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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFH1799	-	RFQ	1983	ixys	-	管子	过时的				IXFH17						-		（1 （无限）			过时的	0000.00.0000	30					-
IXFH23N60Q	-	RFQ	8251	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH23		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	23A（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	90 NC @ 10 V	±30V	3300 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTQ200N06P	-	RFQ	3389	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ200		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		60 V	200a（TC）	10V	5MOHM @ 400A，15V	5V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	714W（TC）
IXFB210N303	32.0700	RFQ	6367	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB210		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfb210n303	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		300 v	210a（TC）	10V	14.5MOHM @ 105A，10V	5V @ 8mA	268 NC @ 10 V	±20V	16200 PF @ 25 V	-	1890W（TC）
IXFT26N60P	7.0695	RFQ	1320	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH12N100	-	RFQ	8164	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH12N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTP27N20T	-	RFQ	7734	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp27		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	27a（TC）		-	-				-	-
IXEH25N120D1	-	RFQ	1409	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXEH25	标准		200 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，20a，68onm，15V											130 ns	npt	1200 v	36 a		3.2V @ 15V，25a	4.1MJ（在）上，1.5MJ off）	100 NC	-
IXFK35N50	-	RFQ	9959	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK35		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	35A（TC）	10V	150MOHM @ 16.5A，10V	4V @ 4mA	227 NC @ 10 V	±20V	5700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
IXGR40N60C	-	RFQ	3568	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR40	标准		200 w		ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，4.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	150 a	2.7V @ 15V，40a	850µJ（离）	116 NC	25n/100n
IXSN80N60BD1	-	RFQ	5023	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXSN80			420 W	标准	SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	600 v	160 a		2.5V @ 15V，80a				200 µA	不	6.6 NF @ 25 V
MIXG330PF1200PTSF	157.0608	RFQ	8621	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixg330				-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG330PF1200PTSF			24	-														-				-
IXFH6N100F	-	RFQ	6900	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	5.5V @ 2.5mA	54 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXTH140N075L2	18.2938	RFQ	9647	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH140		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	140a（TC）	10V	11mohm @ 70a，10v	4.5V @ 250µA	275 NC @ 10 V	±20V	9300 PF @ 25 V	-	540W（TC）
MIO600-65E11	-	RFQ	3468	ixys	-	托盘	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E11	mio				标准	E11	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	单个开关														npt	6500 v	600 a		4.2V @ 15V，600A				120 MA	不	150 nf @ 25 V
IXTP180N085T	-	RFQ	9439	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP180		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	180a（TC）	10V	5.5MOHM @ 25A，10V	4V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	430W（TC）
IXGH32N60CD1	-	RFQ	9354	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH32	标准		200 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH32N60CD1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，32a，4.7Ohm，15V											25 ns	-	600 v	60 a	120 a	2.5V @ 15V，32a	320µJ（离）	110 NC	25NS/85NS
IXXH30N60C3D1	7.5500	RFQ	7547	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准		270 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V											25 ns	pt	600 v	60 a	110 a	2.3V @ 15V，24a	500µJ（在）上，270µJ（OFF）	37 NC	23ns/77ns
GMM3X100-01X1-SMD	-	RFQ	6014	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-smd，海鸥翼	GMM3x100		MOSFET （金属 o化物）	-		24-SMD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	28	6 n通道（3相桥）			100V	90a		-	4.5V @ 1mA	90NC @ 10V		-	-
MWI75-06A7T	-	RFQ	5130	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI75			280 w	标准	E2	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	600 v	90 a		2.6V @ 15V，75a				1.3 ma	是的	3.2 NF @ 25 V
IXTY32P05T	2.5163	RFQ	1956年	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty32		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		P通道		50 V	32A（TC）	10V	39mohm @ 16a，10v	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±15V	1975 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXFE48N50QD2	-	RFQ	6417	ixys	Hiperfet™，耗尽	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixfe48		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	41A（TC）	10V	110MOHM @ 24A，10V	4V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	8000 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFH74N20	-	RFQ	1069	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH74		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	74A（TC）	10V	30mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	280 NC @ 10 V	±20V	5400 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTP20N65X2M	3.5864	RFQ	5558	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp20		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixtp20n65x2m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	20A（TC）	10V	185mohm @ 10a，10v	4.5V @ 250µA	27 NC @ 10 V	±30V	1450 pf @ 25 V	-	36W（TC）
ixta27n20t	-	RFQ	3572	ixys	沟	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta27		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		20 v	27a（TC）		-	-				-	-
IXFX34N80	20.9458	RFQ	1236	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX34		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFX34N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	34A（TC）	10V	240mohm @ 17a，10v	5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	560W（TC）
ixtv22n50p	-	RFQ	1572年	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	ixtv22		MOSFET （金属 o化物）			加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）
MWI100-12E8	-	RFQ	5567	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MWI100			640 w	标准	E3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	1200 v	165 a		2.5V @ 15V，100a				1.4 MA	不	7.4 nf @ 25 V
IXTM9226	-	RFQ	4913	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtm92		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-			-	-	-	-		-		-	-
IXFP14N60P	3.5284	RFQ	7181	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP14		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	14A（TC）	10V	550MOHM @ 7A，10V	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	300W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²