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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGT20N60BD1	-	RFQ	4711	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT20	标准		150 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，20A，10欧姆，15V											25 ns	-	600 v	40 a	80 a	2V @ 15V，20A	（700µJ）（离）	55 NC	15NS/110NS
IXGP4N100	-	RFQ	8315	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP4	标准		40 W		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			800V，4A，120OHM，15V												-	1000 v	8 a	16 a	2.7V @ 15V，4A	900µJ（离）	13.6 NC	20N/390NS
MII145-12A3	-	RFQ	2473	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Y4-M5	MII145			700 w	标准	Y4-M5	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	半桥														npt	1200 v	160 a		2.7V @ 15V，100a				6 ma	不	6.5 nf @ 25 V
IXTQ152N085T	-	RFQ	5141	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ152		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		85 v	152a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
ixta1n200p3hv-trl	-	RFQ	2487	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263HV	-	rohs3符合条件	（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	800		n通道		2000 v	1A（TC）	10V	40ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	23.5 NC @ 10 V	±20V	646 pf @ 25 V	-	125W（TC）
ixtx22n100l	46.6100	RFQ	8154	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx22		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx22n100l	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	22a（TC）	10V	600mohm @ 11a，20v	5V @ 250µA	270 NC @ 15 V	±30V	7050 pf @ 25 V	-	700W（TC）
IXFX44N80Q3	32.0425	RFQ	4814	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX44		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	44A（TC）	10V	190mohm @ 22a，10v	6.5V @ 8mA	185 NC @ 10 V	±30V	9840 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTH26N60P	6.6443	RFQ	9178	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH100N25P	12.5700	RFQ	240	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH100		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	100A（TC）	10V	27mohm @ 50a，10v	5V @ 4mA	185 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IRFP260	-	RFQ	6209	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IRFP26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IRFP260X	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	46A（TC）	10V	55mohm @ 28a，10v	4V @ 250µA	230 NC @ 10 V	±20V	3900 PF @ 25 V	-	280W（TC）
IXTY08N50D2	2.4900	RFQ	5253	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	IXTY08		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		500 v	800mA（TC）	-	4.6ohm @ 400mA，0v	-	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXFK48N55	-	RFQ	3362	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK48		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		550 v	48A（TC）	10V	110MOHM @ 24A，10V	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXTT16P60P	13.1300	RFQ	4064	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT16		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		600 v	16A（TC）	10V	720MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 250µA	92 NC @ 10 V	±20V	5120 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTH15N50L2	11.9100	RFQ	8	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH15		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	15A（TC）	10V	480MOHM @ 7.5A，10V	4.5V @ 250µA	123 NC @ 10 V	±20V	4080 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXYJ20N120C3D1	13.9640	RFQ	3661	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyj20	标准		105 w		ISO247	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，10ohm，15V											195 ns	-	1200 v	21 a	84 a	3.4V @ 15V，20A	1.3mj（在）上，500µJ（OFF）	53 NC	20N/90NS
IXTH26P20P	-	RFQ	254	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH26		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		200 v	26a（TC）	10V	170MOHM @ 13A，10V	4V @ 250µA	56 NC @ 10 V	±20V	2740 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFX170N20P	21.3943	RFQ	2339	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX170		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	170a（TC）	10V	14mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	185 NC @ 10 V	±20V	11400 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXBP5N160G	-	RFQ	9920	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXBP5N160	标准		68 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			960V，3A，47OHM，10V												-	1600 v	5.7 a		7.2V @ 15V，3A	-	26 NC	-
IXA20IF1200HB	4.8564	RFQ	8939	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXA20IF1200	标准		165 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，15a，56ohm，15V											350 ns	pt	1200 v	38 a		2.1V @ 15V，15a	1.55MJ（在）上，1.7MJ OFF）	47 NC	-
IXGM40N60A	-	RFQ	1837年	ixys	-		过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-204AA，TO-3	IXGM40			250 w	标准	到204	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	单身的														-	600 v	75 a		3V @ 15V，40a				200 µA	不	4.5 nf @ 25 V
IXT-1-1N100S1-TR	-	RFQ	6689	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-	-	-	ixt-1		MOSFET （金属 o化物）			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	1.5A（TC）		-	-				-	-
IXTQ480P2	7.9200	RFQ	6691	ixys	Polarp2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ480		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	52A（TC）	10V	120mohm @ 26a，10v	4.5V @ 250µA	108 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXGH32N60BD1	-	RFQ	4751	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V											25 ns	-	600 v	60 a	120 a	2.3V @ 15V，32a	600µJ（离）	110 NC	25n/100n
IXGH10N100	-	RFQ	6588	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixgh10	标准		100 W		TO-247AD	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1000 v	20 a		3.5V @ 15V，10a	-		-
IXFN240N15T2	39.5350	RFQ	1668年	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN240		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		150 v	240a（TC）	10V	5.2MOHM @ 60a，10V	5V @ 8mA	460 NC @ 10 V	±20V	32000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXTQ160N10T	5.4523	RFQ	9008	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ160		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	160a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	132 NC @ 10 V	±30V	6600 PF @ 25 V	-	430W（TC）
MWI45-12T6K	-	RFQ	6900	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	MWI45			160 w	标准	E1	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三相逆变器														沟	1200 v	43 a		2.3V @ 15V，25a				400 µA	是的	1.81 NF @ 25 V
IXFH120N25X3	13.8500	RFQ	60	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH120		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	120A（TC）	10V	12mohm @ 60a，10v	4.5V @ 4mA	122 NC @ 10 V	±20V	7870 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXST15N120BD1	-	RFQ	1822年	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST15	标准		150 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，15a，10ohm，15V											30 ns	pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
IXFA14N60P-TRL	3.2699	RFQ	8870	ixys	Hiperfet™，极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA14		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa14n60p-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²