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晶体管（（3903）

参考图片 产品编号 （（（） 数量 ECAD 可用数量 （kg） MFR 系列 包裹 产品状态 工作温度 安装类型 包装 /案例 基本产品编号 技术 供应商设备包 数据表 Rohs状态 （MSL） 达到状态 其他名称 ECCN htsus 标准包 fet （VDSS） 电流 -id（ID） @ 25°C 驱动电压（最大 rds，最小rds打开） RDS（最大值） @ ID，VGS VGS（TH）（最大） @ ID （QG））（最大） @ vgs VGS（VGS） （ciss）（最大（ciss） @ vds fet （（（）
IXTJ36N20 IXYS ixtj36n20 -
RFQ
 ECAD 2421 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 ixtj36 MOSFET （金属 o化物） TO-247AD 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 36a（TC） 10V 70MOHM @ 18A，10V 4V @ 4mA 140 NC @ 10 V ±20V 2970 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTK180N15 IXYS ixtk180n15 -
RFQ
 ECAD 3235 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk180 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 180a（TC） 10V 9mohm @ 500mA，10v 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 7000 PF @ 25 V - 730W（TC）
IXTK62N25 IXYS ixtk62n25 -
RFQ
 ECAD 4158 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk62 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 62A（TC） 10V 35mohm @ 31a，10v 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 390W（TC）
IXTK8N150L IXYS ixtk8n150l 42.6100
RFQ
 ECAD 3716 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk8 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 -ixtk8n150l Ear99 8541.29.0095 25 n通道 1500 v 8A（TC） 20V 3.6OHM @ 4A，20V 8V @ 250µA 250 NC @ 15 V ±30V 8000 PF @ 25 V - 700W（TC）
IXTK90N15 IXYS IXTK90N15 -
RFQ
 ECAD 3118 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-264-3，TO-264AA ixtk90 MOSFET （金属 o化物） TO-264（IXTK） 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 90A（TC） 10V 16mohm @ 45a，10v 4V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 6400 PF @ 25 V - 390W（TC）
IXTN120N25 IXYS IXTN120N25 -
RFQ
 ECAD 4916 0.00000000 ixys Megamos™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 IXTN120 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 250 v 120A（TC） 20mohm @ 500mA，10v 4V @ 250µA 360 NC @ 10 V 7700 PF @ 25 V - 730W（TC）
IXTN8N150L IXYS IXTN8N150L 53.8500
RFQ
 ECAD 160 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 底盘安装 SOT-227-4，迷你布洛克 ixtn8 MOSFET （金属 o化物） SOT-227B 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 10 n通道 1500 v 7.5A（TC） 20V 3.6OHM @ 4A，20V 8V @ 250µA 250 NC @ 15 V ±30V 8000 PF @ 25 V - 545W（TC）
IXTP140N055T2 IXYS IXTP140N055T2 5.0302
RFQ
 ECAD 6075 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP140 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 55 v 140a（TC） 10V 5.4mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 82 NC @ 10 V ±20V 4760 pf @ 25 V - 250W（TC）
IXTP15N50L2 IXYS IXTP15N50L2 10.2500
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 ixys 线性l2™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp15 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 500 v 15A（TC） 10V 480MOHM @ 7.5A，10V 4.5V @ 250µA 123 NC @ 10 V ±20V 4080 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXTP160N04T2 IXYS IXTP160N04T2 -
RFQ
 ECAD 5458 0.00000000 ixys TRENCHT2™ 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 IXTP160 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 40 V 160a（TC） 10V 5mohm @ 50a，10v 4V @ 250µA 79 NC @ 10 V ±20V 4640 pf @ 25 V - 250W（TC）
IXTP27N20T IXYS IXTP27N20T -
RFQ
 ECAD 7734 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp27 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 27a（TC） - - - -
IXTP36N20T IXYS IXT36N20T -
RFQ
 ECAD 8938 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp36 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 36a（TC） - - - -
IXTP36N30T IXYS IXT36N30T -
RFQ
 ECAD 4597 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp36 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 300 v 36a（TC） 110MOHM @ 500mA，10V - 70 NC @ 10 V 2250 pf @ 25 V - -
IXTP38N15T IXYS ixtp38n15t -
RFQ
 ECAD 5690 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-220-3 ixtp38 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 150 v 38A（TC） - - - -
IXTP3N110 IXYS ixtp3n110 -
RFQ
 ECAD 3982 0.00000000 ixys - 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp3 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 1100 v 3A（TC） 10V 4ohm @ 1.5A，10V 5V @ 250µA 42 NC @ 10 V ±20V 1350 pf @ 25 V - 150W（TC）
IXTP86N20T IXYS IXTP86N20T 6.2700
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 -55°C〜175°C（TJ） 通过洞 TO-220-3 ixtp86 MOSFET （金属 o化物） TO-220-3 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 50 n通道 200 v 86A（TC） 10V 29mohm @ 500mA，10v 5V @ 1mA 90 NC @ 10 V ±30V 4500 PF @ 25 V - 480W（TC）
IXTQ30N50L IXYS IXTQ30N50L -
RFQ
 ECAD 2255 0.00000000 ixys 线性 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 IXTQ30 MOSFET （金属 o化物） to-3p 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 200mohm @ 15a，10v 4.5V @ 250µA 240 NC @ 10 V ±20V 10200 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXTQ36N20T IXYS IXTQ36N20T -
RFQ
 ECAD 8891 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 ixtq36 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v - - - - -
IXTQ62N25T IXYS IXTQ62N25T -
RFQ
 ECAD 6083 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 ixtq62 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 250 v 62A（TC） - - - -
IXTQ72N20T IXYS IXTQ72N20T -
RFQ
 ECAD 1775年 0.00000000 ixys 沟 管子 积极的 - 通过洞 TO-3P-3，SC-65-3 ixtq72 MOSFET （金属 o化物） to-3p - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 72A（TC） - - - -
IXFR15N100P IXYS IXFR15N100P -
RFQ
 ECAD 6572 0.00000000 ixys Hiperfet™，极性 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR15 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v - - - - -
IXFR55N50 IXYS IXFR55N50 -
RFQ
 ECAD 7344 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -40°C〜150°C（TJ） 通过洞 TO-247-3 IXFR55 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ 下载 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 48A（TC） 10V 90MOHM @ 27.5A，10V 4.5V @ 8mA 330 NC @ 10 V ±20V 9400 PF @ 25 V - 400W（TC）
IXFR90N20 IXYS IXFR90N20 -
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 ixys - 管子 积极的 - 通过洞 TO-247-3 IXFR90 MOSFET （金属 o化物） ISOPLUS247™ - rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 90A（TC） - - - -
IXFT12N100 IXYS IXFT12N100 -
RFQ
 ECAD 9445 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT12 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 1000 v 12A（TC） 10V 1.05Ohm @ 6a，10v 4.5V @ 4mA 155 NC @ 10 V ±20V 4000 pf @ 25 V - 300W（TC）
IXFT24N50 IXYS IXFT24N50 -
RFQ
 ECAD 6417 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft24 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4V @ 4mA 160 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFT24N50Q IXYS IXFT24N50Q -
RFQ
 ECAD 8119 0.00000000 ixys Hiperfet™，Q类 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft24 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 24A（TC） 10V 230mohm @ 12a，10v 4.5V @ 4mA 95 NC @ 10 V ±20V 3900 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFT26N50 IXYS IXFT26N50 -
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft26 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 26a（TC） 10V 200mohm @ 13a，10v 4V @ 4mA 160 NC @ 10 V ±20V 4200 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFT30N50Q IXYS IXFT30N50Q -
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft30 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 500 v 30A（TC） 10V 160mohm @ 15a，10v 4.5V @ 4mA 190 NC @ 10 V ±20V 4925 PF @ 25 V - 360W（TC）
IXFT70N15 IXYS IXFT70N15 -
RFQ
 ECAD 6698 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 积极的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA IXFT70 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 rohs3符合条件 （1 （无限） 到达不受影响 Ear99 8541.29.0095 30 n通道 150 v 70A（TC） 10V 28mohm @ 35a，10v 4V @ 4mA 180 NC @ 10 V ±20V 3600 PF @ 25 V - 300W（TC）
IXFT74N20 IXYS IXFT74N20 -
RFQ
 ECAD 9781 0.00000000 ixys Hiperfet™ 管子 过时的 -55°C 〜150°C（TJ） 表面安装 TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA ixft74 MOSFET （金属 o化物） TO-268AA 下载 （1 （无限） Ear99 8541.29.0095 30 n通道 200 v 74A（TC） 10V 30mohm @ 500mA，10v 4V @ 4mA 280 NC @ 10 V ±20V 5400 PF @ 25 V - 360W（TC）
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    每日平均RFQ量

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    标准产品单位

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    全球制造商

  • In-stock Warehouse

    15,000 m2

    智能仓库

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA裸露的垫子

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