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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGJ40N60C2D1	-	RFQ	7521	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXGJ40	标准		300 w		TO-268	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，30a	（200µJ）	95 NC	18NS/90NS
IXFK64N50P	17.9300	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK64		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	64A（TC）	10V	85mohm @ 32a，10v	5.5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8700 PF @ 25 V	-	830W（TC）
MDI150-12A4	-	RFQ	8295	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI150			760 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	180 a		2.7V @ 15V，100a				7.5 ma	不	6.6 NF @ 25 V
IXXH110N65B4	14.2433	RFQ	4805	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH110	标准		880 w		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixxh110n65b4	Ear99	8541.29.0095	30			400V，55A，2OHM，15V											40 ns	pt	650 v	250 a	570 a	2.1V @ 15V，110a	2.2mj（在）上，1.05mj off）	183 NC	26NS/146NS
IXFH160N15T2	9.0000	RFQ	2	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH160		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	160a（TC）	10V	9MOHM @ 80A，10V	4.5V @ 1mA	253 NC @ 10 V	±20V	15000 PF @ 25 V	-	880W（TC）
MWI50-12E6K	-	RFQ	4561	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	MWI50			210 w	标准	E1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														-	1200 v	51 a		2.9V @ 15V，35a				300 µA	是的	2 NF @ 25 V
MIEB100W1200TEH	-	RFQ	5416	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MIEB100			630 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														-	1200 v	183 a		2.2V @ 15V，100a				300 µA	是的	7.43 NF @ 25 V
IXTY44N10T-TRL	1.1818	RFQ	3665	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty44		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXTY44N10T-TRLTR	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		100 v	44A（TC）	10V	30mohm @ 22a，10v	4.5V @ 25µA	33 NC @ 10 V	±30V	1262 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IXYH30N120C4	8.6576	RFQ	2388	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		500 w		TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyh30n120c4	Ear99	8541.29.0095	30			960V，25a，5ohm，15V											58 ns	pt	1200 v	94 a	166 a	2.4V @ 15V，25a	4.8MJ（在）上，1.5MJ（1.5MJ）	57 NC	18NS/205NS
IXTP450P2	4.8100	RFQ	156	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP450		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp450p2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	16A（TC）	10V	330mohm @ 8a，10v	4.5V @ 250µA	43 NC @ 10 V	±30V	2530 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFQ24N50P2	-	RFQ	5836	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ24		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	不适用	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq24n50p2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 1mA	48 NC @ 10 V	±30V	2890 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IXFH30N85X	12.9700	RFQ	9616	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	30A（TC）	10V	220MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 2.5mA	68 NC @ 10 V	±30V	2460 pf @ 25 V	-	695W（TC）
IXFP60N25X3M	8.3700	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220AB（IXFP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp60n25x3m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	60a（TC）	10V	23mohm @ 30a，10v	4.5V @ 1.5mA	50 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 25 V	-	36W（TC）
IXGR35N120C	-	RFQ	7248	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr35	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，4.7OHM，15V												-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	3MJ（（）	170 NC	50NS/150NS
IXTJ4N150	11.9200	RFQ	3400	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtj4		MOSFET （金属 o化物）			ISO247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	2.5A（TC）	10V	6ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±30V	1576 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IXTP10P15T	3.7300	RFQ	56	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±15V	2210 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IXGA20N100	-	RFQ	9279	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixga20	标准		150 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			800V，20A，47OHM，15V												pt	1000 v	40 a	80 a	3V @ 15V，20A	3.5MJ（）	73 NC	30NS/350NS
IXGN72N60C3H1	35.5900	RFQ	3242	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn72			360 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	78 a		2.5V @ 15V，50a				250 µA	不	4.78 nf @ 25 V
IXTH500N04T2	2000年年1月15日	RFQ	7409	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth500		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		40 V	500A（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	405 NC @ 10 V	±20V	25000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
VDI25-12P1	-	RFQ	4270	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	30 a		3.3V @ 15V，25a				900 µA	是的	1 nf @ 25 V
IXFB120N50P2	-	RFQ	6351	ixys	Hiperfet™，Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB120		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfb120n50p2	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	120A（TC）	10V	43mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	300 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	1890W（TC）
IXGR35N120B	-	RFQ	3525	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr35	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，4.7OHM，15V												pt	1200 v	70 a	140 a	3.3V @ 15V，35a	3.8MJ（（）	170 NC	50NS/180NS
MUBW35-12A7	-	RFQ	4885	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw35			225 w	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														npt	1200 v	50 a		3.1V @ 15V，35a				1.1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
IXGL50N60BD1	-	RFQ	6952	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGL50	标准				ISOPLUS264™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-	600 v			-	-		-
IXTQ52N30P	6.9900	RFQ	9803	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq52		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	52A（TC）	10V	66mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3490 pf @ 25 V	-	400W（TC）
GWM180-004X2-SL	-	RFQ	2675	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM180		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		2.5MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
IXGH60N60	-	RFQ	3306	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH60	标准		300 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，60a，2.7Ohm，15V												pt	600 v	75 a	200 a	1.7V @ 15V，60a	8MJ（（）	130 NC	50NS/300NS
IXTP240N055T	-	RFQ	7110	ixys	TRENCHT2™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP240		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	240a（TC）	10V	3.6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXYH30N450HV	42.8000	RFQ	8	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixyh30	标准		430 w		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，30a，10ohm，15V												pt	4500 v	60 a	200 a	3.9V @ 15V，30a	-	88 NC	-
IXGR48N60C3D1	11.2400	RFQ	761	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR48	标准		125 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V											25 ns	pt	600 v	56 a	230 a	2.7V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²