RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFT140N20X3HV	14.7700	RFQ	17	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT140		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	140a（TC）	10V	9.6mohm @ 70a，10v	4.5V @ 4mA	127 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXFN82N60Q3	60.1900	RFQ	5538	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN82		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		600 v	66A（TC）	10V	75MOHM @ 41A，10V	6.5V @ 8mA	275 NC @ 10 V	±30V	13500 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXTL2X200N085T	-	RFQ	7330	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixtl2x200		MOSFET （金属 o化物）	150W		isoplusi5-pak™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			85V	112a		6mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	152NC @ 10V		7600pf @ 25V	-
IXFX74N50P2	-	RFQ	6575	ixys	Hiperfet™，Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX74		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	74A（TC）	10V	77MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	165 NC @ 10 V	±30V	9900 PF @ 25 V	-	1400W（TC）
IXYB82N120C3H1	31.0900	RFQ	2354	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixyb82	标准		1040 w		加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixyB82N120C3H1	Ear99	8541.29.0095	25			600V，80a，2ohm，15V											420 ns	-	1200 v	164 a	320 a	3.2V @ 15V，82a	4.95MJ（在）上，2.78mj off）	215 NC	29NS/192NS
IXGH72N60A3	11.8100	RFQ	31	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH72	标准		540 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v												pt	600 v	75 a	400 a	1.35V @ 15V，60a	1.38mj（在）上，3.5MJ off）	230 NC	31ns/320ns
IXKR25N80C	26.1800	RFQ	8613	ixys	coolmos™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKR25		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	25A（TC）	10V	150MOHM @ 18A，10V	4V @ 2mA	355 NC @ 10 V	±20V		-	-
MUBW15-06A7	-	RFQ	3908	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw15			100 W	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														npt	600 v	25 a		2.3V @ 15V，15a				600 µA	是的	800 pf @ 25 V
IXGP24N60C4	-	RFQ	2427	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP24	标准		190 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			360V，24a，10ohm，15V												pt	600 v	56 a	130 a	2.7V @ 15V，24a	（400µJ）（在300µJ上）	64 NC	21NS/143NS
ixta52p10p-trl	6.8800	RFQ	4	ixys	Polarp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta52		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta52p10p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		100 v	52A（TC）	10V	50mohm @ 26a，10v	4V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2845 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGT32N170A	23.2513	RFQ	4378	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT32	标准		350 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，32A，2.7OHM，15V												npt	1700 v	32 a	110 a	5V @ 15V，21a	1.5mj（（）	155 NC	46NS/260NS
ixtx170p10p	21.2100	RFQ	90	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx170		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		100 v	170a（TC）	10V	12mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	240 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXTR68P20T	-	RFQ	6154	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3			MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-				238-ixtr68p20t	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	44A（TC）	10V	64mohm @ 34a，10v	4V @ 250µA	380 NC @ 10 V	±15V	33400 PF @ 25 V	-	270W（TC）
IXGT20N120	-	RFQ	4039	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT20	标准		150 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			800V，20A，47OHM，15V												-	1200 v	40 a	80 a	2.5V @ 15V，20A	6.5MJ（）	63 NC	28NS/400NS
IXGP30N60B4D1	-	RFQ	4445	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP30	标准		190 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，24a，10ohm，15V											30 ns	pt	600 v	56 a	156 a	1.7V @ 15V，24a	（440µJ）（在700µJ上）	77 NC	21NS/200NS
IXYP20N120C3	6.5700	RFQ	9881	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP20	标准		278 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			600V，20a，10ohm，15V												-	1200 v	40 a	96 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS
FII30-12E	-	RFQ	5946	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FII30			150 w	标准	ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	半桥														npt	1200 v	33 a		2.9V @ 15V，20A				200 µA	不	1.2 nf @ 25 V
IXTH240N15X4	14.1800	RFQ	1	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH240		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	240a（TC）	10V	4.4mohm @ 120A，10V	4.5V @ 250µA	195 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	940W（TC）
mita300rf1700pted	129.7314	RFQ	5127	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MITA300			1390 w	标准	E2	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MITA300RF1700PTED	Ear99	8541.29.0095	28	单菜器														沟	1700 v	400 a		2.45V @ 15V，300A				1.2 ma	是的
IXEN60N120	-	RFQ	9023	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixen60			445 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														npt	1200 v	100 a		2.7V @ 15V，60a				800 µA	不	3.8 nf @ 25 V
MIXG240W1200PTEH	227.7113	RFQ	6637	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	模块	Mixg240			938 w	标准	E3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG240W1200PTEH	Ear99	8541.29.0095	24	三相逆变器														-	1200 v	312 a		2V @ 15V，200a				150 µA	是的	10.6 NF @ 100 V
IXGQ90N33TCD1	-	RFQ	6800	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ90	标准		200 w		to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												沟	330 v	90 a		1.8V @ 15V，45a	-	69 NC	-
ixta140p05t-trl	5.2585	RFQ	9077	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta140		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta140p05t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		50 V	140a（TC）	10V	9MOHM @ 70A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±15V	13500 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXTP110N055P	-	RFQ	8457	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP110		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	110A（TC）	10V	13.5mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXFC15N80Q	-	RFQ	7493	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC15N80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	13A（TC）	10V	650MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXFH50N30Q3	13.5700	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	50A（TC）	10V	80Mohm @ 25a，10v	6.5V @ 4mA	65 NC @ 10 V	±20V	3160 pf @ 25 V	-	690W（TC）
IXTH56N15T	-	RFQ	7778	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth56		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	56A（TC）		-	-				-	-
IXKP10N60C5	-	RFQ	5031	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXKP10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	10A（TC）	10V	385MOHM @ 5.2A，10V	3.5V @ 340µA	22 NC @ 10 V	±20V	790 pf @ 100 V	-	-
IXFP56N30x3	8.6700	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP56		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	56A（TC）	10V	27mohm @ 28a，10v	4.5V @ 1.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXFH26N65X2	11.8200	RFQ	180	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfh26n65x2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	26a（TC）	10V	130MOHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	45 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	460W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²