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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFP56N30x3	8.6700	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP56		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	56A（TC）	10V	27mohm @ 28a，10v	4.5V @ 1.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	3750 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXTP110N055P	-	RFQ	8457	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP110		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	110A（TC）	10V	13.5mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	76 NC @ 10 V	±20V	2210 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXYK120N120B3	30.9676	RFQ	8704	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXYK120	标准		1500 w		TO-264（ixyk）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixyk120n120b3	Ear99	8541.29.0095	25			960V，100A，1OHM，15V											54 ns	pt	1200 v	320 a	800 a	2.2V @ 15V，100a	9.7mj（在）上，21.5MJ off）	400 NC	30NS/340NS
GWM120-00753	-	RFQ	3183	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM120		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	6 n通道（3相桥）			75V	118a		5.5MOHM @ 60a，10V	4V @ 1mA	100NC @ 10V		-	-
IXGH64N60A3	-	RFQ	9363	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH64	标准		460 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v												pt	600 v		400 a	1.35V @ 15V，50a	1.42mj（在）上，3.28mj off）	167 NC	26NS/268NS
IXTH56N15T	-	RFQ	7778	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth56		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	56A（TC）		-	-				-	-
IXFT88N30P-TRL	11.0257	RFQ	9585	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft88		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixft88n30p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTQ50N20P	5.6000	RFQ	6092	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ50		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	50A（TC）	10V	60mohm @ 50a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2720 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTQ52P10P	7.5500	RFQ	6	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq52		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		100 v	52A（TC）	10V	50MOHM @ 52A，10V	4.5V @ 250µA	60 NC @ 10 V	±20V	2845 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXXA50N60B3	7.7760	RFQ	2273	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXXA50	标准		600 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			360V，36a，5ohm，15V											40 ns	-	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）（1.2MJ）上）	70 NC	27NS/150NS
IXGH48N60A3D1	10.1700	RFQ	264	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH48	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，32A，5OHM，15V											25 ns	pt	600 v		300 a	1.35V @ 15V，32a	（950µJ）（在），2.9MJ（2.9MJ）中	110 NC	25NS/334N
MUBW35-12A7	-	RFQ	4885	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	mubw35			225 w	三相桥梁整流器	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器														npt	1200 v	50 a		3.1V @ 15V，35a				1.1 MA	是的	1.65 NF @ 25 V
IXTP10P15T	3.7300	RFQ	56	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	10A（TC）	10V	350MOHM @ 5A，10V	4.5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±15V	2210 PF @ 25 V	-	83W（TC）
IXTJ4N150	11.9200	RFQ	3400	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtj4		MOSFET （金属 o化物）			ISO247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1500 v	2.5A（TC）	10V	6ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±30V	1576 PF @ 25 V	-	110W（TC）
IXGL50N60BD1	-	RFQ	6952	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGL50	标准				ISOPLUS264™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-	600 v			-	-		-
GWM180-004X2-SL	-	RFQ	2675	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM180		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）			40V	180a		2.5MOHM @ 100A，10V	4.5V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
IXGR35N120B	-	RFQ	3525	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr35	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35A，4.7OHM，15V												pt	1200 v	70 a	140 a	3.3V @ 15V，35a	3.8MJ（（）	170 NC	50NS/180NS
IXFP36N303	3.6441	RFQ	4934	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 25 V	-	347W（TC）
VMO60-05F	-	RFQ	1380	ixys	Hiperfet™	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMO60		MOSFET （金属 o化物）			TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		500 v	60a（TC）	10V	75mohm @ 500mA，10v	4V @ 24mA	405 NC @ 10 V	±20V	12600 PF @ 25 V	-	590W（TC）
IXTQ52N30P	6.9900	RFQ	9803	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq52		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	52A（TC）	10V	66mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	110 NC @ 10 V	±20V	3490 pf @ 25 V	-	400W（TC）
IXFN520N075T2	35.8100	RFQ	8670	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN520		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		75 v	480a（TC）	10V	1.9MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	545 NC @ 10 V	±20V	41000 PF @ 25 V	-	940W（TC）
IXFK100N65x2	19.8900	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK100		MOSFET （金属 o化物）			TO-264	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		650 v	100A（TC）	10V	30mohm @ 50a，10v	5.5V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±30V	11300 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXTH150N15X4	12.1500	RFQ	97	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH150		MOSFET （金属 o化物）			TO-247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	150a（TC）	10V	7.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFH76N07-11	8.3538	RFQ	9525	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH76		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		70 v	76A（TC）	10V	11mohm @ 40a，10v	3.4V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXKC40N60C	-	RFQ	5094	ixys	coolmos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC40		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	28a（TC）	10V	95mohm @ 28a，10v	3.9V @ 2mA	230 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	-
IXGN72N60A3	-	RFQ	6139	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn72			360 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	160 a		1.35V @ 15V，60a				75 µA	不	6.6 NF @ 25 V
IXFE23N100	-	RFQ	2165	ixys	Hiperfet™	盒子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe23		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		1000 v	21a（TC）	10V	430MOHM @ 11.5A，10V	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±20V	7000 PF @ 25 V	-	500W（TC）
中期100-12A3	-	RFQ	1102	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	中期100			560 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	单身的														npt	1200 v	135 a		2.7V @ 15V，75a				5 ma	不	5.5 nf @ 25 V
FII30-12E	-	RFQ	5946	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FII30			150 w	标准	ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	半桥														npt	1200 v	33 a		2.9V @ 15V，20A				200 µA	不	1.2 nf @ 25 V
IXYP20N120C3	6.5700	RFQ	9881	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP20	标准		278 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			600V，20a，10ohm，15V												-	1200 v	40 a	96 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²