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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGM30N60	-	RFQ	9302	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM30	标准		200 w		TO-204AE	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20														200 ns	-	600 v	50 a	100 a	2.5V @ 15V，30a	-	180 NC	100NS/500NS
IXFP22N65X2M	5.1000	RFQ	7242	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP22		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	22a（TC）	10V	145mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	37 NC @ 10 V	±30V	2190 pf @ 25 V	-	37W（TC）
IXYA8N250CHV	15.8500	RFQ	112	ixys	XPT™	大部分	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixya8n250	标准		280 w		TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			1250V，8a，15ohm，15V											5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
IXFK32N100X	23.0500	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	32A（TC）	10V	220MOHM @ 16A，10V	6V @ 4mA	130 NC @ 10 V	±30V	4075 PF @ 25 V	-	890W（TC）
ixta3n120hv-trl	5.3310	RFQ	7792	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n120hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1200 v	3A（TC）	10V	4.5OHM @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXTQ86N25T	6.4897	RFQ	4483	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ86		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtq86n25t	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	86A（TC）	10V	37MOHM @ 43A，10V	5V @ 1mA	105 NC @ 10 V	±30V	5330 PF @ 25 V	-	540W（TA）
ixta32p20t-trl	5.9855	RFQ	3659	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta32		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta32p20t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		200 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	14500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
ixta20n65x-trl	6.0096	RFQ	8605	ixys	Ultra X	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta20		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta20n65x-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	320W（TC）
ixta230n075t2-trl	4.2408	RFQ	7320	ixys	TRENCHT2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta230		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta230n075t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		75 v	230a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	178 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXYP20N65B3D1	-	RFQ	3133	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP20	标准		230 w		TO-220	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N65B3D1	Ear99	8541.29.0095	50			400V，20A，20欧姆，15V											25 ns	pt	650 v	58 a	108 a	2.1V @ 15V，20A	（500µJ）（在450µJ上）	29 NC	12NS/103NS
IXFA7N80P-TRL	2.4395	RFQ	7226	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA7N80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa7n80p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	200W（TC）
MCB40P1200LB-TRR	-	RFQ	9128	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	MCB40P1200		（SIC）	-		9-SMPD-B	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCB40P1200LB-TRRTR	Ear99	8541.29.0095	200	2 n 通道（双）公共来源			1200V（1.2kV）	58a		-	-	-		-	-
IXYH20N65C3D1	6.9113	RFQ	6805	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh20	标准		230 w		TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyH20N65C3D1	Ear99	8541.29.0095	30			400V，20A，20欧姆，15V											34 ns	pt	650 v	50 a	105 a	2.5V @ 15V，20A	（430µJ）（在350µJ上）	30 NC	19NS/80NS
MMIX1Y82N120C3H1	45.9840	RFQ	9694	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1Y82	标准		320 w		24-smpd	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIX1Y82N120C3H1	Ear99	8541.29.0095	20			600V，80a，2ohm，15V											78 ns	pt	1200 v	78 a	320 a	3.4V @ 15V，82a	4.95MJ（在）上，2.78mj off）	215 NC	29NS/192NS
IXFH240N15X3	18.6923	RFQ	9265	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH240		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfh240n15x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	240a（TC）	10V	5.4MOHM @ 120A，10V	4.5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	9580 pf @ 25 V	-	780W（TC）
IXG100IF1200HF	23.3630	RFQ	8103	ixys	X2PT™	管子	积极的		通过洞	TO-247-3变体	IXG100	标准				加上247™-3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixg100if1200hf		0000.00.0000	30			-												pt	1200 v	140 a		-	-		-
IXTP76N25TM	3.9398	RFQ	5291	ixys	沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXTP76		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp76n25tm	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	76A（TC）	10V	44mohm @ 38a，10v	5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	4920 PF @ 25 V	-	460W（TC）
ixta6n100d2-trl	5.2825	RFQ	1953年	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta6		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta6n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	6a（TJ）	0V	2.2OHM @ 3a，0v	4.5V @ 250µA	95 NC @ 5 V	±20V	2650 pf @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IXFA22N65X2-TRL	5.8800	RFQ	1742年	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA22		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfa22n65x2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		650 v	22a（TC）	10V	145mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	37 NC @ 10 V	±30V	2190 pf @ 25 V	-	390W（TC）
IXYP20N65C3	4.5286	RFQ	3781	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	-	-	IXYP20	-		200 w		-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP20N65C3	Ear99	8541.29.0095	50			-											135 ns	-	650 v	50 a	105 a	-	-	30 NC	-
IXYH30N120B4	8.6576	RFQ	8892	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh30	标准		500 w		TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyh30n120b4	Ear99	8541.29.0095	30			960V，25a，5ohm，15V											60 ns	pt	1200 v	100 a	174 a	2.1V @ 15V，25a	4.4MJ（在）上，2.6MJ off）	58 NC	20N/245NS
ixyy8n90c3-trl	1.8159	RFQ	5194	ixys	GenX3™，XPT™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixyy8n90	标准		125 w		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyy8nnn90c3-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500			450V，8A，30OHM，15V											20 ns	pt	900 v	20 a	48 a	3V @ 15V，8a	（460µJ）（180µJ降），OFF）	13.3 NC	16NS/40NS
IXYH120N65B3	20.6163	RFQ	4631	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH120	标准		1360 w		TO-247（IXYH）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYH120N65B3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，2ohm，15V											28 ns	pt	650 v	340 a	760 a	1.9V @ 15V，100a	1.34mj（在）上，1.5MJ OFF）	250 NC	30ns/168ns
ixta42n25p-trl	3.2181	RFQ	6689	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta42		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta42n25p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		250 v	42A（TC）	10V	84mohm @ 21a，10v	5.5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2300 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFN74N100X	91.6000	RFQ	9959	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN74		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-1402-ixfn74n100x	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	74A（TC）	10V	66mohm @ 37a，10v	5.5V @ 8mA	425 NC @ 10 V	±30V	17000 PF @ 25 V	-	1170W（TC）
MIXA100W1200TEH	153.4920	RFQ	5477	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa100			500 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														pt	1200 v	155 a		2.1V @ 15V，100a				300 µA	是的
MIXA150W1200TEH	180.8320	RFQ	5245	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa150			695 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														pt	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				500 µA	是的
MIXA60WB1200TEH	112.4900	RFQ	5	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa60			290 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														pt	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a				500 µA	是的
IXXN200N60B3	38.5500	RFQ	16	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXXN200			940 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	280 a		1.7V @ 15V，100a				50 µA	不	9.97 NF @ 25 V
IXGH56N60A3	-	RFQ	9031	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH56	标准		330 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，44A，5OHM，15V												pt	600 v	150 a	370 a	1.35V @ 15V，44a	1MJ（在）上，3.75MJ（OFF）	140 NC	26NS/310NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²