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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
Mixa81H1200EH	112.9400	RFQ	8985	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa81			390 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	完整的桥梁逆变器														pt	1200 v	120 a		2.2V @ 15V，77a				200 µA	不
MIO1800-17E10	-	RFQ	3892	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E10	mio				标准	E10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														npt	1700 v	1800 a		2.6V @ 15V，1800a				120 MA	不	166 NF @ 25 V
IXGR50N60C2D1	-	RFQ	5025	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR50	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2ohm，15V											35 ns	pt	600 v	75 a	300 a	2.7V @ 15V，40a	380µJ（OFF）	138 NC	18NS/115NS
IXGH50N60B2	-	RFQ	5968	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准		400 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，5ohm，15V												pt	600 v	75 a	200 a	2V @ 15V，40a	（550µJ）	140 NC	18NS/190NS
IXFY13N60X3	3.4056	RFQ	2159	ixys	-	管子	积极的				IXFY13						-				238-ixfy13n60x3			70
IXFH12N80P	4.8902	RFQ	8777	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	12A（TC）	10V	850MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 2.5mA	51 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTV130N15T	-	RFQ	3697	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv130		MOSFET （金属 o化物）			加220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	130a（TC）		-	-				-	-
IXTY1R6N100D2-TRL	1.5387	RFQ	8128	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty1r6n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	1.6A（TJ）	0V	10ohm @ 800mA，0v	4.5V @ 100µA	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXTH3N100P	4.5697	RFQ	2088	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth3		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXYK300N65A3	32.0792	RFQ	3973	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA		标准		2300 w		加上264™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-IXYK300N65A3	Ear99	8541.29.0095	25			400V，100A，1OHM，15V											125 ns	pt	650 v	600 a	1460 a	1.6V @ 15V，100a	7.8MJ（在）上，4.7MJ off）	565 NC	42NS/190NS
IXFN180N07	-	RFQ	9256	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN180		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		70 v	180a（TC）	10V	7mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	480 NC @ 10 V	±20V	9000 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXFX32N50	-	RFQ	4285	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX32		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	32A（TC）	10V	150mohm @ 15a，10v	4V @ 4mA	300 NC @ 10 V	±20V	5450 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXGH40N60B	-	RFQ	3457	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		250 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，4.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	150 a	2.1V @ 15V，40a	2.7MJ（）	116 NC	25NS/180NS
IXFC12N80P	-	RFQ	7826	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC12N80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	7A（TC）	10V	930mohm @ 6a，10v	5.5V @ 2.5mA	51 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	120W（TC）
IXTR40P50P	20.5440	RFQ	4692	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTR40		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		500 v	22a（TC）	10V	260mohm @ 20a，10v	4V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	11500 PF @ 25 V	-	312W（TC）
IXFN66N50Q2	-	RFQ	6090	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN66		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	66A（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	199 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	735W（TC）
IXTH80N075L2	9.2300	RFQ	8330	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixth80n075l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	80A（TC）	10V	24mohm @ 40a，10v	4.5V @ 250µA	103 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	357W（TC）
IXFV14N80PS	-	RFQ	6503	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV14		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	14A（TC）	10V	720MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 4mA	61 NC @ 10 V	±30V	3900 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGX64N60B3D1	-	RFQ	7591	ixys	Genx3™	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX64	标准		460 w		加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v											35 ns	pt	600 v		400 a	1.8V @ 15V，50a	1.5mj（在）上，1MJ（1MJ）	168 NC	25NS/138NS
IXFH22N65X2	6.5500	RFQ	9472	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH22		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	22a（TC）	10V	160mohm @ 11a，10v	5.5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2310 PF @ 25 V	-	390W（TC）
MIO1200-33E11	-	RFQ	9929	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E11	mio				标准	E11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														npt	3300 v	1200 a		3.1V @ 15V，1200A				120 MA	不
IXTH30N60L2	20.1900	RFQ	6710	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	622201	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	240mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	335 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFK20N120P	28.8400	RFQ	3	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK20		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk20n120p	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1200 v	20A（TC）	10V	570MOHM @ 10A，10V	6.5V @ 1mA	193 NC @ 10 V	±30V	11100 PF @ 25 V	-	780W（TC）
FDM47-06KC5	-	RFQ	7592	ixys	CoolMos™，Hiperdyn™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	FDM47		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	47A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-
IXTU01N100	2.6030	RFQ	5621	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu01		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		1000 v	100mA（TC）	10V	80ohm @ 100mA，10v	4.5V @ 25µA	6.9 NC @ 10 V	±20V	54 pf @ 25 V	-	25W（TC）
IXFC13N50	-	RFQ	9892	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC13N50		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	12A（TC）	10V	400mohm @ 6.5a，10v	4V @ 2.5mA	120 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 25 V	-	140W（TC）
IXFR24N50Q	-	RFQ	3481	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	22a（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	250W（TC）
MIO1500-25E10	-	RFQ	8168	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E10	mio				标准	E10	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														npt	2500 v	1500 a		2.7V @ 15V，1500A				100 ma	不
IXFX120N60X3	20.0813	RFQ	8670	ixys	-	管子	积极的				IXFX120						-				238-ixfx120n60x3			30
IXGX55N120A3H1	16.4172	RFQ	7727	ixys	Genx3™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX55	标准		460 w		加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，55a，3ohm，15V											200 ns	pt	1200 v	125 a	400 a	2.3V @ 15V，55a	5.1mj（在）上，13.3mj off）	185 NC	23ns/365ns

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²