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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	电压 -额定值	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	频率	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	（amp）	测试条件	功率 -输出	获得	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	噪音图	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	电压 -测试	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXST40N60B2D1	-	RFQ	5529	ixys	-	大部分	过时的		-	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST40	标准					TO-268AA	-		（1 （无限）	到达不受影响	IXST40N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30				-															pt	600 v	48 a		-	-		-
IXFN180N25T	25.8900	RFQ	2851	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN180			MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					250 v	168a（TC）	10V	12.9mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	900W（TC）
IXTA110N055T2	2.9800	RFQ	3	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta110			MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道					55 v	110A（TC）	10V	6.6mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	57 NC @ 10 V	±20V	3060 pf @ 25 V	-	180W（TC）
ixtp32p20t	9.0100	RFQ	8111	ixys	Trechp™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp32			MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道					200 v	32A（TC）	10V	130mohm @ 16a，10v	4V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±15V	14500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGH36N60B3C1	-	RFQ	9289	ixys	Genx3™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH36	标准			250 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，5ohm，15V															pt	600 v	75 a	200 a	1.8V @ 15V，30a	（390µJ）（在800µJ上）	80 NC	20N/125NS
ixtx6n200p3hv	69.9500	RFQ	5005	ixys	Polar P3™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx6			MOSFET （金属 o化物）			to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtx6n200p3Hv	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					2000 v	6A（TC）	10V	4ohm @ 3a，10v	5V @ 250µA	143 NC @ 10 V	±20V	3700 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFN34N80	31.3590	RFQ	3804	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计		-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN34			MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道					800 v	34A（TC）	10V	240mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXSP20N60B2D1	-	RFQ	7179	ixys	-	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXSP20	标准			190 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响	IXSP20N60B2D1-NDR	Ear99	8541.29.0095	50				480V，16a，10ohm，15V														30 ns	pt	600 v	35 a	60 a	2.5V @ 15V，16a	380µJ（OFF）	33 NC	30ns/116ns
IXGT40N60C2D1	-	RFQ	8010	ixys	HiperFast™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT40	标准			300 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				400V，30a，3ohm，15V														25 ns	pt	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，30a	（200µJ）	95 NC	18NS/90NS
VMO1200-01F	170.0700	RFQ	70	ixys	Hiperfet™	托盘	过时的		-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	y3-li	VMO1200			MOSFET （金属 o化物）			y3-li	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1		n通道					100 v	1220a（TC）	10V	1.35MOHM @ 932a，10V	4V @ 64mA	2520 NC @ 10 V	±20V		-	-
IXFH12N100	-	RFQ	8164	ixys	Hiperfet™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH12			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH12N100-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXKR47N60C5	25.5900	RFQ	26	ixys	coolmos™	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKR47			MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					600 v	47A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-
IXGH50N60B	-	RFQ	7731	ixys	HiperFast™	大部分	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准			300 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH50N60B-NDR	Ear99	8541.29.0095	30				480V，50a，2.7Ohm，15V															-	600 v	75 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	3MJ（（）	160 NC	50NS/150NS
IXFT50N85XHV	19.4700	RFQ	4313	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft50			MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					850 v	50A（TC）	10V	105mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 4mA	152 NC @ 10 V	±30V	4480 pf @ 25 V	-	890W（TC）
IXFH140N20X3	13.8500	RFQ	3084	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH140			MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	140a（TC）	10V	9.6mohm @ 70a，10v	4.5V @ 4mA	127 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	520W（TC）
IXTH24N50L	22.5400	RFQ	7442	ixys	线性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth24			MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	24A（TC）	20V	300mohm @ 500mA，20v	5V @ 250µA	160 NC @ 20 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGA16N60B2D1	-	RFQ	3313	ixys	HiperFast™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA16	标准			150 w		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50				400V，12A，22OHM，15V														30 ns	pt	600 v	40 a	100 a	1.95V @ 15V，12A	160µJ（在）上，120µJ（120µJ）	24 NC	18NS/73NS
IXFH88N20Q	-	RFQ	6020	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH88			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	88A（TC）	10V	30mohm @ 44a，10v	4V @ 4mA	146 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFB62N80Q3	43.4700	RFQ	4928	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB62			MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					800 v	62A（TC）	10V	140mohm @ 31a，10v	6.5V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	1560W（TC）
IXZ210N50L	-	RFQ	3415	ixys	-	管子	过时的	500 v			6-SMD模块			175MHz	MOSFET			DE275	-		（1 （无限）	到达不受影响	Q2463978	Ear99	8541.29.0075	30	n通道		10a		200W	16dB											-										50 V
IXGX55N120A3D1	-	RFQ	9017	ixys	-	管子	积极的		-	通过洞	TO-247-3变体	IXGX55	-					加上247™-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30				-															-				-	-		-
IXFT30N50P	12.6006	RFQ	9164	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30			MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 4mA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
GWM120-0075x1-SLSAM	-	RFQ	9884	ixys	-	管子	过时的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM120			MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	6 n通道（3相桥）						75V	110a		4.9Mohm @ 60a，10v	4V @ 1mA	115nc @ 10V		-	-
MMIX1T600N04T2	39.4400	RFQ	20	ixys	FRFET®，Supremos®	管子	积极的		-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1T600			MOSFET （金属 o化物）			24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道					40 V	600A（TC）	10V	1.3MOHM @ 100A，10V	3.5V @ 250µA	590 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
ixtj36n20	-	RFQ	2421	ixys	Hiperfet™	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixtj36			MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道					200 v	36a（TC）	10V	70MOHM @ 18A，10V	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	2970 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXGM25N100A	-	RFQ	8874	ixys	-	管子	过时的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-204AE	IXGM25	标准			200 w		TO-204AE	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20				800V，25a，33ohm，15V														200 ns	-	1000 v	50 a	100 a	4V @ 15V，25a	（5MJ））	180 NC	100NS/500NS
IXFP44N25x3	5.2270	RFQ	2218	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP44			MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp44n25x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道					250 v	44A（TC）	10V	40mohm @ 22a，10v	4.5V @ 1mA	33 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	240W（TC）
Mixa60w1200	88.4783	RFQ	3970	ixys	-	盒子	积极的		-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	Mixa60				290 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三期逆变器																		pt	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a					500 µA	是的
IXFK80N50P	22.2100	RFQ	5	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK80			MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道					500 v	80A（TC）	10V	65mohm @ 40a，10v	5V @ 8mA	197 nc @ 10 V	±30V	12700 PF @ 25 V	-	1040W（TC）
IXFH80N65X2-4	16.2800	RFQ	2016	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的		-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-4	IXFH80			MOSFET （金属 o化物）			TO-247-4L	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	-ixfh80n65x2-4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道					650 v	80A（TC）	10V	38mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±30V	8300 PF @ 25 V	-	890W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²