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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFT88N28P	-	RFQ	6631	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的				ixft88						-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30
VDI100-06P1	-	RFQ	3171	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			294 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	93 a		2.8V @ 15V，100a				1.4 MA	是的	4.2 NF @ 25 V
MWI75-12T7T	-	RFQ	8484	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI75			355 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														沟	1200 v	110 a		2.15V @ 15V，75a				4 mA	是的	5.35 NF @ 25 V
IXGR45N120	-	RFQ	4670	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGR45	标准				ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v	90 a		-	-		-
MIXA81WB1200TEH	-	RFQ	7604	ixys	-	盒子	在sic中停产	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixa81			390 w	三相桥梁整流器	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三期逆变器														pt	1200 v	120 a		2.1V @ 15V，75a				200 µA	是的
IXFQ21N50Q	-	RFQ	5479	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ21		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	21a（TC）		-	-				-	-
VDI25-06P1	-	RFQ	5858	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			82 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	600 v	24.5 a		2.9V @ 15V，25a				600 µA	是的	8 nf @ 25 V
IXGT50N90B2	-	RFQ	1007	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT50	标准		400 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			720V，50a，5ohm，15V												pt	900 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，50a	4.7MJ（）	135 NC	20N/350N
IXXX200N65B4	2000年2月27日	RFQ	868	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXXX200	标准		1150 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，100A，1OHM，15V												pt	650 v	370 a	1000 a	1.7V @ 15V，160a	4.4mj（在）上，2.2MJ off）	553 NC	62NS/245NS
ixtk62n25	-	RFQ	4158	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk62		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	62A（TC）	10V	35mohm @ 31a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXST45N120B	-	RFQ	9045	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST45	标准		300 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，45A，5OHM，15V												pt	1200 v	75 a	180 a	3V @ 15V，45a	（13mj））	120 NC	36NS/360NS
IXTP4N70X2M	3.3100	RFQ	26	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp4		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		700 v	4A（TC）	10V	850MOHM @ 2A，10V	4.5V @ 250µA	11.8 NC @ 10 V	±30V	386 pf @ 25 V	-	30W（TC）
IXYH100N65A3	18.0973	RFQ	3941	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH100	标准		470 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，2ohm，15V											64 ns	-	650 v	240 a	480 a	1.8V @ 15V，70a	3.15MJ（在）上，2.2MJ off）	178 NC	24NS/174NS
IXGH10N100A	-	RFQ	9352	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixgh10	标准		100 W		TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1000 v	20 a		4V @ 15V，10a	-		-
IXFP10N80P	6.3800	RFQ	281	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	10A（TC）	10V	1.1OHM @ 5A，10V	5.5V @ 2.5mA	40 NC @ 10 V	±30V	2050 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFH80N65X2-4	16.2800	RFQ	2016	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-ixfh80n65x2-4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	80A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFH94N30T	12.9570	RFQ	9525	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH94		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	94A（TC）	10V	36mohm @ 47a，10v	5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXXQ30N60B3M	5.6000	RFQ	7705	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXXQ30	标准		90 W		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixxq30n60b3m	Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V											36 NS	-	600 v	33 a	140 a	1.85V @ 15V，24a	（550µJ）（在800µJ上）	39 NC	23ns/150ns
IXYH40N65B3D1	6.4158	RFQ	7131	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		300 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											37 ns	-	650 v	86 a	195 a	2V @ 15V，40a	（800µJ）（在1.25MJ）上	68 NC	20N/140NS
IXBH20N360HV	131.8200	RFQ	1	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBH20	标准		430 w		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1500V，20a，10ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	70 a	220 a	3.4V @ 15V，20A	15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF）	110 NC	18NS/238NS
IXBT16N170AHV	16.6173	RFQ	9900	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT16	标准		150 w		TO-268HV（IXBT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1360v，10a，10ohm，15V											25 ns	-	1700 v	16 a	40 a	6V @ 15V，10a	2.5MJ（）	65 NC	15NS/250NS
IXTA152N085T	-	RFQ	9151	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta152		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	152a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTK20N150	48.1264	RFQ	5284	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk20		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1500 v	20A（TC）	10V	1ohm @ 10a，10v	4.5V @ 1mA	215 NC @ 10 V	±30V	7800 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
MUBW25-06A6	-	RFQ	4690	ixys	-	盒子	过时的	150°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw			77 w	三相桥梁整流器	E1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	600 v	27.5 a		2.5V @ 15V，20A				1 MA	是的	1.1 NF @ 25 V
IXGF25N300	-	RFQ	8253	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXGF25	标准		114 W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-	3000 v	27 a	140 a	5.5V @ 15V，75a	-	75 NC	-
IXGN200N60	-	RFQ	6399	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200			600 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	单身的														-	600 v	200 a		2.5V @ 15V，100a				200 µA	不	9 nf @ 25 V
IXGH25N100AU1	-	RFQ	8085	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH25	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			800V，25a，33ohm，15V											50 ns	-	1000 v	50 a	100 a	4V @ 15V，25a	（5MJ））	130 NC	100NS/500NS
IXGA16N60B2	-	RFQ	1619年	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA16	标准		150 w		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V												pt	600 v	40 a	100 a	1.95V @ 15V，12A	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	24 NC	18NS/73NS
IXTP130N10T	3.8500	RFQ	43	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP130		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXGP20N100	-	RFQ	8042	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP20	标准		150 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			800V，20A，47OHM，15V												pt	1000 v	40 a	80 a	3V @ 15V，20A	3.5MJ（）	73 NC	30NS/350NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²