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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGQ96N30TCD1	-	RFQ	8381	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ96	标准				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											沟	320 v	96 a		-	-		-
IXTL2N450	128.4100	RFQ	8995	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	ixtl2		MOSFET （金属 o化物）			isoplusi5-pak™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	627941	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		4500 v	2A（TC）	10V	23ohm @ 1A，10V	6V @ 250µA	156 NC @ 10 V	±20V	6900 PF @ 25 V	-	220W（TC）
IXYH40N120C3	11.7300	RFQ	3230	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		577 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，10ohm，15V											-	1200 v	70 a	115 a	4V @ 15V，40a	3.9mj（在）上，660µJ降低）	85 NC	24NS/125NS
IXFP72N20X3M	8.6700	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP72		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	72A（TC）	10V	20mohm @ 36a，10v	4.5V @ 1.5mA	55 NC @ 10 V	±20V	3780 pf @ 25 V	-	36W（TC）
IXFM1766	-	RFQ	3010	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	IXFM17		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-			-	-	-	-		-		-	-
IXFV12N80PS	-	RFQ	2027	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV12		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	12A（TC）	10V	850MOHM @ 500mA，10V	5.5V @ 2.5mA	51 NC @ 10 V	±30V	2800 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFV12N120P	-	RFQ	4909	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXFV12		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	12A（TC）	10V	1.35ohm @ 500mA，10v	6.5V @ 1mA	103 NC @ 10 V	±30V	5400 PF @ 25 V	-	543W（TC）
IXFN180N10	-	RFQ	6103	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN180		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	479462	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	180a（TC）	10V	8mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFT80N65X2HV	16.0900	RFQ	5185	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	80A（TC）	10V		5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFQ10N80P	-	RFQ	4610	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ10		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	5.5V @ 2.5mA	40 NC @ 10 V	±30V	2050 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH58N20Q	-	RFQ	3525	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH58		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用		IXFH58N20Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	58A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
fmp36-015p	-	RFQ	1142	ixys	Polar™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMP36		MOSFET （金属 o化物）	125W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n和p通道			150V	36a，22a		40mohm @ 31a，10v	5.5V @ 250µA	70NC @ 10V		2250pf @ 25V	-
IXFT120N25X3HV	14.7700	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT120		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	12mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	122 NC @ 10 V	±20V	7870 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXGQ180N33TC	-	RFQ	2038	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ180	标准				to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-											-	330 v	180 a		-	-		-
IXFR15N100Q	-	RFQ	8395	ixys	-	管子	过时的				IXFR15						-		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30					-
IXTT40N50L2-TRL	15.8720	RFQ	3695	ixys	线性l2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT40		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtt40n50l2-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		500 v	40a（TC）	10V	170mohm @ 20a，10v	4.5V @ 250µA	320 NC @ 10 V	±20V	10400 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXTA180N10T7-TRL	4.2172	RFQ	2338	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta180		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta180n10t7-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	180a（TC）	10V	6.4mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	151 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFX80N50P	22.9000	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX80		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfx80n50p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	80A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	5V @ 8mA	197 nc @ 10 V	±30V	12700 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXFY26N30x3	4.6800	RFQ	8	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXFY26		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		300 v	26a（TC）	10V	66mohm @ 13a，10v	4.5V @ 500µA	22 NC @ 10 V	±20V	1465 PF @ 25 V	-	170W（TC）
IXBH40N160	-	RFQ	6715	ixys	Bimosfet™	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXBH40	标准		350 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXBH40N160-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			960v，20a，22ohm，15V											-	1600 v	33 a	40 a	7.1V @ 15V，20A	-	130 NC	-
MTC120WX75GD-SMD	32.2900	RFQ	7619	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	ISOPLUS-DIL™	MTC120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MTC120WX75GD-SMD	Ear99	8541.29.0095	13	6 n通道（3相桥）			75V	180a（TC）		3.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 1mA	178nc @ 10V		10500pf @ 25V	-
ixta5n50p	-	RFQ	2176	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta5		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	4.8A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.4a，10V	5.5V @ 50µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	89W（TC）
IXFH80N25X3	11.9100	RFQ	21	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfh80n25x3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	80A（TC）	10V	16mohm @ 40a，10v	4.5V @ 1.5mA	83 NC @ 10 V	±20V	5430 pf @ 25 V	-	390W（TC）
IXTY2N65X2	2.1200	RFQ	5583	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty2		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		650 v	2A（TC）	10V	2.3OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	4.3 NC @ 10 V	±30V	180 pf @ 25 V	-	55W（TC）
IXFX48N60P	13.6427	RFQ	3580	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX48		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	48A（TC）	10V	135mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8860 pf @ 25 V	-	830W（TC）
IXTH30N50	-	RFQ	2527	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	227 NC @ 10 V	±20V	5680 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTP76N075T	-	RFQ	7631	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP76		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	76A（TC）	10V	12mohm @ 25a，10v	4V @ 50µA	57 NC @ 10 V	±20V	2580 pf @ 25 V	-	176W（TC）
MWI450-12E9	-	RFQ	5403	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E+	MWI450			2200 w	标准	E+	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三期													npt	1200 v	640 a		2.4V @ 15V，450a				1 MA	是的	33 NF @ 25 V
MCB20P1200LB-TRR	-	RFQ	1558年	ixys	MCB20P1200LB	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	表面安装	9-PowersMD	MCB20P1200		（SIC）	-		9-SMPD-B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MCB20P1200LB-TRRTR	Ear99	8541.29.0095	200	4（n n 通道（半桥）			1200V（1.2kV）	-		-	-	-		-	-
IXTC180N055T	-	RFQ	7142	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	ISOPLUS220™	IXTC180		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	-		-	-				-	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²