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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFL70N60Q2	-	RFQ	1587年	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL70		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	37A（TC）	10V	92MOHM @ 35A，10V	5.5V @ 8mA	265 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXGQ90N33TC	-	RFQ	9308	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ90	标准		200 w		to-3p	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												沟	330 v	90 a		1.8V @ 15V，45a	-	69 NC	-
VWI20-06P1	-	RFQ	9477	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vwi20			73 W	标准	Eco-PAC2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	三相逆变器														npt	600 v	19 a		2.4V @ 15V，10a				600 µA	是的	600 pf @ 25 V
IXTF230N085T	-	RFQ	9452	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	IXTF230		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		85 v	130a（TC）	10V	5.3MOHM @ 50a，10V	4V @ 250mA	187 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXTN60N50L2	51.3300	RFQ	1	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn60		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	53A（TC）	10V	100mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	610 NC @ 10 V	±30V	24000 pf @ 25 V	-	735W（TC）
IXFK90N60X	18.6260	RFQ	5793	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK90		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	90A（TC）	10V	38mohm @ 45a，10v	4.5V @ 8mA	210 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	1100W（TC）
IXTQ32N65X	6.5380	RFQ	6674	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq32		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	32A（TC）	10V	135mohm @ 16a，10v	5.5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	2205 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXTT69N30P	10.9903	RFQ	7604	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt69		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	69A（TC）	10V	49mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	4960 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXTH6N90	-	RFQ	2006	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	6A（TC）	10V	1.8Ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	130 NC @ 10 V	±20V	2600 PF @ 25 V	-	180W（TC）
GWM120-0075P3-SMD SAM	-	RFQ	5936	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，鸥翼	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			75V	118a		5.5MOHM @ 60a，10V	4V @ 1mA	100NC @ 10V		-	-
MWI75-12A8	-	RFQ	8611	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MWI75			500 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	1200 v	125 a		2.6V @ 15V，75a				5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
IXTH44P15T	8.1900	RFQ	246	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth44		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		150 v	44A（TC）	10V	65mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXTH30N25	-	RFQ	7268	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	30A（TC）	10V	75mohm @ 15a，10v	4V @ 250µA	136 NC @ 10 V	±20V	3950 pf @ 25 V	-	200W（TC）
ixta1n170dhv	20.3200	RFQ	1917年	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1700 v	1A（TC）	10V	16ohm @ 500mA，0v	-	47 NC @ 5 V	±20V	3090 pf @ 25 V	耗尽模式	290W（TC）
IXFH60N25Q	-	RFQ	4393	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	60a（TC）	10V	47mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	5100 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXGH30N60C2	-	RFQ	9994	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V												pt	600 v	70 a	150 a	2.7V @ 15V，24a	290µJ（OFF）	70 NC	13NS/70NS
IXA20PG1200DHG-TRR	16.2582	RFQ	6685	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA20			130 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	200	半桥														pt	1200 v	32 a		2.1V @ 15V，15a				125 µA	不
IXFM42N20	-	RFQ	5725	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXFM42		MOSFET （金属 o化物）			TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		200 v	42A（TC）	10V	60mohm @ 21a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXSN62N60U1	-	RFQ	2414	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXSN62			250 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	90 a		2.5V @ 15V，50a				750 µA	不	4.5 nf @ 25 V
IXTP20N65X	6.4315	RFQ	7285	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	320W（TC）
IXFA80N25X3-TRL	9.9500	RFQ	248	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	800		n通道		250 v	80A（TC）	10V	16mohm @ 40a，10v	4.5V @ 1.5mA	83 NC @ 10 V	±20V	5430 pf @ 25 V	-	390W（TC）
ixta24n65x2	5.7200	RFQ	2790	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta24		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixta24n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2060 pf @ 25 V	-	390W（TC）
IXTH06N220P3HV	-	RFQ	5332	ixys	Polar P3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXTH06		MOSFET （金属 o化物）			TO-247HV	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		2200 v	600mA（TC）	10V	80ohm @ 300mA，10v	4V @ 250µA	10.4 NC @ 10 V	±20V	290 pf @ 25 V	-	104W（TC）
IXGH30N60B2D1	-	RFQ	3205	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24A，5OHM，15V											25 ns	pt	600 v	70 a	150 a	1.8V @ 15V，24a	320µJ（离）	66 NC	13NS/110NS
IXFP20N50P3M	4.8100	RFQ	57	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp20n50p3m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	8A（TC）	10V	300mohm @ 10a，10v	5V @ 1.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	1800 pf @ 25 V	-	58W（TC）
IXGX120N60B	-	RFQ	4390	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX120	标准		660 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q2675300	Ear99	8541.29.0095	30			480V，100A，2.4OHM，15V												pt	600 v	200 a	300 a	2.1V @ 15V，120a	2.4MJ（在）上，5.5MJ off）	350 NC	60NS/200NS
MWI35-12A7T	-	RFQ	8916	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI35			280 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	1200 v	62 a		2.8V @ 15V，35a				2 ma	是的	2 NF @ 25 V
IXFT150N20T	18.8863	RFQ	6479	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT150		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	150a（TC）	10V	15mohm @ 75a，10v	5V @ 4mA	177 NC @ 10 V	±20V	11700 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFR32N100P	22.4577	RFQ	9179	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR32		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	18A（TC）	10V	340MOHM @ 16A，10V	6.5V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	14200 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXGN60N60C2	-	RFQ	6873	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn60			480 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	75 a		2.5V @ 15V，50a				650 µA	不	4.75 NF @ 25 V

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²