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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFA38N30x3	6.4200	RFQ	67	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA38		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	38A（TC）	10V	50mohm @ 19a，10v	4.5V @ 1mA	35 NC @ 10 V	±20V	2240 pf @ 25 V	-	240W（TC）
IXSH15N120B	-	RFQ	6559	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH15	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，15a，10ohm，15V												pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
IXTQ90N15T	-	RFQ	5710	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ90		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	90A（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 25 V	-	455W（TC）
IXTP100N15X4	10.1700	RFQ	50	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	100A（TC）	10V	11.5MOHM @ 50a，10V	4.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	3970 pf @ 25 V	-	375W（TC）
IXTQ60N20L2	19.3700	RFQ	7	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ60		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtq60n20l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	255 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFX90N20Q	-	RFQ	1643年	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX90		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXFX90N20Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	90A（TC）	10V	22mohm @ 45a，10v	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MIXG300PF1700TSF	200.1933	RFQ	4281	ixys	-	盒子	积极的	-	底盘安装	Simbus f	Mixg300				标准	Simbus f	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG300PF1700TSF			3	单身的														pt				-					不
FMM75-01F	22.5000	RFQ	20	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM75		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			100V	75a		25mohm @ 50a，10v	4V @ 4mA	180nc @ 10V		-	-
IXFX180N07	-	RFQ	7995	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX180		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		70 v	180a（TC）	10V	6mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	568W（TC）
IXSR40N60BD1	-	RFQ	1437	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSR40	标准		170 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2.7Ohm，15V											35 ns	pt	600 v	70 a	150 a	2.2V @ 15V，40a	1.8MJ（（）	190 NC	50NS/110NS
IXGN60N60C2D1	-	RFQ	1040	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn60			480 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	75 a		2.5V @ 15V，50a				650 µA	不	4.75 NF @ 25 V
IXYK200N65B3	29.5132	RFQ	1459	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXYK200	标准		1560 w		TO-264	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，100A，0OHM，15V											108 ns	-	650 v	410 a	1100 a	1.7V @ 15V，100a	5MJ（在）中，4MJ（4MJ）	340 NC	60NS/370NS
IXTP90N15T	4.3900	RFQ	58	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp90		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	90A（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 25 V	-	455W（TC）
IXTT1N250HV	48.8700	RFQ	1909年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt1		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	628949	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		2500 v	1.5A（TC）	10V	40ohm @ 750mA，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXSN55N120AU1	-	RFQ	1461	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXSN55			500 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1200 v	110 a		4V @ 15V，55a				1 MA	不	8 nf @ 25 V
IXTQ82N25P	9.4100	RFQ	36	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq82		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	82A（TC）	10V	35mohm @ 41A，10V	5V @ 250µA	142 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTH220N055T	-	RFQ	7110	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH220		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	220A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	430W（TC）
ixtx240N075L2	37.2000	RFQ	239	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx240		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	240a（TC）	10V	7MOHM @ 120A，10V	4.5V @ 3mA	546 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
MUBW6-06A6	-	RFQ	6187	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw6			38 w	三相桥梁整流器	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	600 v	7 a		2.5V @ 15V，4A				10 µA	是的	340 pf @ 25 V
ixtk90p20p	21.4200	RFQ	3896	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk90		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		P通道		200 v	90A（TC）	10V	44mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXYR100N65A3V1	23.9527	RFQ	7126	ixys	-	管子	积极的	-	-	-	ixyr100	-				-	-	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-				-	-		-
IXGN320N60A3	36.8900	RFQ	705	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN320			735 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	320 a		1.25V @ 15V，100a				150 µA	不	18 nf @ 25 V
IXFR102N30P	16.7170	RFQ	9416	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR102		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	60a（TC）	10V	36mohm @ 51a，10v	5V @ 4mA	224 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXA20I1200PZ-TUB	4.8668	RFQ	5782	ixys	XPT™	管子	积极的		表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXA20I1200	标准		165 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXA20I1200PZ-TUB	Ear99	8541.29.0095	50			600V，15a，56ohm，15V												pt	1200 v	38 a		2.1V @ 15V，15a	1.6mj（在）上，1.7mj off）	47 NC	48NS/230N
VWI15-12P1	-	RFQ	7645	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	VWI15			90 W	标准	Eco-PAC2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	三相逆变器														npt	1200 v	18 a		2.7V @ 15V，10a				500 µA	是的	600 pf @ 25 V
IXTX102N65X2	20.2200	RFQ	1	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx102		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	102A（TC）	10V	30mohm @ 51a，10v	5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±30V	10900 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXGH4N250C	-	RFQ	2884	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH4N250	标准		150 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，4A，20欧姆，15V												-	2500 v	13 a	46 a	6V @ 15V，4A	360µJ（离）	57 NC	- /350n
MWI100-12A8	-	RFQ	3334	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MWI100			640 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	1200 v	160 a		2.6V @ 15V，100a				6.3 MA	不	6.5 nf @ 25 V
IXFR20N100P	-	RFQ	3544	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixfr20		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	11A（TC）	10V	640MOHM @ 10A，10V	6.5V @ 1mA	126 NC @ 10 V	±30V	7300 PF @ 25 V	-	230W（TC）
IXTH20N50D	-	RFQ	3018	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth20		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 10a，10v	-	125 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	耗尽模式	400W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²