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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXTV96N25T IXYS ixtv96n25t -
RFQ
 ECAD 5962 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3，短选项卡 ixtv96 MOSFET （金属 o化物） 加220 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 250 v 96A（TC） 10V 29mohm @ 500mA，10v 5V @ 1mA 114 NC @ 10 V ±30V 6100 PF @ 25 V - 625W（TC）
IXGR50N160H1 IXYS IXGR50N160H1 -
RFQ
 ECAD 6267 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR50 标准 240 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - 230 ns npt 1600 v 75 a 330 a 2.3V @ 15V，50a - 137 NC -
IXGH39N60B IXYS IXGH39N60B -
RFQ
 ECAD 7432 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH39 标准 200 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，39A，4.7OHM，15V - 600 v 76 a 152 a 1.7V @ 15V，39a （4MJ）） 110 NC 25NS/250NS
IXFP90N20X3 IXYS IXFP90N20X3 7.6600
RFQ
 ECAD 1512 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXFP90 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 90A（TC） 10V 12.8mohm @ 45a，10v 4.5V @ 1.5mA 78 NC @ 10 V ±20V 5420 PF @ 25 V - 390W（TC）
MUBW15-12A7 IXYS MUBW15-12A7 83.3700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 mubw15 180 w 三相桥梁整流器 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 npt 1200 v 35 a 2.6V @ 15V，15a 900 µA 是的 1 nf @ 25 V
IXFK120N30T IXYS IXFK120N30T 13.4200
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 ixys hiperfet™，战沟 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFK120 MOSFET （金属 o化物） TO-264AA（IXFK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 300 v 120A（TC） 10V 24mohm @ 60a，10v 5V @ 4mA 265 NC @ 10 V ±20V 20000 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXTR62N15P IXYS IXTR62N15P -
RFQ
 ECAD 4879 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixtr62 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 36a（TC） 10V 45mohm @ 31a，10v 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2250 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXGH25N250 IXYS IXGH25N250 48.8440
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXGH25 标准 250 w TO-247AD - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q5013269 Ear99 8541.29.0095 30 - npt 2500 v 60 a 200 a 5.2V @ 15V，75a - 75 NC -
MIXA30W1200TML IXYS MIXA30W1200TML -
RFQ
 ECAD 9635 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E1 Mixa30 150 w 标准 E1 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 三期逆变器 pt 1200 v 43 a 2.1V @ 15V，25a 150 µA 是的
IXGR72N60C3 IXYS IXGR72N60C3 -
RFQ
 ECAD 2738 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgr72 标准 200 w ISOPLUS247™ - 238-ixgr72N60C3 Ear99 8541.29.0095 30 480V，50a，2ohm，15V 37 ns pt 600 v 80 a 400 a 2.7V @ 15V，50a 1.03mj（在）上，480µJ off） 175 NC 27NS/77NS
IXGH50N60C2 IXYS IXGH50N60C2 -
RFQ
 ECAD 4657 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH50 标准 400 w TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，40a，2ohm，15V pt 600 v 75 a 300 a 2.7V @ 15V，40a 380µJ（OFF） 138 NC 18NS/115NS
IXGA16N60C2D1 IXYS IXGA16N60C2D1 -
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB IXGA16 标准 150 w TO-263AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 400V，12A，22OHM，15V 30 ns pt 600 v 40 a 100 a 3V @ 15V，12A 160µJ（在）（90µJ）上，OFF） 25 NC 16ns/75ns
IXGQ180N33TCD1 IXYS IXGQ180N33TCD1 -
RFQ
 ECAD 4262 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXGQ180 标准 to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 - - 330 v 180 a - - -
IXGH40N120C3 IXYS IXGH40N120C3 10.6950
RFQ
 ECAD 5761 0.00000000 ixys Genx3™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGH40 标准 380 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 600V，30a，3ohm，15V pt 1200 v 75 a 200 a 4.4V @ 15V，30a 1.8mj（在）上，550µJ（OFF） 142 NC 17NS/130NS
MIXA61H1200ED IXYS Mixa61H1200ED 83.8500
RFQ
 ECAD 17 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 Mixa61 290 w 标准 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 完整的桥梁逆变器 pt 1200 v 85 a 2.1V @ 15V，55a 500 µA 不
IXGA20N120B3-TRL IXYS IXGA20N120B3-TRL 4.3290
RFQ
 ECAD 5336 0.00000000 ixys Genx3™ 胶带和卷轴（（tr） 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixga20 标准 180 w TO-263（D2PAK） - rohs3符合条件 到达不受影响 238-ixga20n120b3-trltr Ear99 8541.29.0095 800 600V，16A，15OHM，15V 31 ns pt 1200 v 36 a 80 a 3.1V @ 15V，16a （920µJ）（在），560µJ（OFF）上） 51 NC 16NS/150NS
FDM15-06KC5 IXYS FDM15-06KC5 -
RFQ
 ECAD 8123 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ FDM15 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS I4-PAC™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 600 v 15A（TC） 10V 165mohm @ 12a，10v 3.5V @ 790µA 52 NC @ 10 V ±20V 2000 pf @ 100 V - -
IXGR40N60B2 IXYS IXGR40N60B2 -
RFQ
 ECAD 9794 0.00000000 ixys HiperFast™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXGR40 标准 167 w ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，30a，3.3ohm，15V pt 600 v 60 a 200 a 1.9V @ 15V，30a 400µJ（离） 100 NC 18NS/130NS
IXYK100N65B3D1 IXYS IXYK100N65B3D1 -
RFQ
 ECAD 9876 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixyk100 标准 830 w TO-264 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 400V，50a，3ohm，15V 37 ns - 650 v 225 a 460 a 1.85V @ 15V，70a 1.27MJ（在）上，2MJ OFF） 168 NC 29NS/150NS
VDI50-12P1 IXYS VDI50-12P1 -
RFQ
 ECAD 9299 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 vdi 208 w 标准 Eco-PAC2 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 单身的 npt 1200 v 49 a 3.7V @ 15V，50a 1.1 MA 是的 1.65 NF @ 25 V
IXTH24N50 IXYS IXTH24N50 -
RFQ
 ECAD 1870年 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth24 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q2768977 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4V @ 250µA 190 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXGT40N120B2D1 IXYS IXGT40N120B2D1 -
RFQ
 ECAD 5680 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT40 标准 380 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，40a，2ohm，15V 100 ns pt 1200 v 75 a 200 a 3.5V @ 15V，40a 4.5mj（在）上，3MJ（3mj） 138 NC 21NS/290NS
IXYA8N90C3D1 IXYS ixya8n90c3d1 4.1055
RFQ
 ECAD 1507 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixya8n90 标准 125 w TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 450V，8A，30OHM，15V 114 ns - 900 v 20 a 48 a 2.5V @ 15V，8a （460µJ）（180µJ降），OFF） 13.3 NC 16NS/40NS
IXYA20N120C3HV IXYS IXYA20N120C3HV 6.3389
RFQ
 ECAD 7915 0.00000000 ixys XPT™，GenX3™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixya20 标准 278 w TO-263HV 下载 rohs3符合条件 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 600V，20a，10ohm，15V 29 ns - 1200 v 40 a 96 a 3.4V @ 15V，20A 1.3mj（在）上，1MJ（1MJ） 53 NC 20N/90NS
IXTP150N15X4 IXYS IXTP150N15X4 9.1500
RFQ
 ECAD 29 0.00000000 ixys Ultra X4 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP150 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 150a（TC） 10V 7.2MOHM @ 75A，10V 4.5V @ 250µA 105 NC @ 10 V ±20V 5500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXFB52N90P IXYS IXFB52N90P 28.4491
RFQ
 ECAD 4642 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXFB52 MOSFET （金属 o化物） 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 n通道 900 v 52A（TC） 10V 160mohm @ 26a，10v 6.5V @ 1mA 308 NC @ 10 V ±30V 19000 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXTQ120N15P IXYS IXTQ120N15P 8.1083
RFQ
 ECAD 6447 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ120 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 120A（TC） 10V 16mohm @ 500mA，10v 5V @ 250µA 150 NC @ 10 V ±20V 4900 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFR24N80P IXYS IXFR24N80P 12.0027
RFQ
 ECAD 6454 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR24 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 13A（TC） 10V 420MOHM @ 12A，10V 5V @ 4mA 105 NC @ 10 V ±30V 7200 PF @ 25 V - 208W（TC）
IXFH16N120P IXYS IXFH16N120P 21.2700
RFQ
 ECAD 2002 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH16 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1200 v 16A（TC） 10V 950MOHM @ 8A，10V 6.5V @ 1mA 120 NC @ 10 V ±30V 6900 PF @ 25 V - 660W（TC）
IXYH100N65C3 IXYS IXYH100N65C3 12.1400
RFQ
 ECAD 420 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYH100 标准 830 w TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 400V，50a，3ohm，15V pt 650 v 200 a 420 a 2.3V @ 15V，70a 2.15MJ（在）上，840µJ off） 164 NC 28NS/106NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

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    30,000,000

    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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