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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXYJ20N120C3D1	13.9640	RFQ	3661	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyj20	标准		105 w		ISO247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V											195 ns	-	1200 v	21 a	84 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS
IXTH15N50L2	11.9100	RFQ	8	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH15		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH26P20P	-	RFQ	254	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	26a（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXBP5N160G	-	RFQ	9920	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXBP5N160	标准		68 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，3A，47OHM，10V												-	1600 v	5.7 a		7.2V @ 15V，3A	-	26 NC	-
IXA20IF1200HB	4.8564	RFQ	8939	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA20IF1200	标准		165 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，15a，56ohm，15V											350 ns	pt	1200 v	38 a		2.1V @ 15V，15a	1.55MJ（在）上，1.7MJ OFF）	47 NC	-
IXGM40N60A	-	RFQ	1837年	ixys	-		过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXGM40			250 w	标准	到204	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	单身的														-	600 v	75 a		3V @ 15V，40a				200 µA	不	4.5 nf @ 25 V
ixta76p10t	6.5100	RFQ	492	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		100 v	76A（TC）	10V	25mohm @ 38a，10v	4V @ 250µA	197 nc @ 10 V	±15V	13700 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXT-1-1N100S1-TR	-	RFQ	6689	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	ixt-1		MOSFET （金属 o化物）			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	1.5A（TC）		-	-				-	-
IXTQ480P2	7.9200	RFQ	6691	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ480		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	52A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	4.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXGH32N60BD1	-	RFQ	4751	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V											25 ns	-	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V，32a	600µJ（离）	110 NC	25n/100n
IXFH100N25P	12.5700	RFQ	240	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH100		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	5V @ 4mA	185 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IRFP260	-	RFQ	6209	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IRFP260X	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	46A（TC）	10V	55mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IXTY08N50D2	2.4900	RFQ	5253	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		500 v	800mA（TC）	-	4.6ohm @ 400mA，0v	-	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXFK48N55	-	RFQ	3362	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		550 v	48A（TC）	10V	110MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTT16P60P	13.1300	RFQ	4064	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT16		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		600 v	16A（TC）	10V	720MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH120N25X3	13.8500	RFQ	60	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	12mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	122 NC @ 10 V	±20V	7870 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXT-1-1N100S1	-	RFQ	7606	ixys	-	管子	积极的	-	-	-	ixt-1		MOSFET （金属 o化物）			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	94		n通道		1000 v	1.5A（TC）		-	-				-	-
IXGQ30N60C2D4	-	RFQ	7660	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ30	标准				to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	600 v	30 a		-	-		-
IXTH260N055T2	8.1700	RFQ	9	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH260		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	260a（TC）	10V	3.3mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	140 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFX80N15Q	-	RFQ	9369	ixys	-	管子	过时的				IXFX80						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXYT40N120A4HV	11.1433	RFQ	2458	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXYT40	标准		600 w		TO-268HV ixyt）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-IXYT40N120A4HV	Ear99	8541.29.0095	30			600V，32A，5OHM，15V												pt	1200 v	140 a	275 a	1.8V @ 15V，32a	2.3MJ（在）上，3.75MJ off）	90 nc	22NS/204NS
IXTY18P10T	4.0200	RFQ	30	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty18		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixty18p10t	Ear99	8541.29.0095	70		P通道		100 v	18A（TC）	10V	120mohm @ 9a，10v	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±15V	2100 PF @ 25 V	-	83W（TC）
MKI50-12F7	118.2500	RFQ	6	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MKI50			350 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	完整的桥梁逆变器														npt	1200 v	65 a		3.8V @ 15V，50a				700 µA	不	3.3 NF @ 25 V
IXGH32N60C	-	RFQ	4159	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		200 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH32N60C-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V												-	600 v	60 a	120 a	2.5V @ 15V，32a	320µJ（离）	110 NC	25NS/85NS
ixta14n60p	4.9300	RFQ	250	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta14		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH6N120P	12.0200	RFQ	5939	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	6A（TC）	10V	2.4ohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	92 NC @ 10 V	±30V	2830 PF @ 25 V	-	250W（TC）
IXFX25N90	-	RFQ	6503	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX25		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	25A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	240 NC @ 10 V	±20V	10800 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTT110N10P	7.5317	RFQ	3254	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT110		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	110A（TC）	10V	15mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3550 pf @ 25 V	-	480W（TC）
GMM3X180-004X2-SMD	-	RFQ	6214	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼	GMM3x180		MOSFET （金属 o化物）	-		24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		-	4.5V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
FII30-06D	-	RFQ	2836	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FII30			100 W	标准	ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	半桥														npt	600 v	30 a		2.4V @ 15V，20A				600 µA	不	1.1 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²