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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTH60N20L2	20.3800	RFQ	30	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	255 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFH20N60Q	-	RFQ	2150	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH20		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	20A（TC）	10V	350MOHM @ 10A，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTA220N055T	-	RFQ	3372	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta220		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	220A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	430W（TC）
MKE11R600DCGFC	-	RFQ	2443	ixys	coolmos™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	MKE11R600		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXFN240N25X3	48.2200	RFQ	93	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN240		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		250 v	240a（TC）	10V	4.5MOHM @ 120A，10V	4.5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	695W（TC）
IXFT340N075T2	12.6900	RFQ	1	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT340		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft340N075T2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	340a（TC）	10V	3.2MOHM @ 100A，10V	4V @ 3mA	300 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	935W（TC）
IXGH30N60C3C1	-	RFQ	1110	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		220 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			300V，20A，5OHM，15V												pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	（120µJ）（在），90µJ（90µJ）中	38 NC	17NS/42NS
IXGT60N60C2	-	RFQ	8881	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT60	标准		480 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，2ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	2.5V @ 15V，50a	480µJ（OFF）	146 NC	18NS/95NS
IXTH96N20P	10.0300	RFQ	1407	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth96		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXGT50N60B	-	RFQ	3431	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT50	标准		300 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，2.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	3MJ（（）	160 NC	50NS/150NS
IXYT85N120A4HV	19.9100	RFQ	3971	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixyt85	标准		1150 w		TO-268HV ixyt）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-IXYT85N120A4HV	Ear99	8541.29.0095	30			600V，60a，5ohm，15V											40 ns	pt	1200 v	300 a	520 a	1.8V @ 15V，85a	4.9MJ（在）上，8.3MJ off）	200 NC	40NS/400NS
IXDP35N60B	-	RFQ	1851年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixdp35	标准		250 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，35A，10欧姆，15V												npt	600 v	60 a	70 a	2.7V @ 15V，35a	1.6mj（在）上，800µJ（800µJ）	120 NC	-
IXTT74N20P	7.2430	RFQ	7227	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT74		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	74A（TC）	10V	34mohm @ 37A，10V	5V @ 250µA	107 NC @ 10 V	±20V	3300 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFP30N25X3M	6.8500	RFQ	288	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP30		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp30n25x3m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	30A（TC）	10V	60mohm @ 15a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	36W（TC）
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MWI25-12E7	-	RFQ	7914	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI25			225 w	标准	E2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	1200 v	52 a		2.4V @ 15V，25a				400 µA	不	2 NF @ 25 V
IXEH25N120D1	-	RFQ	1409	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXEH25	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，68onm，15V											130 ns	npt	1200 v	36 a		3.2V @ 15V，25a	4.1MJ（在）上，1.5MJ off）	100 NC	-
IXTP48N20T	4.1800	RFQ	3242	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp48		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	48A（TC）	10V	50MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXSH30N60BD1	-	RFQ	2679	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，30a，4.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	110 a	2.7V @ 15V，55a	1.5mj（（）	100 NC	30NS/150NS
IXTQ102N15T	-	RFQ	8216	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ102		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	102A（TC）	10V	18mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	5220 PF @ 25 V	-	455W（TC）
IXTH50P10	11.7200	RFQ	1	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	606059	Ear99	8541.29.0095	30		P通道		100 v	50A（TC）	10V	55mohm @ 25a，10v	5V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	4350 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT70N15	-	RFQ	6698	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT70		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	70A（TC）	10V	28mohm @ 35a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXYN100N120C3	46.6700	RFQ	2874	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn100			830 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1200 v	152 a		3.5V @ 15V，100a				25 µA	不	6 nf @ 25 V
IXFB170N30P	31.4408	RFQ	6927	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB170		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	170a（TC）	10V	18mohm @ 85a，10v	4.5V @ 1mA	258 NC @ 10 V	±20V	20000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
MIXA40W1200TMH	-	RFQ	8714	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	Mixa40w			195 w	标准	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														pt	1200 v	60 a		2.1V @ 15V，35a				150 µA	是的
IXTH2N150	11.0397	RFQ	4153	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth2		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixth2n150	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	2A（TC）	10V	9.2OHM @ 500mA，10v	5V @ 250µA	28 NC @ 10 V	±30V	830 pf @ 25 V	-	170W（TC）
IXFK80N50Q3	33.8900	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK80		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfk80n50q3	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	80A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	6.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTT24P20	11.8500	RFQ	3207	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt24		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	24A（TC）	10V	110MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFP12N65X2M	4.2300	RFQ	2832	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	12A（TC）	10V	310MOHM @ 6A，10V	5V @ 250µA	18.5 NC @ 10 V	±30V	1134 PF @ 25 V	-	40W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²