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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFY30N25X3	6.7000	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixfy30		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		250 v	30A（TC）	10V	60mohm @ 15a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXTY02N120P-TRL	1.1187	RFQ	4221	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY02		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty02n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1200 v	200ma（tc）	10V	75ohm @ 100mA，10v	4V @ 100µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	33W（TC）
MKI100-12F8	164.4500	RFQ	5148	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MKI100			640 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	完整的桥梁逆变器														npt	1200 v	125 a		3.9V @ 15V，100a				1.3 ma	不	6.5 nf @ 25 V
ixta3n100p	3.4128	RFQ	3226	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
MII75-12A3	-	RFQ	7156	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MII75			370 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥														npt	1200 v	90 a		2.7V @ 15V，50a				4 mA	不	3.3 NF @ 25 V
IXFN140N60X3	39.5070	RFQ	3436	ixys	-	管子	积极的				IXFN140						-				238-ixfn140n60x3			10
IXYR50N120C3D1	12.7526	RFQ	2148	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyr50	标准		290 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，50A，5OHM，15V											195 ns	-	1200 v	56 a	210 a	4V @ 15V，50a	3MJ（在）（1MJ）上（1MJ）	142 NC	28ns/133ns
IXFT16N90Q	-	RFQ	7179	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT16		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	16A（TC）	10V	650MOHM @ 8A，10V	5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXYK120N120C3	27.8000	RFQ	40	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXYK120	标准		1500 w		TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			600V，100A，1OHM，15V												-	1200 v	240 a	700 a	3.2V @ 15V，120a	6.75mj（在）上，5.1MJ（（）	412 NC	35NS/176NS
IXXN200N60B3H1	38.0680	RFQ	5875	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXXN200			780 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	200 a		1.7V @ 15V，100a				50 µA	不	9.97 NF @ 25 V
IXYH20N120C3	5.8513	RFQ	9311	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh20	标准		278 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V												-	1200 v	40 a	96 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS
IXA30PG1200DHG-TUB	21.1660	RFQ	7880	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA30			150 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥														pt	1200 v	43 a		2.2V @ 15V，25a				2.1 MA	不
MIXA151W1200EH	-	RFQ	6630	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	-	-	Mixa151			695 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														pt	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				500 µA	不
IXFR15N80Q	-	RFQ	1180	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR15		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	13A（TC）	10V	600MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±20V	4300 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXYH60N90C3	8.5300	RFQ	58	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH60	标准		750 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，60a，3ohm，15V												-	900 v	140 a	310 a	2.7V @ 15V，60a	2.7MJ（在）上，1.55MJ off）	107 NC	30ns/87ns
IXTH62N25T	-	RFQ	6113	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth62		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	62A（TC）		-	-				-	-
IXTN200N10T	40.5100	RFQ	4725	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN200		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	200a（TC）	10V	5.5MOHM @ 50a，10v	4.5V @ 250µA	152 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	550W（TC）
LGB8207ATH	-	RFQ	3357	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-LGB8207ATHTR	Ear99	8541.29.0095	800
IXYA20N65C3	2.8766	RFQ	7300	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixya20	标准		230 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，20A，20欧姆，15V											34 ns	-	650 v	20 a	105 a	2.5V @ 15V，20A	430µJ（在）上，650µJ（650µJ）	30 NC	19NS/80NS
IXGQ240N30PB	-	RFQ	1450	ixys	Polar™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ240	标准		500 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	300 v	240 a		1.6V @ 15V，120a	-	225 NC	-
IXFH150N17T2	10.3300	RFQ	7057	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH150		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		175 v	150a（TC）	10V	12mohm @ 75a，10v	4.5V @ 1mA	233 NC @ 10 V	±20V	14600 PF @ 25 V	-	880W（TC）
IXGH30N120IH	-	RFQ	9814	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准				TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v	50 a		-	-		-
IXTP72N20T	-	RFQ	9007	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp72		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXGQ30N60C2D4	-	RFQ	7660	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ30	标准				to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	600 v	30 a		-	-		-
IXFR90N20Q	-	RFQ	8960	ixys	Hiperfet™，Q类	盒子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXFR90		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		200 v	-		-	-				-	-
IXT-1-1N100S1	-	RFQ	7606	ixys	-	管子	积极的	-	-	-	ixt-1		MOSFET （金属 o化物）			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	94		n通道		1000 v	1.5A（TC）		-	-				-	-
IXTH260N055T2	8.1700	RFQ	9	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH260		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	260a（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTH180N10T	7.5100	RFQ	60	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH180		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	180a（TC）	10V	6.4mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTQ102N20T	-	RFQ	6463	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ102		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	102A（TC）		23mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	114 NC @ 10 V		6800 PF @ 25 V	-	750W（TC）
IXTQ30N50L2	14.1720	RFQ	4912	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²