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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MIXG330PF1200TSF	157.6067	RFQ	6704	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixg330				-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG330PF1200TSF			3	-														-				-
IXFB170N30P	31.4408	RFQ	6927	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB170		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	170a（TC）	10V	18mohm @ 85a，10v	4.5V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTP88N085T	-	RFQ	6250	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp88		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	88A（TC）	10V	11mohm @ 25a，10v	4V @ 100µA	69 NC @ 10 V	±20V	3140 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXTH75N10	11.1500	RFQ	3149	ixys	Megamos™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth75		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXTH75N10-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	75A（TC）	10V	20mohm @ 37.5a，10v	4V @ 4mA	260 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXBT42N170A	27.2547	RFQ	1277	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT42	标准		357 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IXBT42N170A -ND	Ear99	8541.29.0095	30			850V，21a，1ohm，15V											330 ns	-	1700 v	42 a	265 a	6V @ 15V，21a	3.43mj（在）上，430µJ off）	188 NC	19NS/200NS
IXFA16N60P3	5.7673	RFQ	6300	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA16		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	16A（TC）	10V	440MOHM @ 8A，10V	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	347W（TC）
IXFP4N100PM	4.5182	RFQ	5266	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP4N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp4n100pm	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	2.1A（TC）	10V	3.3ohm @ 2a，10v	6V @ 250µA	26 NC @ 10 V	±20V	1456 pf @ 25 V	-	40W（TC）
IXFP4N85XM	3.3100	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包	IXFP4N85		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		850 v	3.5A（TC）	10V	2.5OHM @ 2A，10V	5.5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	247 PF @ 25 V	-	35W（TC）
IXFR24N100	18.6177	RFQ	3869	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	22a（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	±20V	8700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
IXFN120N20	31.6500	RFQ	3810	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN120		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN120N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	120A（TC）	10V	17mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTP8N70X2M	3.4000	RFQ	12	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp8n70x2m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		700 v	4A（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 10 V	-	32W（TC）
IXFT40N30Q	-	RFQ	7840	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT40		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）		IXFT40N30Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	40a（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXA27IF1200HJ	11.4100	RFQ	2084	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS247™	IXA27IF1200			150 w	标准	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	单身的														pt	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a				100 µA	不
IXFH58N20	-	RFQ	4808	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH58		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH58N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	58A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK32N100P	24.8900	RFQ	204	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	32A（TC）	10V	320MOHM @ 16a，10v	6.5V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	14200 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXA20I1200HB	-	RFQ	3887	ixys	-	管子	积极的				IXA20						-	rohs3符合条件	（1 （无限）		238-IXA20I1200HB			1
IXGH12N60CD1	-	RFQ	6726	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准		100 W		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，12a，18onm，15v											35 ns	-	600 v	24 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
IXFR21N50Q	-	RFQ	3250	ixys	-	管子	过时的				IXFR21						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXTC230N085T	-	RFQ	2621	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC230		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	120A（TC）		-	-				-	-
ixta10p50p-trl	6.8800	RFQ	2896	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta10		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		P通道		500 v	10A（TC）	10V	1欧姆 @ 5A，10V	4V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±20V	2840 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP130N10T2	4.5728	RFQ	1475	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP130		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1MOHM @ 65A，10V	4.5V @ 1mA	130 NC @ 10 V	±20V	6600 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTQ150N15P	12.1300	RFQ	7	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ150		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	150a（TC）	10V	13mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	714W（TC）
MWI75-06A7	-	RFQ	6977	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI75			280 w	标准	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	600 v	90 a		2.6V @ 15V，75a				1.3 ma	不	3.2 NF @ 25 V
IXTP90N075T2	-	RFQ	2941	ixys	TRENCHT2™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp90		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	90A（TC）	10V	10mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±20V	3290 pf @ 25 V	-	180W（TC）
ixta26p20p	6.8800	RFQ	8	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta26		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		200 v	26a（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXST24N60BD1	-	RFQ	8170	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST24	标准		150 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1			480V，24a，33ohm，15V											25 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	1.3MJ（（）	41 NC	50NS/150NS
IXFV96N15PS	-	RFQ	4344	ixys	Polarht™HiperFet™	盒子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV96		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	110 NC @ 10 V	±20V	3500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
ixta15p15t	-	RFQ	5874	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta15		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	15A（TC）	10V	240MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±15V	3650 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFC14N80P	-	RFQ	6710	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC14N80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	8A（TC）	10V	770MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 4mA	61 NC @ 10 V	±30V	3900 PF @ 25 V	-	130W（TC）
IXYT20N120C3D1HV	10.4595	RFQ	7987	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixyt20	标准		230 w		TO-268HV ixyt）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V											29 ns	-	1200 v	36 a	88 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，1MJ（1MJ）	53 NC	20N/90NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²