 105 a 2.5V @ 15V，20A 430µJ（在）上，650µJ（650µJ） 30 NC 19NS/80NS
IXGN50N120C3H1 IXYS IXGN50N120C3H1 36.8830
RFQ
 ECAD 1830年 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn50 460 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 1200 v 95 a 4.2V @ 15V，40a 250 µA 不 4.3 NF @ 25 V
IXGP20N120BD1 IXYS IXGP20N120BD1 -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP20 标准 190 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V，20a，10ohm，15V 40 ns - 1200 v 40 a 100 a 3.4V @ 15V，20A 2.1MJ（（） 72 NC 25NS/150NS
IXBH42N170A IXYS IXBH42N170A 30.1600
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH42 标准 357 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，21a，1ohm，15V 330 ns - 1700 v 42 a 265 a 6V @ 15V，21a 3.43mj（在）上，430µJ off） 188 NC 19NS/200NS
IXTR40P50P IXYS IXTR40P50P 20.5440
RFQ
 ECAD 4692 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTR40 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 500 v 22a（TC） 10V 260mohm @ 20a，10v 4V @ 1mA 205 NC @ 10 V ±20V 11500 PF @ 25 V - 312W（TC）
IXTH30N50 IXYS IXTH30N50 -
RFQ
 ECAD 2527 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth30 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 170MOHM @ 500mA，10V 4V @ 250µA 227 NC @ 10 V ±20V 5680 pf @ 25 V - 360W（TC）
IXFC12N80P IXYS IXFC12N80P -
RFQ
 ECAD 7826 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarht™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC12N80 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 7A（TC） 10V 930mohm @ 6a，10v 5.5V @ 2.5mA 51 NC @ 10 V ±30V 2800 PF @ 25 V - 120W（TC）
IXGN82N120C3H1 IXYS IXGN82N120C3H1 47.9000
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn82 595 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 1200 v 130 a 3.9V @ 15V，82a 50 µA 不 7.9 NF @ 25 V
IXFX48N60P IXYS IXFX48N60P 13.6427
RFQ
 ECAD 3580 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX48 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 48A（TC） 10V 135mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 150 NC @ 10 V ±30V 8860 pf @ 25 V - 830W（TC）
IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4 9.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH80 标准 625 w TO-247AD（IXXH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，80a，3ohm，15V pt 650 v 160 a 430 a 2V @ 15V，80a 3.77MJ（在）上，1.2MJ off） 120 NC 38NS/120NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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