SIC
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参考图片 产品编号 ((() 数量 ECAD 可用数量 (kg) MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 供应商设备包 数据表 Rohs状态 (MSL) 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet 测试条件 (VDSS) 电流 -id(ID) @ 25°C 驱动电压(最大 rds,最小rds打开) RDS(最大值) @ ID,VGS VGS(TH)(最大) @ ID (QG))(最大) @ vgs VGS(VGS) (ciss)(最大(ciss) @ vds fet ((() trr) IGBT类型 电压 -收集器发射器故障(最大) 电流 -ic(IC)(最大) 电流 -icm) (在)(最大) @ vce @ vge,ic,ic 切换能量 门充电 TD (开/关) @ 25°C
IXTP86N20T IXYS IXTP86N20T 6.2700
RFQ
ECAD 100 0.00000000 ixys 管子 积极的 -55°C〜175°C(TJ) 通过洞 TO-220-3 ixtp86 MOSFET (金属 o化物) TO-220-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 86A(TC) 10V 29mohm @ 500mA,10v 5V @ 1mA 90 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 480W(TC)
IXTQ30N50L IXYS IXTQ30N50L -
RFQ
ECAD 2255 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 IXTQ30 MOSFET (金属 o化物) to-3p 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A(TC) 10V 200mohm @ 15a,10v 4.5V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 10200 PF @ 25 V - 400W(TC)
IXTQ36N20T IXYS IXTQ36N20T -
RFQ
ECAD 8891 0.00000000 ixys 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 ixtq36 MOSFET (金属 o化物) to-3p - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v - - - - -
IXTQ62N25T IXYS IXTQ62N25T -
RFQ
ECAD 6083 0.00000000 ixys 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 ixtq62 MOSFET (金属 o化物) to-3p - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 62A(TC) - - - -
IXTQ72N20T IXYS IXTQ72N20T -
RFQ
ECAD 1775年 0.00000000 ixys 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3,SC-65-3 ixtq72 MOSFET (金属 o化物) to-3p - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 72A(TC) - - - -
IXFR15N100P IXYS IXFR15N100P -
RFQ
ECAD 6572 0.00000000 ixys Hiperfet™,极性 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR15 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v - - - - -
IXFR55N50 IXYS IXFR55N50 -
RFQ
ECAD 7344 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3 IXFR55 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 48A(TC) 10V 90MOHM @ 27.5A,10V 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 400W(TC)
IXFR90N20 IXYS IXFR90N20 -
RFQ
ECAD 9038 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR90 MOSFET (金属 o化物) ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 90A(TC) - - - -
IXFT12N100 IXYS IXFT12N100 -
RFQ
ECAD 9445 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXFT12 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12A(TC) 10V 1.05Ohm @ 6a,10v 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W(TC)
IXFT24N50 IXYS IXFT24N50 -
RFQ
ECAD 6417 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft24 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A(TC) 10V 230mohm @ 12a,10v 4V @ 4mA 160 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFT24N50Q IXYS IXFT24N50Q -
RFQ
ECAD 8119 0.00000000 ixys Hiperfet™,Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft24 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A(TC) 10V 230mohm @ 12a,10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFT26N50 IXYS IXFT26N50 -
RFQ
ECAD 6258 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft26 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 26a(TC) 10V 200mohm @ 13a,10v 4V @ 4mA 160 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFT30N50Q IXYS IXFT30N50Q -
RFQ
ECAD 6969 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft30 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A(TC) 10V 160mohm @ 15a,10v 4.5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 4925 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXFT4N100Q IXYS IXFT4N100Q -
RFQ
ECAD 4613 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft4 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 4A(TC) 10V 3ohm @ 2a,10v 5V @ 1.5mA 39 NC @ 10 V ±20V 1050 pf @ 25 V - 150W(TC)
IXFT70N15 IXYS IXFT70N15 -
RFQ
ECAD 6698 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA IXFT70 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 70A(TC) 10V 28mohm @ 35a,10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFT74N20 IXYS IXFT74N20 -
RFQ
ECAD 9781 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft74 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 74A(TC) 10V 30mohm @ 500mA,10v 4V @ 4mA 280 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXFT80N08 IXYS IXFT80N08 -
RFQ
ECAD 1716年 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft80 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 80 V 80A(TC) 10V 9mohm @ 40a,10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4800 PF @ 25 V - 300W(TC)
IXFT80N10Q IXYS IXFT80N10Q -
RFQ
ECAD 2997 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft80 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 100 v 80A(TC) 10V 15mohm @ 40a,10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXFT80N20Q IXYS IXFT80N20Q -
RFQ
ECAD 3919 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-268-3,D³pak(2 + tab),TO-268AA ixft80 MOSFET (金属 o化物) TO-268AA 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 80A(TC) 10V 28mohm @ 500mA,10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 4600 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXFX120N25 IXYS IXFX120N25 -
RFQ
ECAD 9689 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX120 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 120A(TC) 10V 22mohm @ 500mA,10v 4V @ 8mA 400 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 560W(TC)
IXFX14N100 IXYS IXFX14N100 -
RFQ
ECAD 6174 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX14 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 14A(TC) 10V 750MOHM @ 500mA,10V 4.5V @ 4mA 220 NC @ 10 V ±20V 4500 PF @ 25 V - 360W(TC)
IXFX150N15 IXYS IXFX150N15 15.3847
RFQ
ECAD 2984 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX150 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 150a(TC) 10V 12.5MOHM @ 75A,10V 4V @ 8mA 360 NC @ 10 V ±20V 9100 PF @ 25 V - 560W(TC)
IXFX30N50Q IXYS IXFX30N50Q -
RFQ
ECAD 2778 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-247-3变体 IXFX30 MOSFET (金属 o化物) 加上247™-3 下载 (1 (无限) Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A(TC) 10V 160mohm @ 15a,10v 4.5V @ 4mA 150 NC @ 10 V ±20V 3950 pf @ 25 V - 416W(TC)
IXGA12N60CD1 IXYS IXGA12N60CD1 -
RFQ
ECAD 7728 0.00000000 ixys HiperFast™,Lightspeed™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA12 标准 100 W TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V,12a,18onm,15v 35 ns - 600 v 24 a 48 a 2.7V @ 15V,12A 90µJ(离) 32 NC 20N/60N
IXGA15N100C IXYS IXGA15N100C -
RFQ
ECAD 5409 0.00000000 ixys Lightspeed™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA15 标准 150 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V,15a,10ohm,15V - 1000 v 30 a 60 a 3.5V @ 15V,15a 850µJ(离) 73 NC 25NS/150NS
IXGA15N120B IXYS IXGA15N120B -
RFQ
ECAD 5169 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA15 标准 150 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 960V,15a,10ohm,15V pt 1200 v 30 a 60 a 3.2V @ 15V,15a 1.75MJ() 69 NC 25NS/180NS
IXGA20N60B IXYS IXGA20N60B -
RFQ
ECAD 1473 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB ixga20 标准 150 w TO-263AA 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 480V,20A,10欧姆,15V - 600 v 40 a 80 a 2V @ 15V,20A (150µJ)(700µJ)(OFF) 90 nc 15NS/150NS
IXGA48N60A3 IXYS IXGA48N60A3 6.2000
RFQ
ECAD 154 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA48 标准 300 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 -ixga48n60a3 Ear99 8541.29.0095 50 480V,32A,5OHM,15V pt 600 v 120 a 300 a 1.35V @ 15V,32a (950µJ)(在),2.9MJ(2.9MJ)中 110 NC 25NS/334N
IXGA48N60C3 IXYS IXGA48N60C3 -
RFQ
ECAD 9687 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 表面安装 TO-263-3,D²Pak(2引线 + TAB),TO-263AB IXGA48 标准 300 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V,30a,3ohm,15V pt 600 v 75 a 250 a 2.5V @ 15V,30a 410µJ(在)上,230µJ(OFF) 77 NC 19NS/60NS
IXGB75N60BD1 IXYS IXGB75N60BD1 -
RFQ
ECAD 8595 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C(TJ) 通过洞 TO-264-3,TO-264AA IXGB75 标准 360 w 加上264™ 下载 (1 (无限) 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 480V,75A,5OHM,15V 50 ns - 600 v 120 a 300 a 2.3V @ 15V,75a 3.3mj(() 248 NC 62NS/220NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库