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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
ixtp12n50p	3.8900	RFQ	175	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	12A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXXP12N65B4D1	2.8766	RFQ	4939	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXXP12	标准		160 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12a，20欧姆，15V											43 ns	-	650 v	38 a	70 a	1.95V @ 15V，12A	440µJ（在）上，220µJ（（）	34 NC	13ns/158ns
FMM110-015X2F	-	RFQ	7604	ixys	Gigamos™，HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM110		MOSFET （金属 o化物）	180W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	2 n 通道（双）			150V	53a		20mohm @ 55a，10v	4.5V @ 250µA	150nc @ 10V		8600pf @ 25V	-
IXTH300N04T2	6.8267	RFQ	9117	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth300		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		40 V	300A（TC）	10V	2.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFH58N20	-	RFQ	4808	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH58		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH58N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	58A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGT24N170AH1	-	RFQ	3709	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT24	标准		250 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	300			850V，24a，10ohm，15V											200 ns	npt	1700 v	24 a	75 a	6V @ 15V，16a	2.97mj（在）上（790µJ）off）	140 NC	21NS/336NS
ixta3n100d2-trl	3.7112	RFQ	6244	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	3A（TJ）	0V	6ohm @ 1.5a，0v	4.5V @ 250µA	37.5 NC @ 5 V	±20V	1020 PF @ 25 V	耗尽模式	125W（TC）
IXUN280N10	-	RFQ	4556	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixun280		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		100 v	280a（TC）	10V	5mohm @ 140a，10v	4V @ 4mA	440 NC @ 10 V	±20V	18000 PF @ 25 V	-	770W（TC）
IXEH40N120	-	RFQ	3376	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXEH40	标准		300 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，39ohm，15V												npt	1200 v	60 a		3V @ 15V，40a	6.1MJ（在）上，3MJ（3MJ）	150 NC	-
ixtd4n80p-3j	-	RFQ	2688	ixys	Polarhv™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	死	ixtd4n		MOSFET （金属 o化物）			死	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道		800 v	3.6A（TC）	10V	3.4OHM @ 1.8A，10V	5.5V @ 100µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXTH50N20	-	RFQ	6970	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth50		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	IXTH50N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	50A（TC）	10V	45mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	220 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXTN79N20	-	RFQ	9988	ixys	-	管子	过时的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN79		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	85A（TC）		-	4V @ 20mA				-	400W（TC）
IXTQ72N20T	-	RFQ	1775年	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq72		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	72A（TC）		-	-				-	-
IXA20RG1200DHG-TUB	15.3975	RFQ	7026	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA20	标准		125 w		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20			600V，15a，56ohm，15V												pt	1200 v	32 a		2.1V @ 15V，15a	1.55MJ（在）上，1.7MJ OFF）	48 NC	-
IXFZ140N25T	34.3115	RFQ	3023	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	6-SMD，平坦的铅	IXFZ140		MOSFET （金属 o化物）			DE475	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		250 v	100A（TC）	10V	17mohm @ 60a，10v	5V @ 4mA	255 NC @ 10 V	±20V	19000 PF @ 25 V	-	445W（TC）
IXTY2N60P	-	RFQ	9042	ixys	Polar™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty2		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		600 v	2A（TC）	10V	5.1OHM @ 1A，10V	5V @ 250µA	7 NC @ 10 V	±30V	240 pf @ 25 V	-	55W（TC）
ixta80n10t-trl	2.4137	RFQ	7279	ixys	沟	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixta80n10t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±20V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
IXTA20N65X	7.9482	RFQ	9945	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta20		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	210mohm @ 10a，10v	5.5V @ 250µA	35 NC @ 10 V	±30V	1390 pf @ 25 V	-	320W（TC）
IXFA60N25X3	8.4800	RFQ	38	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA60		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		250 v	60a（TC）	10V	23mohm @ 30a，10v	4.5V @ 1.5mA	50 NC @ 10 V	±20V	3610 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXTQ36P15P	7.5500	RFQ	9984	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq36		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		P通道		150 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	55 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXFA90N20X3	10.2300	RFQ	50	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXFA90		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	90A（TC）	10V	12.8mohm @ 45a，10v	4.5V @ 1.5mA	78 NC @ 10 V	±20V	5420 PF @ 25 V	-	390W（TC）
IXTP14N60X2	5.5900	RFQ	74	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp14		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixtp14n60x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	14A（TC）	10V	250MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 250µA	16.7 NC @ 10 V	±30V	740 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFN32N120P	73.4200	RFQ	9402	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN32		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfn32n120p	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1200 v	32A（TC）	10V	310MOHM @ 500mA，10V	6.5V @ 1mA	360 NC @ 10 V	±30V	21000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXB200I600NA	-	RFQ	3893	ixys	-	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXB200	标准				SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10			-												NPT，Pt	600 v	300 a		-	-		-
IXYN100N65A3	42.7000	RFQ	2	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixyn100			600 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixyn100N65A3	Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	650 v	170 a		1.8V @ 15V，70a				25 µA	不
IXTN90P20P	38.4800	RFQ	12	ixys	Polarp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn90		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		200 v	90A（TC）	10V	44mohm @ 500mA，10v	4V @ 1mA	205 NC @ 10 V	±20V	12000 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXGH85N30C3	-	RFQ	1242	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH85	标准		333 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			200V，42.5a，3.3Ohm，15V												pt	300 v	75 a	420 a	1.9V @ 15V，85a	200µJ（在）上，390µJ（OFF）	136 NC	25n/100n
IXGN200N60A2	-	RFQ	3652	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200			700 w	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	200 a		1.35V @ 15V，100A				50 µA	不	9.9 NF @ 25 V
IXSH25N120A	-	RFQ	6420	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXSH25	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，25a，18ohm，15V												-	1200 v	50 a	80 a	4V @ 15V，25a	9.6MJ（（）	120 NC	100NS/450NS
IXGA24N60C	-	RFQ	2705	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA24	标准		150 w		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，24a，10ohm，15V												-	600 v	48 a	96 a	2.5V @ 15V，24a	240µJ（离）	55 NC	15NS/75NS

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²