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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXYA20N120C3HV	6.3389	RFQ	7915	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixya20	标准		278 w		TO-263HV	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			600V，20a，10ohm，15V											29 ns	-	1200 v	40 a	96 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，1MJ（1MJ）	53 NC	20N/90NS
IXGT40N120B2D1	-	RFQ	5680	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT40	标准		380 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，40a，2ohm，15V											100 ns	pt	1200 v	75 a	200 a	3.5V @ 15V，40a	4.5mj（在）上，3MJ（3mj）	138 NC	21NS/290NS
IXSH24N60U1	-	RFQ	6369	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH24	标准		150 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，24a，10ohm，15V											50 ns	-	600 v	48 a	96 a	2.2V @ 15V，24a	2MJ（（）	75 NC	100NS/450NS
IXTP150N15X4	9.1500	RFQ	29	ixys	Ultra X4	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP150		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	150a（TC）	10V	7.2MOHM @ 75A，10V	4.5V @ 250µA	105 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTQ120N15P	8.1083	RFQ	6447	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ120		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	120A（TC）	10V	16mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	150 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFB52N90P	28.4491	RFQ	4642	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB52		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		900 v	52A（TC）	10V	160mohm @ 26a，10v	6.5V @ 1mA	308 NC @ 10 V	±30V	19000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXYA20N65C3	2.8766	RFQ	7300	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixya20	标准		230 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，20A，20欧姆，15V											34 ns	-	650 v	20 a	105 a	2.5V @ 15V，20A	430µJ（在）上，650µJ（650µJ）	30 NC	19NS/80NS
LGB8207ATH	-	RFQ	3357	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-LGB8207ATHTR	Ear99	8541.29.0095	800
IXFR24N80P	12.0027	RFQ	6454	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	13A（TC）	10V	420MOHM @ 12A，10V	5V @ 4mA	105 NC @ 10 V	±30V	7200 PF @ 25 V	-	208W（TC）
IXYT80N90C3	10.4730	RFQ	2638	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixyt80	标准		830 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，80a，2ohm，15V												-	900 v	165 a	360 a	2.7V @ 15V，80a	4.3mj（在）上，1.9MJ（（）	145 NC	34NS/90NS
IXGH32N60AU1	-	RFQ	1144	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		200 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH32N60AU1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	60 a	120 a	2.9V @ 15V，32a	1.8MJ（（）	125 NC	25NS/120NS
ixta3n100p	3.4128	RFQ	3226	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	3A（TC）	10V	4.8OHM @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1100 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXFT94N30P3	14.3500	RFQ	3304	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft94		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft94n30p3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	94A（TC）	10V	36mohm @ 47a，10v	5V @ 4mA	102 NC @ 10 V	±20V	5510 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
MIXA20W1200TML	-	RFQ	5815	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	Mixa20			100 W	标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														pt	1200 v	28 a		2.1V @ 15V，16a				100 µA	是的
MII75-12A3	-	RFQ	7156	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MII75			370 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥														npt	1200 v	90 a		2.7V @ 15V，50a				4 mA	不	3.3 NF @ 25 V
IXYR50N120C3D1	12.7526	RFQ	2148	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyr50	标准		290 w		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，50A，5OHM，15V											195 ns	-	1200 v	56 a	210 a	4V @ 15V，50a	3MJ（在）（1MJ）上（1MJ）	142 NC	28ns/133ns
IXFN140N60X3	39.5070	RFQ	3436	ixys	-	管子	积极的				IXFN140						-				238-ixfn140n60x3			10
IXA30PG1200DHG-TUB	21.1660	RFQ	7880	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA30			150 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥														pt	1200 v	43 a		2.2V @ 15V，25a				2.1 MA	不
MIXA151W1200EH	-	RFQ	6630	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	-	-	Mixa151			695 w	标准	-	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														pt	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				500 µA	不
IXGQ28N120B	-	RFQ	8491	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ28	标准		250 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，28a，5ohm，15V												-	1200 v	50 a	150 a	3.5V @ 15V，28a	2MJ（（）	92 NC	30NS/180NS
Mixa61H1200ED	83.8500	RFQ	17	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa61			290 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	完整的桥梁逆变器														pt	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a				500 µA	不
IXTY2R4N50P	-	RFQ	5177	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty2		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		500 v	2.4A（TC）	10V	3.75ohm @ 500mA，10v	5.5V @ 25µA	6.1 NC @ 10 V	±30V	240 pf @ 25 V	-	55W（TC）
IXGH40N120C3	10.6950	RFQ	5761	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		380 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，30a，3ohm，15V												pt	1200 v	75 a	200 a	4.4V @ 15V，30a	1.8mj（在）上，550µJ（OFF）	142 NC	17NS/130NS
IXGQ180N33TCD1	-	RFQ	4262	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ180	标准				to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	330 v	180 a		-	-		-
IXGA16N60C2D1	-	RFQ	3089	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA16	标准		150 w		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V											30 ns	pt	600 v	40 a	100 a	3V @ 15V，12A	160µJ（在）（90µJ）上，OFF）	25 NC	16ns/75ns
MWI225-17E9	-	RFQ	2087	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E+	MWI225			1400 w	标准	E+	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	三期														npt	1700 v	335 a		2.9V @ 15V，225a				600 µA	是的	22 NF @ 25 V
IXTH30N50L2	17.0700	RFQ	300	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGH24N170A	18.3767	RFQ	2212	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH24	标准		250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，24a，10ohm，15V												npt	1700 v	24 a	75 a	6V @ 15V，16a	2.97mj（在）上（790µJ）off）	140 NC	21NS/336NS
IXYH24N90C3	6.4928	RFQ	3780	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh24	标准		240 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，24A，10OHM，15V												-	900 v	46 a	110 a	2.7V @ 15V，24a	1.35MJ（在）上，400µJ（（）	40 NC	20N/73NS
IXGH240N30PB	-	RFQ	2241	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGH240	标准				TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	300 v	48 a		-	-		-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²