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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
FMP76-010T	-	RFQ	3948	ixys	Trench™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMP76		MOSFET （金属 o化物）	89W，132W		ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	n和p通道			100V	62a，54a		11mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104NC @ 10V		5080pf @ 25V	-
IXFP18N65X2M	3.7020	RFQ	7005	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	IXFP18		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfp18n65x2m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	18A（TC）	10V	200mohm @ 9a，10v	5V @ 1.5mA	29 NC @ 10 V	±30V	1520 pf @ 25 V	-	290W（TC）
IXTP12N50PM	5.3084	RFQ	5276	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	6A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5.5V @ 250µA	29 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXGN200N60B3	44.7500	RFQ	981	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXGN200			830 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	600 v	300 a		1.5V @ 15V，100a				50 µA	不	26 NF @ 25 V
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IXFN170N25X3	37.1100	RFQ	94	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN170		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		250 v	170a（TC）	10V	7.4mohm @ 85a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	13500 PF @ 25 V	-	390W（TC）
MIXA60HU1200VA	31.4571	RFQ	8617	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1a-pak	Mixa60			290 w	标准	v1a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2独立														pt	1200 v	85 a		2.1V @ 15V，55a				500 µA	不
IXFT7N90Q	-	RFQ	5932	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT7N90		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		900 v	7A（TC）	10V	1.5OHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	56 NC @ 10 V	±20V	2200 PF @ 25 V	-	180W（TC）
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IXTT30N50L2	18.2200	RFQ	3405	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt30n50l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFX27N80Q	27.4000	RFQ	277	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX27		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTQ200N075T	-	RFQ	4537	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ200		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	200a（TC）	10V	5mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	160 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 25 V	-	430W（TC）
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IXFA5N100P	4.0491	RFQ	2945	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA5N100		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1000 v	5A（TC）	10V	2.8ohm @ 2.5a，10v	6V @ 250µA	33.4 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXFK27N80Q	30.2600	RFQ	181	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK27		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXSX40N60BD1	-	RFQ	4417	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXSX40	标准		280 w		加上247™-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，40a，2.7Ohm，15V											35 ns	-	600 v	75 a	150 a	2.2V @ 15V，40a	1.8MJ（（）	190 NC	50NS/110NS
FMM300-0055p	-	RFQ	9606	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1,000	2 n 通道（双）			55V	300A		3.6mohm @ 150a，10v	4V @ 2mA	172nc @ 10V		-	-
IXFP36N60X3	7.0700	RFQ	6408	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfp36n60x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	36a（TC）	10V	90MOHM @ 18A，10V	5V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 25 V	-	446W（TC）
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IXFN110N65X3	33.9180	RFQ	2490	ixys	-	管子	积极的				IXFN110						-				238-ixfn110n65x3			10
IXTH30N50P	9.3900	RFQ	9231	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth30		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXTA152N085T7	-	RFQ	1018	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta152		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	152a（TC）	10V	7mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	114 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTP8N50PM	-	RFQ	2199	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	4A（TC）	10V	800MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 250µA	20 nc @ 10 V	±30V	1050 pf @ 25 V	-	41W（TC）
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IXFC14N60P	-	RFQ	2058	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXFC14N60		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	8A（TC）	10V	630mohm @ 7a，10v	5.5V @ 2.5mA	36 NC @ 10 V	±30V	2500 PF @ 25 V	-	125W（TC）
IXFT80N20Q	-	RFQ	3919	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft80		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	80A（TC）	10V	28mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4600 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFN26N100P	54.3070	RFQ	1694年	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN26		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1000 v	23A（TC）	10V	390MOHM @ 13A，10V	6.5V @ 1mA	197 nc @ 10 V	±30V	11900 PF @ 25 V	-	595W（TC）
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2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²