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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 输入类型 技术 力量 -最大 输入 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 配置 fet 测试条件 （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（） trr） IGBT类型 电压 -收集器发射器故障（最大） 电流 -ic（IC）（最大） 电流 -icm） （在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic 切换能量 门充电 TD （开/关） @ 25°C 当前 -收集器截止（最大） NTC热敏电阻 （CIES） @ vce
IXYX25N250CV1HV IXYS IXYX25N250CV1HV 46.6600
RFQ
 ECAD 418 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXYX25 标准 937 w 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1250V，25a，5ohm，15V 220 ns - 2500 v 95 a 235 a 4V @ 15V，25a 8.3mj（在）上，7.3mj（7.3MJ） 147 NC 15NS/230NS
IXFC15N80Q IXYS IXFC15N80Q -
RFQ
 ECAD 7493 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 ISOPLUS220™ IXFC15N80 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS220™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 800 v 13A（TC） 10V 650MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 4mA 90 NC @ 10 V ±20V 4300 PF @ 25 V - 230W（TC）
IXGP24N60C4 IXYS IXGP24N60C4 -
RFQ
 ECAD 2427 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXGP24 标准 190 w TO-220-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 360V，24a，10ohm，15V pt 600 v 56 a 130 a 2.7V @ 15V，24a （400µJ）（在300µJ上） 64 NC 21NS/143NS
IXYB82N120C3H1 IXYS IXYB82N120C3H1 31.0900
RFQ
 ECAD 2354 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixyb82 标准 1040 w 加上264™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixyB82N120C3H1 Ear99 8541.29.0095 25 600V，80a，2ohm，15V 420 ns - 1200 v 164 a 320 a 3.2V @ 15V，82a 4.95MJ（在）上，2.78mj off） 215 NC 29NS/192NS
IXKR25N80C IXYS IXKR25N80C 26.1800
RFQ
 ECAD 8613 0.00000000 ixys coolmos™ 管子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXKR25 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 800 v 25A（TC） 10V 150MOHM @ 18A，10V 4V @ 2mA 355 NC @ 10 V ±20V - -
IXGT32N170A IXYS IXGT32N170A 23.2513
RFQ
 ECAD 4378 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT32 标准 350 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 850V，32A，2.7OHM，15V npt 1700 v 32 a 110 a 5V @ 15V，21a 1.5mj（（） 155 NC 46NS/260NS
IXFX74N50P2 IXYS IXFX74N50P2 -
RFQ
 ECAD 6575 0.00000000 ixys Hiperfet™，Polarhv™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX74 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 74A（TC） 10V 77MOHM @ 500mA，10V 5V @ 4mA 165 NC @ 10 V ±30V 9900 PF @ 25 V - 1400W（TC）
IXGT20N120 IXYS IXGT20N120 -
RFQ
 ECAD 4039 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT20 标准 150 w TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 800V，20A，47OHM，15V - 1200 v 40 a 80 a 2.5V @ 15V，20A 6.5MJ（） 63 NC 28NS/400NS
IXTL2X200N085T IXYS IXTL2X200N085T -
RFQ
 ECAD 7330 0.00000000 ixys TRENCHMV™ 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 isoplusi5-pak™ ixtl2x200 MOSFET （金属 o化物） 150W isoplusi5-pak™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 85V 112a 6mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 152NC @ 10V 7600pf @ 25V -
MUBW15-06A7 IXYS MUBW15-06A7 -
RFQ
 ECAD 3908 0.00000000 ixys - 盒子 过时的 -40°C〜125°C（TJ） 底盘安装 E2 mubw15 100 W 三相桥梁整流器 E2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 6 三期逆变器 npt 600 v 25 a 2.3V @ 15V，15a 600 µA 是的 800 pf @ 25 V
IXGT31N60D1 IXYS IXGT31N60D1 -
RFQ
 ECAD 4699 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXGT31 标准 150 w TO-268AA 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 480V，31a，10ohm，15V 25 ns - 600 v 60 a 80 a 1.7V @ 15V，31a 6MJ（（） 80 NC 15NS/400NS
IXGH6N170 IXYS IXGH6N170 13.3100
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixgh6 标准 75 w TO-247AD 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 1360v，6a，33ohm，15V npt 1700 v 12 a 24 a 4V @ 15V，6A 1.5mj（（） 20 nc 40NS/250NS
IXTA05N100 IXYS IXTA05N100 4.2210
RFQ
 ECAD 7985 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta05 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 750mA（TC） 10V 17ohm @ 375mA，10v 4.5V @ 250µA 7.8 NC @ 10 V ±30V 260 pf @ 25 V - 40W（TC）
IXFP34N65X3 IXYS IXFP34N65X3 8.6100
RFQ
 ECAD 9042 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixfp34 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3（IXFP） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 238-ixfp34n65x3 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 650 v 34A（TC） 100mohm @ 17a，10v 5.2V @ 2.5mA 29 NC @ 10 V ±20V 2025 PF @ 25 V - 446W（TC）
IXYK140N90C3 IXYS IXYK140N90C3 21.5600
RFQ
 ECAD 754 0.00000000 ixys GenX3™，XPT™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA IXYK140 标准 1630 w TO-264（ixyk） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Q7763666a Ear99 8541.29.0095 25 450V，100A，1OHM，15V - 900 v 310 a 840 a 2.7V @ 15V，140a 4.3MJ（在）上，4MJ（4MJ） 330 NC 40NS/145NS
IXFH28N50Q IXYS IXFH28N50Q -
RFQ
 ECAD 4718 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFH28 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD（IXFH） 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 28a（TC） 10V 200mohm @ 14a，10v 4.5V @ 4mA 94 NC @ 10 V ±30V 3000 pf @ 25 V - 375W（TC）
IXFN62N80Q3 IXYS IXFN62N80Q3 60.1900
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q3类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN62 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixfn62n80q3 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 800 v 49A（TC） 10V 140mohm @ 31a，10v 6.5V @ 8mA 270 NC @ 10 V ±30V 13600 PF @ 25 V - 960W（TC）
IXTP90N055T2 IXYS IXTP90N055T2 2.7700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp90 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 90A（TC） 10V 8.4mohm @ 25a，10v 4V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 2770 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXFN48N50U2 IXYS IXFN48N50U2 -
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN48 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 500 v 48A（TC） 10V 100mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 270 NC @ 10 V ±20V 8400 PF @ 25 V - 520W（TC）
IXTH90P10P IXYS IXTH90P10P 11.6500
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 ixys Polarp™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth90 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 90A（TC） 10V 25mohm @ 45a，10v 4V @ 250µA 120 NC @ 10 V ±20V 5800 pf @ 25 V - 462W（TC）
IXTH36P10 IXYS IXTH36P10 -
RFQ
 ECAD 5739 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixth36 MOSFET （金属 o化物） TO-247（IXTH） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 P通道 100 v 36a（TC） 10V 75mohm @ 18a，10v 5V @ 250µA 95 NC @ 10 V ±20V 2800 PF @ 25 V - 180W（TC）
VHM40-06P1 IXYS VHM40-06P1 -
RFQ
 ECAD 9598 0.00000000 ixys - 盒子 积极的 -40°C〜150°C（TJ） 底盘安装 Eco-PAC2 VHM40 MOSFET （金属 o化物） - Eco-PAC2 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 25 2 n 通道（双） 600V 38a 70mohm @ 25a，10v 5.5V @ 3mA 220NC @ 10V - -
IXTA12N50P IXYS ixta12n50p 4.1000
RFQ
 ECAD 287 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta12 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 12A（TC） 10V 500mohm @ 6a，10v 5.5V @ 250µA 29 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 200W（TC）
IXTA50N20P IXYS IXTA50N20P 5.1400
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 ixys 极性 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 表面安装 TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB ixta50 MOSFET （金属 o化物） TO-263AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixta50n20p Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 50A（TC） 10V 60mohm @ 50a，10v 5V @ 250µA 70 NC @ 10 V ±20V 2720 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFN44N60 IXYS IXFN44N60 -
RFQ
 ECAD 7440 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN44 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 600 v 44A（TC） 10V 130MOHM @ 500mA，10V 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 8900 PF @ 25 V - 600W（TC）
IXFX300N20X3 IXYS IXFX300N20X3 34.3400
RFQ
 ECAD 5510 0.00000000 ixys Hiperfet™，Ultra X3 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXFX300 MOSFET （金属 o化物） 加上247™-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 300A（TC） 10V 4mohm @ 150a，10v 4.5V @ 8mA 375 NC @ 10 V ±20V 23800 PF @ 25 V - 1250W（TC）
IXFP5N100PM IXYS IXFP5N100PM 7.5700
RFQ
 ECAD 238 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3完整包，隔离选项卡 IXFP5N100 MOSFET （金属 o化物） TO-220隔离选项卡 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1000 v 2.3a（TC） 10V 2.8ohm @ 2.5a，10v 6V @ 250µA 33.4 NC @ 10 V ±30V 1830 pf @ 25 V - 42W（TC）
IXTP98N075T IXYS IXTP98N075T -
RFQ
 ECAD 9092 0.00000000 ixys - 管子 过时的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp98 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 75 v 98A（TC） 10V - 4V @ 100µA ±20V - 230W（TC）
IXFN230N10 IXYS IXFN230N10 48.3894
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 ixys - 管子 不适合新设计 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXFN230 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 100 v 230a（TC） 10V 6mohm @ 500mA，10v 4V @ 8mA 570 NC @ 10 V ±20V 19000 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXYX40N450HV IXYS IXYX40N450HV 68.0100
RFQ
 ECAD 4156 0.00000000 ixys XPT™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3变体 IXYX40 标准 660 w to-247plus-hv 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 960V，40a，2ohm，15V - 4500 v 95 a 350 a 3.9V @ 15V，40a - 170 NC 36NS/110NS
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    每日平均RFQ量

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    标准产品单位

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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