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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTP01N100D	6.6300	RFQ	1500	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP01		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	400mA（TC）	0V	80ohm @ 50mA，0v	4.5V @ 25µA	5.8 NC @ 5 V	±20V	100 pf @ 25 V	耗尽模式	1.1W（TA），25W（25W）TC）
IXTK80N25	-	RFQ	5931	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk80		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		250 v	80A（TC）	10V	33mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXFP5N50P3	-	RFQ	2054	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP5N50		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp5n50p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	5A（TC）	10V	1.65OHM @ 2.5A，10V	5V @ 1mA	6.9 NC @ 10 V	±30V	370 pf @ 25 V	-	114W（TC）
IXFL44N100P	-	RFQ	1860年	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL44		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	22a（TC）	10V	240mohm @ 22a，10v	6.5V @ 1mA	305 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	357W（TC）
MUBW30-06A7	-	RFQ	9683	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw30			180 w	三相桥梁整流器	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														npt	600 v	50 a		2.3V @ 15V，30a				600 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
IXFR25N90	-	RFQ	9912	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR25		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	25A（TC）		-	-				-	-
IRFP460	-	RFQ	5748	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP46		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	20A（TC）	10V	270MOHM @ 12A，10V	4V @ 250µA	210 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	260W（TC）
IXFC20N80P	-	RFQ	7213	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC20N80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	11A（TC）	10V	500mohm @ 10a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	±30V	4680 pf @ 25 V	-	166W（TC）
IXFT80N15Q	-	RFQ	6333	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	80A（TC）	10V	22.5mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
ixta52p10p	6.8800	RFQ	1	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta52		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		100 v	52A（TC）	10V	50MOHM @ 52A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2845 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGP12N100A	-	RFQ	4262	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP12	标准		100 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			800V，12a，120ohm，15V												-	1000 v	24 a	48 a	4V @ 15V，12A	2.5MJ（）	65 NC	100NS/850NS
MUBW100-06A8	-	RFQ	6367	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw			410 w	三相桥梁整流器	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														npt	600 v	125 a		2.5V @ 15V，100a				1.4 MA	是的	4.3 NF @ 25 V
IXFV12N90PS	-	RFQ	9608	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV12		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		900 v	12A（TC）	10V	900mohm @ 6a，10v	6.5V @ 1mA	56 NC @ 10 V	±30V	3080 pf @ 25 V	-	380W（TC）
IXYT25N250CHV	36.7900	RFQ	710	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixyt25	标准		937 w		TO-268	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，25a，5ohm，15V											34 ns	-	2500 v	95 a	235 a	4V @ 15V，25a	8.3mj（在）上，7.3mj（7.3MJ）	147 NC	15NS/230NS
IXGM20N60	-	RFQ	2911	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM20	标准		150 w		TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			480V，20a，82ohm，15V											200 ns	-	600 v	40 a	80 a	2.5V @ 15V，20A	2MJ（在）上，3.2MJ（3.2MJ）	120 NC	100NS/600NS
IXA40PG1200DHG-TRR	21.0819	RFQ	8535	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40			230 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200	半桥														pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a				150 µA	不
IXGQ170N30PB	-	RFQ	9535	ixys	Polar™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ170	标准		330 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	300 v	170 a		1.7V @ 15V，85a	-	143 NC	-
IXFR26N60Q	-	RFQ	9275	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR26		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	23A（TC）	10V	250MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	310W（TC）
IXFH78N60X3	14.0400	RFQ	56	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH78		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfh78n60x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	78a	10V	38mohm @ 39a，10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXGF32N170	25.5800	RFQ	44	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXGF32	标准		200 w		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			1020v，32a，2.7Ohm，15V												npt	1700 v	44 a	200 a	3.5V @ 15V，32a	10.6mj（（）	146 NC	45NS/270NS
IXTN600N04T2	38.1700	RFQ	488	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn600		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		40 V	600A（TC）	10V	1.05MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	590 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	940W（TC）
MUBW75-06A8	-	RFQ	7843	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	mubw			320 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														npt	600 v	100 a		2.5V @ 15V，75a				1.4 MA	是的	4.2 NF @ 25 V
MUBW35-06A6K	-	RFQ	3992	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw35			130 w	三相桥梁整流器	E1	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	600 v	42 a		2.7V @ 15V，35a				750 µA	是的	1.6 nf @ 25 V
IXKN40N60C	40.8100	RFQ	5815	ixys	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixkn40		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		600 v	40a（TC）	10V	70MOHM @ 500mA，10V	3.9V @ 2.5mA	250 NC @ 10 V	±20V		-	290W（TC）
IXTQ470P2	7.6917	RFQ	8644	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ470		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	42A（TC）	10V	145mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	88 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXFR20N80P	10.0360	RFQ	3566	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixfr20		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	11A（TC）	10V	500mohm @ 10a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 10 V	±30V	4680 pf @ 25 V	-	166W（TC）
IXTT1N300P3HV	40.5800	RFQ	1365	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt1		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	-ixtt1N300P3HV	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		3000 v	1A（TC）	10V	50ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	30.6 NC @ 10 V	±20V	895 pf @ 25 V	-	（195W）（TC）
IXKH47N60C	25.7000	RFQ	276	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKH47		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixkh47n60c	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	47A（TC）	10V	70mohm @ 30a，10v	4V @ 2mA	650 NC @ 10 V	±20V		-	-
IXFT26N50Q	-	RFQ	6363	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	26a（TC）	10V	200mohm @ 13a，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGH45N120	-	RFQ	8049	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH45	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，45A，5OHM，15V												-	1200 v	75 a	180 a	2.5V @ 15V，45a	（14mj））	170 NC	55NS/370NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²