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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTP50N085T IXYS IXTP50N085T -
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP50 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 85 v 50A（TC） 10V 23mohm @ 25a，10v 4V @ 25µA 34 NC @ 10 V ±20V 1460 pf @ 25 V - 130W（TC）
IXTT30N60L2 IXYS IXTT30N60L2 21.5000
RFQ
 ECAD 1801年 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXTT30 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 600 v 30A（TC） 10V 240mohm @ 15a，10v 4.5V @ 250µA 335 NC @ 10 V ±20V 10700 PF @ 25 V - 540W（TC）
IXFP14N55X2M IXYS IXFP14N55X2M 5.4484
RFQ
 ECAD 9463 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X2 管子 积极的 - - - IXFP14 - - - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfp14n55x2m Ear99 8541.29.0095 50 - - - - - - - -
IXFA7N100P IXYS IXFA7N100P 6.4400
RFQ
 ECAD 6157 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXFA7N100 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA（IXFA） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfa7n100p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 7A（TC） 10V 1.9OHM @ 3.5A，10V 6V @ 1mA 47 NC @ 10 V ±30V 2590 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXYA20N120C4HV IXYS IXYA20N120C4HV 11.0300
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 ixys Genx4™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixya20 标准 375 w TO-263HV 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixya20N120C4HV Ear99 8541.29.0095 50 960mv，20a，10ohm，15V 53 ns pt 1200 v 68 a 120 a 2.5V @ 15V，20A 4.4MJ（在）上，1MJ（1MJ） 44 NC 14NS/160NS
IXBT2N250 IXYS IXBT2N250 21.8000
RFQ
 ECAD 866 0.00000000 ixys Bimosfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXBT2 标准 32 W TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 920 ns - 2500 v 5 a 13 a 3.5V @ 15V，2a - 10.6 NC -
IXFN27N120SK IXYS IXFN27N120SK 48.2220
RFQ
 ECAD 3998 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN27 MOSFET （金属 o化物） - SOT-227B - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixfn27n120sk Ear99 8541.29.0095 10 2 n 通道（双） 1200V（1.2kV） - - - - - -
IXFX55N50F IXYS IXFX55N50F -
RFQ
 ECAD 5137 0.00000000 ixys Hiperrf™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX55 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 55A（TC） 10V 85MOHM @ 27.5A，10V 5.5V @ 8mA 195 NC @ 10 V ±20V 6700 PF @ 25 V - 560W（TC）
IXKC40N60C IXYS IXKC40N60C -
RFQ
 ECAD 5094 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXKC40 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 600 v 28a（TC） 10V 95mohm @ 28a，10v 3.9V @ 2mA 230 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - -
IXFN520N075T2 IXYS IXFN520N075T2 35.8100
RFQ
 ECAD 8670 0.00000000 ixys HiperFet™，Trencht2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN520 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 75 v 480a（TC） 10V 1.9MOHM @ 100A，10V 5V @ 8mA 545 NC @ 10 V ±20V 41000 PF @ 25 V - 940W（TC）
IXFH76N07-11 IXYS IXFH76N07-11 8.3538
RFQ
 ECAD 9525 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH76 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 不适用 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 70 v 76A（TC） 10V 11mohm @ 40a，10v 3.4V @ 4mA 240 NC @ 10 V ±20V 4400 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXTH150N15X4 IXYS IXTH150N15X4 12.1500
RFQ
 ECAD 97 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH150 MOSFET （金属 o化物） TO-247 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 150a（TC） 10V 7.2MOHM @ 75A，10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 480W（TC）
MID100-12A3 IXYS 中期100-12A3 -
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Y4-M5 中期100 560 w 标准 Y4-M5 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 单身的 npt 1200 v 135 a 2.7V @ 15V，75a 5 ma 不 5.5 nf @ 25 V
IXGN72N60A3 IXYS IXGN72N60A3 -
RFQ
 ECAD 6139 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixgn72 360 w 标准 SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 单身的 pt 600 v 160 a 1.35V @ 15V，60a 75 µA 不 6.6 NF @ 25 V
IXFE23N100 IXYS IXFE23N100 -
RFQ
 ECAD 2165 0.00000000 ixys Hiperfet™ 盒子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixfe23 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 1 n通道 1000 v 21a（TC） 10V 430MOHM @ 11.5A，10V 5V @ 8mA 250 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 500W（TC）
IXFT120N25X3HV IXYS IXFT120N25X3HV 14.7700
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT120 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 120A（TC） 10V 12mohm @ 60a，10v 4.5V @ 4mA 122 NC @ 10 V ±20V 7870 pf @ 25 V - 520W（TC）
IXFH58N20Q IXYS IXFH58N20Q -
RFQ
 ECAD 3525 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH58 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 不适用 IXFH58N20Q-NDR Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 58A（TC） 10V 40mohm @ 29a，10v 4V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXSN52N60AU1 IXYS IXSN52N60AU1 -
RFQ
 ECAD 1228 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXSN52 250 w 标准 SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 单身的 pt 600 v 80 a 3V @ 15V，40a 750 µA 不 4.5 nf @ 25 V
FMP36-015P IXYS fmp36-015p -
RFQ
 ECAD 1142 0.00000000 ixys Polar™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMP36 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n和p通道 150V 36a，22a 40mohm @ 31a，10v 5.5V @ 250µA 70NC @ 10V 2250pf @ 25V -
IXYK120N120B3 IXYS IXYK120N120B3 30.9676
RFQ
 ECAD 8704 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXYK120 标准 1500 w TO-264（ixyk） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixyk120n120b3 Ear99 8541.29.0095 25 960V，100A，1OHM，15V 54 ns pt 1200 v 320 a 800 a 2.2V @ 15V，100a 9.7mj（在）上，21.5MJ off） 400 NC 30NS/340NS
IXTH110N25T IXYS IXTH110N25T 10.1900
RFQ
 ECAD 839 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXTH110 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 110A（TC） 10V 24mohm @ 55a，10v 4.5V @ 1mA 157 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 694W（TC）
IXTA180N10T7-TRL IXYS IXTA180N10T7-TRL 4.2172
RFQ
 ECAD 2338 0.00000000 ixys 沟 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡） ixta180 MOSFET （金属 o化物） TO-263-7（IXTA） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixta180n10t7-trltr Ear99 8541.29.0095 800 n通道 100 v 180a（TC） 10V 6.4mohm @ 25a，10v 4.5V @ 250µA 151 NC @ 10 V ±30V 6900 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFX80N50P IXYS IXFX80N50P 22.9000
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX80 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfx80n50p Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 80A（TC） 10V 65mohm @ 40a，10v 5V @ 8mA 197 nc @ 10 V ±30V 12700 PF @ 25 V - 1040W（TC）
FMP26-02P IXYS FMP26-02P -
RFQ
 ECAD 9510 0.00000000 ixys Polar™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 I4-PAC™-5 FMP26 MOSFET （金属 o化物） 125W ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 FMP2602P Ear99 8541.29.0095 25 n和p通道 200V 26a，17a 60mohm @ 25a，10v 5V @ 250µA 70NC @ 10V 2720pf @ 25V -
IXGQ180N33TC IXYS IXGQ180N33TC -
RFQ
 ECAD 2038 0.00000000 ixys - 管子 过时的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXGQ180 标准 to-3p - （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 330 v 180 a - - -
IXFN44N50U3 IXYS IXFN44N50U3 -
RFQ
 ECAD 2280 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 44A（TC） 10V 120mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 270 NC @ 10 V ±20V 8400 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXYT30N450HV IXYS IXYT30N450HV 46.7400
RFQ
 ECAD 8685 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixyt30 标准 430 w TO-268HV ixyt） 下载 rohs3符合条件 3（168）） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，30a，10ohm，15V - 4500 v 60 a 200 a 3.9V @ 15V，30a - 88 NC 38NS/168NS
IXGT31N60D1 IXYS IXGT31N60D1 -
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT31 标准 150 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，31a，10ohm，15V 25 ns - 600 v 60 a 80 a 1.7V @ 15V，31a 6MJ（（） 80 NC 15NS/400NS
IXTY2N65X2 IXYS IXTY2N65X2 2.1200
RFQ
 ECAD 5583 0.00000000 ixys Ultra X2 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63 ixty2 MOSFET （金属 o化物） TO-252AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 70 n通道 650 v 2A（TC） 10V 2.3OHM @ 1A，10V 5V @ 250µA 4.3 NC @ 10 V ±30V 180 pf @ 25 V - 55W（TC）
IXFT24N90P IXYS IXFT24N90P 17.5000
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft24 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 900 v 24A（TC） 10V 420MOHM @ 12A，10V 6.5V @ 1mA 130 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 660W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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