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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXFP20N50P3M	4.8100	RFQ	57	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp20n50p3m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	8A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IXTP60N10T	2.8400	RFQ	23	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	60a（TC）	10V	18mohm @ 25a，10v	4.5V @ 50µA	49 NC @ 10 V	±30V	2650 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXGA7N60B	-	RFQ	1497	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixga7	标准		54 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，7A，22OHM，15V												pt	600 v	14 a	30 a	2V @ 15V，7a	（70µJ）（在300µJ上）	25 NC	9NS/100NS
IXFV20N80P	-	RFQ	9121	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV20		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	20A（TC）	10V	520MOHM @ 10a，10v	5V @ 4mA	86 NC @ 10 V	±30V	4685 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXA30RG1200DHG-TUB	17.4855	RFQ	3188	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA30	标准		147 w		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			600V，25a，39ohm，15V												-	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a	2.5mj（在）上，3MJ（3mj）	76 NC	70NS/250NS
IXSR50N60B	-	RFQ	3686	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXSR50	标准				ISOPLUS247™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	600 v			-	-		-
IXFJ32N50Q	-	RFQ	8682	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFJ32		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	32A（TC）	10V	150mohm @ 16a，10v	4V @ 4mA	153 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTA05N100HV	4.9700	RFQ	300	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta05		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	750mA（TC）	10V	17ohm @ 375mA，10v	4.5V @ 250µA	7.8 NC @ 10 V	±30V	260 pf @ 25 V	-	40W（TC）
ixtp15p15t	2.9790	RFQ	2411	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp15		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	15A（TC）	10V	240MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±15V	3650 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFT50N50P3	12.1500	RFQ	20	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft50n50p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	50A（TC）	10V	120mohm @ 25a，10v	5V @ 4mA	85 NC @ 0 V	±30V	4335 pf @ 25 V	-	960W（TC）
IXFR180N07	-	RFQ	7250	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR180		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		70 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	417W（TC）
IXSH30N60B2D1	-	RFQ	1581年	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准		250 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXSH30N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V											30 ns	pt	600 v	48 a	90 a	2.5V @ 15V，24a	（550µJ）	50 NC	30NS/130NS
IXTA140N055T2	2.7438	RFQ	3615	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta140		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta140n055t2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	140a（TC）	10V	5.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	82 NC @ 10 V	±20V	4760 pf @ 25 V	-	250W（TA）
IXYH24N90C3D1	12.5800	RFQ	31	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh24	标准		200 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，24A，10OHM，15V											340 ns	-	900 v	44 a	105 a	2.7V @ 15V，24a	1.35MJ（在）上，400µJ（（）	40 NC	20N/73NS
IXGA30N60C3C1	-	RFQ	1290	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA30	标准		220 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，20A，5OHM，15V												pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	（120µJ）（在），90µJ（90µJ）中	38 NC	17NS/42NS
IXGK55N120A3H1	19.0439	RFQ	3149	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK55	标准		460 w		TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，55a，3ohm，15V											200 ns	pt	1200 v	125 a	400 a	2.3V @ 15V，55a	5.1mj（在）上，13.3mj off）	185 NC	23ns/365ns
IXFH90N20X3	9.5300	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH90		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXTT1N450HV	51.7700	RFQ	5905	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt1		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		4500 v	1A（TC）	10V	85ohm @ 50mA，10v	6.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXTN320N10T	-	RFQ	8984	ixys	-	管子	过时的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN320		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	320a（TC）	10V	-	4.5V @ 1mA		±20V		-	680W（TC）
IXYN120N120C3	38.6000	RFQ	8	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn120			1200 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1200 v	240 a		3.2V @ 15V，120a				25 µA	不
IXTT34N65X2HV	7.0695	RFQ	7634	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt34		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	34A（TC）	10V	96mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXFL39N90	-	RFQ	5200	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL39		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		900 v	34A（TC）	10V	220MOHM @ 19.5A，10V	5V @ 8mA	375 NC @ 10 V	±20V	13400 PF @ 25 V	-	580W（TC）
IXFK33N50	-	RFQ	1413	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK33		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	33A（TC）	10V	160MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 4mA	227 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
ixta42n15t-trl	2.6928	RFQ	8650	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta42		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta42n15t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	42A（TC）	10V	45mohm @ 21a，10v	4.5V @ 250µA	21 NC @ 10 V	±30V	1880 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXTQ240N055T	-	RFQ	7267	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ240		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	240a（TC）	10V	3.6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFT180N20X3HV	18.4800	RFQ	5674	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT180		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	180a（TC）	10V	7.5MOHM @ 90A，10V	4.5V @ 4mA	154 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	780W（TC）
IXUC100N055	-	RFQ	3067	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXUC100		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	100A（TC）	10V	7.7MOHM @ 80A，10V	4V @ 1mA	100 nc @ 10 V	±20V		-	150W（TC）
ixtv22n60p	-	RFQ	1699年	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv22		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGR39N60B	-	RFQ	2028	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr39	标准		140 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，4.7OHM，15V												-	600 v	66 a	152 a	1.8V @ 15V，39a	（4MJ））	125 NC	25NS/250NS
IXFY36N20X3	4.7300	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXFY36		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	176W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²