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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFT6N100Q	-	RFQ	6927	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft6		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	4.5V @ 2.5mA	48 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXFH120N15P	10.0100	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	120A（TC）	10V	16mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTH32N65X	7.1147	RFQ	9871	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	32A（TC）	10V	135mohm @ 16a，10v	5.5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	2205 pf @ 25 V	-	500W（TC）
VIO75-06P1	-	RFQ	1825年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vio			208 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	69 a		2.8V @ 15V，75a				800 µA	不	2.8 nf @ 25 V
IXXH75N60C3	11.2550	RFQ	4006	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXH75	标准		750 w		TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，5ohm，15V												pt	600 v	150 a	300 a	2.3V @ 15V，60a	1.6mj（在）上，800µJ（800µJ）	107 NC	35NS/90NS
IXFA270N06T3	6.5200	RFQ	50	ixys	HiperFet™，Trencht3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA270		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		60 V	270a（TC）	10V	3.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXGR24N120C3H1	-	RFQ	6333	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGR24	标准				ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v	48 a		-	-		-
ixta75n10p-trl	3.2181	RFQ	3504	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta75		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta75n10p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	75A（TC）	10V	25mohm @ 37.5a，10v	5.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXFA20N85XHV	8.6700	RFQ	6183	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA20		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		850 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXFQ94N30P3	11.6500	RFQ	5858	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ94		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq94n30p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	94A（TC）	10V	36mohm @ 47a，10v	5V @ 4mA	102 NC @ 10 V	±20V	5510 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXFN280N07	24.3020	RFQ	4801	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN280		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		70 v	280a（TC）	10V	5mohm @ 120a，10v	4V @ 8mA	420 NC @ 10 V	±20V	9400 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTF280N055T	-	RFQ	1679年	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	IXTF280		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		55 v	160a（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9800 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IRFP470	-	RFQ	2501	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP47		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4V @ 250µA	190 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK170N10	21.9556	RFQ	4375	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK170		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	170a（TC）	10V	10mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	515 NC @ 10 V	±20V	10300 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXFX30N50	-	RFQ	7363	ixys	-	管子	过时的				IXFX30						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
ixta160n10t	4.7488	RFQ	2754	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta160		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	160a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	6600 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXTH1N250	42.6600	RFQ	1274	ixys	-	管子	积极的		通过洞	TO-247-3	ixth1		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		2500 v	1.5A（TC）		40ohm @ 750mA，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V		1660 pf @ 25 V	-
FMD40-06KC	-	RFQ	6003	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMD40		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	38A（TC）	10V	70mohm @ 20a，10v	3.9V @ 2.7mA	250 NC @ 10 V	±20V		-	-
IXFK90N65X3	17.9400	RFQ	7004	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的				IXFK90						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfk90n65x3	Ear99	8541.29.0095	300
ixtp60n20x4	10.7300	RFQ	372	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp60		MOSFET （金属 o化物）			TO-220（IXTP）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixtp60n20x4	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	60a（TC）	10V	21mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 25 V	-	250W（TC）
ixta76n075t	-	RFQ	9909	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	76A（TC）	10V	12mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	57 NC @ 10 V	±20V	2580 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXFH21N50Q	-	RFQ	9817	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH21		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	21a（TC）	10V	250mohm @ 10.5a，10v	4.5V @ 4mA	84 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	280W（TC）
IXFK32N80P	16.9400	RFQ	8637	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK32		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	32A（TC）	10V	270mohm @ 16a，10v	5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8800 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXFP5N50PM	-	RFQ	2828	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP5N50		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	3.2A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.5A，10V	5.5V @ 500µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	38W（TC）
IXFA18N65X3	5.2144	RFQ	8309	ixys	-	管子	积极的				IXFA18						-				238-ixfa18n65x3			50
IXFH32N48Q	-	RFQ	4215	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH32		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		480 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 15a，10v	4V @ 4mA	300 NC @ 10 V	±20V	5200 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTT10P50	-	RFQ	6677	ixys	-	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt10		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		P通道		500 v	10A（TC）	10V	900MOHM @ 5A，10V	5V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	4700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXYN82N120C3	41.0700	RFQ	18	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn82			500 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1200 v	105 a		3.2V @ 15V，82a				25 µA	不	4.1 NF @ 25 V
IXBK55N300	107.9000	RFQ	9638	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXBK55	标准		625 w		TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-											1.9 µs	-	3000 v	130 a	600 a	3.2V @ 15V，55a	-	335 NC	-
IXGM17N100A	-	RFQ	3190	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM17	标准		150 w		TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			800V，17a，82ohm，15V											200 ns	-	1000 v	34 a	68 a	4V @ 15V，17a	3MJ（（）	120 NC	100NS/500NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²