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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXTA340N04T4	5.9700	RFQ	216	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta340		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	340a（TC）	10V	1.7MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	256 NC @ 10 V	±15V	13000 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFQ30N60X	7.8100	RFQ	5	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfq30n60x	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	30A（TC）	10V	155mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	56 NC @ 10 V	±30V	2270 pf @ 25 V	-	500W（TC）
IXFP16N85XM	8.3328	RFQ	3347	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-	-	-	IXFP16		-			-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp16n85xm	Ear99	8541.29.0095	50		-			-	-	-	-		-		-	-
IXTH90N15T	-	RFQ	2737	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth90		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	90A（TC）	10V	20mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1mA	80 NC @ 10 V	±30V	4100 PF @ 25 V	-	455W（TC）
VID25-12P1	-	RFQ	2771	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vid			130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	30 a		3.3V @ 15V，25a				900 µA	是的	1 nf @ 25 V
IXFA30N60X	5.1560	RFQ	3582	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA30		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	30A（TC）	10V	155mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	56 NC @ 10 V	±30V	2270 pf @ 25 V	-	500W（TC）
ixta4n150hv-trl	20.2798	RFQ	9789	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta4		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta4n150hv-trl	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1500 v	4A（TC）	10V	6ohm @ 2a，10v	5V @ 250µA	44.5 NC @ 10 V	±30V	1576 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IXGH60N60B2	-	RFQ	9444	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH60	标准		500 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，50a，3.3Ohm，15V												pt	600 v	75 a	300 a	1.8V @ 15V，50a	1MJ （关闭）	170 NC	28NS/160NS
MIXG120W1200TEH	155.5040	RFQ	5781	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜175°C（TJ）	底盘安装	E3	Mixg120			625 w	标准	E3	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG120W1200TEH	Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														pt	1200 v	186 a		2V @ 15V，100a				2 ma	是的
IXYH50N65C3H1	13.2400	RFQ	269	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH50	标准		600 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，36a，5ohm，15V											120 ns	pt	650 v	130 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	1.3mj（在）上，370µJ off）	80 NC	22NS/80NS
IXFA28N60X3	5.6624	RFQ	8230	ixys	-	管子	积极的				IXFA28						-				238-ixfa28n60x3			50
IXGR12N60C	-	RFQ	3354	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR12	标准		55 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，12a，18onm，15v												-	600 v	15 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
IXFK66N85X	28.1500	RFQ	25	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK66		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		850 v	66A（TC）	10V	65mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 8mA	230 NC @ 10 V	±30V	8900 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
ixta3n50d2-trl	2.6990	RFQ	4885	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n50d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		500 v	3A（TJ）	0V	1.5OHM @ 1.5A，0V	4.5V @ 250µA	40 NC @ 5 V	±20V	1070 pf @ 25 V	耗尽模式	125W（TC）
IXYA20N120C3HV-TRL	16.6628	RFQ	1763年	ixys	XPT™，GenX3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB		标准		278 w		TO-263HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixya20n120c3hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			600V，20a，10ohm，15V											29 ns	-	1200 v	40 a	96 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS
VIO25-12P1	-	RFQ	1533年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vio			130 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	30 a		3.3V @ 15V，25a				900 µA	不	1 nf @ 25 V
IXGX50N60C2D1	-	RFQ	9339	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXGX50	标准		480 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2ohm，15V											35 ns	pt	600 v	75 a	300 a	2.5V @ 15V，40a	380µJ（OFF）	138 NC	18NS/115NS
IXFN60N80P	38.5700	RFQ	4903	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN60		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		800 v	53A（TC）	10V	140mohm @ 30a，10v	5V @ 8mA	250 NC @ 10 V	±30V	18000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
MII145-12A3	-	RFQ	2473	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MII145			700 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥														npt	1200 v	160 a		2.7V @ 15V，100a				6 ma	不	6.5 nf @ 25 V
MKI100-12F8	164.4500	RFQ	5148	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MKI100			640 w	标准	E3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	完整的桥梁逆变器														npt	1200 v	125 a		3.9V @ 15V，100a				1.3 ma	不	6.5 nf @ 25 V
IXTY02N120P-TRL	1.1187	RFQ	4221	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY02		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty02n120p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1200 v	200ma（tc）	10V	75ohm @ 100mA，10v	4V @ 100µA	4.7 NC @ 10 V	±20V	104 pf @ 25 V	-	33W（TC）
ixtt96n20p-trl	7.8667	RFQ	8192	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt96		MOSFET （金属 o化物）			TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtt96n20p-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		200 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 48a，10v	5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTP10N60PM	-	RFQ	3707	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp10		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	5A（TC）	10V	740MOHM @ 5A，10V	5V @ 100µA	32 NC @ 10 V	±30V	1610 PF @ 25 V	-	50W（TC）
IXFN360N15T2	50.8700	RFQ	5949	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN360		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		150 v	310a（TC）	10V	4mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	715 NC @ 10 V	±20V	47500 PF @ 25 V	-	1070W（TC）
IXFY30N25X3	6.7000	RFQ	6	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixfy30		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		250 v	30A（TC）	10V	60mohm @ 15a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1450 pf @ 25 V	-	176W（TC）
IXFT16N90Q	-	RFQ	7179	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT16		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	16A（TC）	10V	650MOHM @ 8A，10V	5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXYK120N120C3	27.8000	RFQ	40	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXYK120	标准		1500 w		TO-264（ixyk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			600V，100A，1OHM，15V												-	1200 v	240 a	700 a	3.2V @ 15V，120a	6.75mj（在）上，5.1MJ（（）	412 NC	35NS/176NS
IXYH20N120C3	5.8513	RFQ	9311	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh20	标准		278 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V												-	1200 v	40 a	96 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS
IXXN200N60B3H1	38.0680	RFQ	5875	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXXN200			780 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	200 a		1.7V @ 15V，100a				50 µA	不	9.97 NF @ 25 V
IXFH16N120P	21.2700	RFQ	2002	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH16		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	16A（TC）	10V	950MOHM @ 8A，10V	6.5V @ 1mA	120 NC @ 10 V	±30V	6900 PF @ 25 V	-	660W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²