SIC
close

晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTP1R6N100D2 IXYS ixtp1r6n100d2 3.0900
RFQ
 ECAD 5774 0.00000000 ixys 消耗 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp1 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 1.6A（TC） 10V 10ohm @ 800mA，0v - 27 NC @ 5 V ±20V 645 pf @ 25 V 耗尽模式 100W（TC）
VWI20-06P1 IXYS VWI20-06P1 -
RFQ
 ECAD 9477 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vwi20 73 W 标准 Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 三相逆变器 npt 600 v 19 a 2.4V @ 15V，10a 600 µA 是的 600 pf @ 25 V
IXFM42N20 IXYS IXFM42N20 -
RFQ
 ECAD 5725 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AE IXFM42 MOSFET （金属 o化物） TO-204AE 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 200 v 42A（TC） 10V 60mohm @ 21a，10v 4V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXTA70N085T IXYS ixta70n085t -
RFQ
 ECAD 4212 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta70 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 85 v 70A（TC） 10V 13.5MOHM @ 25A，10V 4V @ 50µA 59 NC @ 10 V ±20V 2570 pf @ 25 V - 176W（TC）
IXYA20N65C3D1 IXYS IXYA20N65C3D1 4.9200
RFQ
 ECAD 295 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixya20 标准 200 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，20A，20欧姆，15V 34 ns - 650 v 50 a 105 a 2.5V @ 15V，20A 430µJ（在）上，650µJ（650µJ） 30 NC 19NS/80NS
IXGN82N120C3H1 IXYS IXGN82N120C3H1 47.9000
RFQ
 ECAD 4370 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn82 595 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 1200 v 130 a 3.9V @ 15V，82a 50 µA 不 7.9 NF @ 25 V
IXGN50N120C3H1 IXYS IXGN50N120C3H1 36.8830
RFQ
 ECAD 1830年 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn50 460 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 1200 v 95 a 4.2V @ 15V，40a 250 µA 不 4.3 NF @ 25 V
IXTT75N10 IXYS IXTT75N10 -
RFQ
 ECAD 2661 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT75 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 75A（TC） 10V 20mohm @ 37.5a，10v 4V @ 4mA 260 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXGP20N120BD1 IXYS IXGP20N120BD1 -
RFQ
 ECAD 8038 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP20 标准 190 w TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V，20a，10ohm，15V 40 ns - 1200 v 40 a 100 a 3.4V @ 15V，20A 2.1MJ（（） 72 NC 25NS/150NS
MIXA100PF1200TMH IXYS MIXA100PF1200TMH -
RFQ
 ECAD 3956 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Minipack2 500 w 标准 Minipack2 - 3（168）） 511931 Ear99 8541.29.0095 3 半桥 - 1200 v 155 a 2.1V @ 15V，100a 300 µA 是的
IXBH42N170A IXYS IXBH42N170A 30.1600
RFQ
 ECAD 3875 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXBH42 标准 357 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，21a，1ohm，15V 330 ns - 1700 v 42 a 265 a 6V @ 15V，21a 3.43mj（在）上，430µJ off） 188 NC 19NS/200NS
MIXA80WB1200TEH IXYS MIXA80WB1200TEH 123.4900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 Mixa80 390 w 三相桥梁整流器 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三期逆变器 pt 1200 v 120 a 2.2V @ 15V，77a 200 µA 是的
IXTX600N04T2 IXYS ixtx600N04T2 20.9960
RFQ
 ECAD 5255 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 ixtx600 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 40 V 600A（TC） 10V 1.5MOHM @ 100A，10V 3.5V @ 250µA 590 NC @ 10 V ±20V 40000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXGT15N120B IXYS IXGT15N120B -
RFQ
 ECAD 8674 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT15 标准 180 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，15a，10ohm，15V pt 1200 v 30 a 60 a 3.2V @ 15V，15a 1.75MJ（） 69 NC 25NS/180NS
IXXH80N65B4 IXYS IXXH80N65B4 9.2700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXXH80 标准 625 w TO-247AD（IXXH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，80a，3ohm，15V pt 650 v 160 a 430 a 2V @ 15V，80a 3.77MJ（在）上，1.2MJ off） 120 NC 38NS/120NS
IXTM5N100A IXYS IXTM5N100A -
RFQ
 ECAD 3758 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-204AA，TO-3 ixtm5 MOSFET （金属 o化物） TO-204AA（IXTM） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 1000 v 5A（TC） 10V 2ohm @ 2.5a，10v 4.5V @ 250µA 130 NC @ 10 V ±20V 2600 PF @ 25 V - 180W（TC）
IXFH15N80 IXYS IXFH15N80 -
RFQ
 ECAD 9106 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH15 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 IXFH15N80-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 15A（TC） 10V 600MOHM @ 7.5A，10V 4.5V @ 4mA 200 NC @ 10 V ±20V 4870 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXST30N60CD1 IXYS IXST30N60CD1 -
RFQ
 ECAD 6380 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXST30 标准 200 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，30a，4.7Ohm，15V 50 ns - 600 v 55 a 110 a 2.5V @ 15V，30a （700µJ）（离） 100 NC 30NS/90NS
FDM21-05QC IXYS FDM21-05QC -
RFQ
 ECAD 5484 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FDM21 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 24 n通道 500 v 21a（TC） 10V 220MOHM @ 15A，10V 4.5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V - -
IXGT64N60B3 IXYS IXGT64N60B3 -
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT64 标准 460 w TO-268 - 238-ixgt64n60b3 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，3ohm，15v 41 ns pt 600 v 64 a 400 a 1.8V @ 15V，50a 1.5mj（在）上，1MJ（1MJ） 168 NC 25NS/138NS
IXTQ60N30T IXYS IXTQ60N30T -
RFQ
 ECAD 3078 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ60 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 300 v 60a（TC） - - - -
IXFH24N50 IXYS IXFH24N50 -
RFQ
 ECAD 3880 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH24 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 IXFH24N50-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4V @ 4mA 160 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFR100N25 IXYS IXFR100N25 -
RFQ
 ECAD 2954 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR100 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 87A（TC） 10V 27mohm @ 50a，10v 4V @ 8mA 300 NC @ 10 V ±20V 9100 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFR20N100P IXYS IXFR20N100P -
RFQ
 ECAD 3544 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixfr20 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 11A（TC） 10V 640MOHM @ 10A，10V 6.5V @ 1mA 126 NC @ 10 V ±30V 7300 PF @ 25 V - 230W（TC）
MWI100-12A8 IXYS MWI100-12A8 -
RFQ
 ECAD 3334 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E3 MWI100 640 w 标准 E3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 5 三相逆变器 npt 1200 v 160 a 2.6V @ 15V，100a 6.3 MA 不 6.5 nf @ 25 V
IXFX25N90 IXYS IXFX25N90 -
RFQ
 ECAD 6503 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX25 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 25A（TC） 10V 330mohm @ 500mA，10v 5V @ 8mA 240 NC @ 10 V ±20V 10800 PF @ 25 V - 560W（TC）
IXTT110N10P IXYS IXTT110N10P 7.5317
RFQ
 ECAD 3254 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT110 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 110A（TC） 10V 15mohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 110 NC @ 10 V ±20V 3550 pf @ 25 V - 480W（TC）
IXFN82N60Q3 IXYS IXFN82N60Q3 60.1900
RFQ
 ECAD 5538 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN82 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 66A（TC） 10V 75MOHM @ 41A，10V 6.5V @ 8mA 275 NC @ 10 V ±30V 13500 PF @ 25 V - 960W（TC）
MMIX1F132N50P3 IXYS MMIX1F132N50P3 51.9700
RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polar3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 24-PowersMD，21个线索 MMIX1F132 MOSFET （金属 o化物） 24-smpd 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -mmix1f132n50p3 Ear99 8541.29.0095 20 n通道 500 v 63A（TC） 10V 43mohm @ 66a，10v 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±30V 18600 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXFT13N80Q IXYS IXFT13N80Q -
RFQ
 ECAD 6236 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft13 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 13A（TC） 10V 700mohm @ 6.5a，10v 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 3250 pf @ 25 V - 250W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

RFQ列表（0项）
购物车列表（0个项目）
Wishlist愿望清单（0个项目）
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

数量：1

比较列表（0项）
点击Enter进行搜索或ESC关闭