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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFL44N60	-	RFQ	4361	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL44		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	41A（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXGE200N60B	-	RFQ	1929年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	ISOPLUS227™	IXGE200			416 w	标准	ISOPLUS227™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	600 v	160 a		2.3V @ 15V，120a				200 µA	不	11 nf @ 25 V
ixta3n110-trl	4.3470	RFQ	1435	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta3n110-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1100 v	3A（TC）	10V	4ohm @ 1.5A，10V	4.5V @ 250µA	39 NC @ 10 V	±20V	1300 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTP130N10T	3.8500	RFQ	43	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP130		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 250µA	104 NC @ 10 V	±30V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
ixta1r6n100d2-trl	2.0243	RFQ	4868	ixys	消耗	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta1		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta1r6n100d2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		1000 v	1.6A（TJ）	0V	10ohm @ 800mA，0v	4.5V @ 100µA	27 NC @ 5 V	±20V	645 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXDP35N60B	-	RFQ	1851年	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixdp35	标准		250 w		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			300V，35A，10欧姆，15V												npt	600 v	60 a	70 a	2.7V @ 15V，35a	1.6mj（在）上，800µJ（800µJ）	120 NC	-
IXGN100N170	61.0300	RFQ	1983	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixgn100			735 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														npt	1700 v	160 a		3V @ 15V，100a				50 µA	不	9.22 NF @ 25 V
IXTA12N65X2	3.4474	RFQ	6484	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + TAB）	ixta12		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXYQ40N65C3D1	-	RFQ	2011	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXYQ40	标准		300 w		to-3p	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，10ohm，15V											40 ns	-	650 v	80 a	180 a	2.35V @ 15V，40a	830µJ（在）上，650µJ（650µJ）	66 NC	23ns/110ns
IXGH28N90B	-	RFQ	1974年	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH28	标准		200 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			720v，28a，4.7Ohm，15v												-	900 v	51 a	120 a	2.7V @ 15V，28a	1.2MJ（）	100 NC	30n/100n
IXBN42N170A	41.0930	RFQ	6585	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXBN42			312 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1700 v	42 a		6V @ 15V，21a				50 µA	不	3.5 nf @ 25 V
MIAA10WE600TMH	-	RFQ	7094	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	MIAA10W			70 W	单相桥梁整流器	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														npt	600 v	18 a		2.6V @ 15V，10a				600 µA	是的	450 pf @ 25 V
IXTH14N80	-	RFQ	7343	ixys	Megamos™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	14A（TC）	10V	700mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 250µA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFR26N120P	35.1193	RFQ	6209	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR26		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1200 v	15A（TC）	10V	500MOHM @ 13A，10V	6.5V @ 1mA	225 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	320W（TC）
IXTH2N170D2	20.5500	RFQ	200	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth2		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1700 v	2A（TJ）	0V	6.5OHM @ 1A，0V	-	110 NC @ 5 V	±20V	3650 pf @ 10 V	耗尽模式	568W（TC）
IXGH48N60C3C1	-	RFQ	9427	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH48	标准		300 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	（330µJ）（在230µJ上）	77 NC	19NS/60NS
IXFP26N65x2	9.9300	RFQ	5732	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP26		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfp26n65x2	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	26a（TC）	10V	130MOHM @ 500mA，10V	5V @ 2.5mA	45 NC @ 10 V	±30V	2450 pf @ 25 V	-	460W（TC）
IXFT52N30Q TRL	-	RFQ	3258	ixys	Hiperfet™	胶带和卷轴（（tr）	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft52		MOSFET （金属 o化物）			TO-268（IXFT）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	1,000		n通道		300 v	52A（TC）	10V	60mohm @ 26a，10v	4V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXTV250N075TS	-	RFQ	8193	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXTV250		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	250A（TC）	10V	4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	200 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
ixtp3n110	-	RFQ	3982	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp3		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1100 v	3A（TC）	10V	4ohm @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXGA20N120A3-TRL	4.2118	RFQ	9948	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga20	标准		180 w		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga20n120a3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			960V，20a，10ohm，15V											44 ns	pt	1200 v	40 a	120 a	2.5V @ 15V，20A	2.85mj（在）上，6.47mj off）	50 NC	16NS/290NS
IXXK200N60C3	2008年224日	RFQ	1611	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXXK200	标准		1630 w		TO-264（ixxk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			360V，100a，1ohm，15V												pt	600 v	340 a	900 a	2.1V @ 15V，100a	3MJ（在）上，1.7MJ（OFF）	315 NC	47NS/125NS
IXKC23N60C5	11.5880	RFQ	7539	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC23		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	23A（TC）	10V	100mohm @ 18a，10v	3.9V @ 1.2mA	80 NC @ 10 V	±20V	2800 PF @ 100 V	-	-
IXXN340N65B4	65.9640	RFQ	3966	ixys	Genx4™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXXN340	标准		1500 w		SOT-227B	-	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	238-ixxn340n65b4	Ear99	8541.29.0095	10			400V，100A，1OHM，15V											65 ns	pt	650 v	520 a	1200 a	1.7V @ 15V，160a	4.4mj（在）上，2.2MJ off）	553 NC	62NS/245NS
ixta32p05t-trl	1.7646	RFQ	6930	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta32		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta32p05t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		50 V	32A（TC）	10V	39mohm @ 16a，10v	4.5V @ 250µA	46 NC @ 10 V	±15V	1975 pf @ 25 V	-	83W（TC）
IXFT52N30Q	-	RFQ	1364	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft52		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）		IXFT52N30Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	52A（TC）	10V	60mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	150 NC @ 10 V	±20V	5300 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFP13N60X3	3.4206	RFQ	1216	ixys	-	管子	积极的				IXFP13						-				238-ixfp13n60x3			50
IXFH10N100Q	-	RFQ	7476	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH10		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.2OHM @ 5A，10V	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTN120N25	-	RFQ	4916	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN120		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		250 v	120A（TC）		20mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	360 NC @ 10 V		7700 PF @ 25 V	-	730W（TC）
IXTX200N10L2	36.1500	RFQ	60	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx200		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	200a（TC）	10V	11mohm @ 100a，10v	4.5V @ 3mA	540 NC @ 10 V	±20V	23000 PF @ 25 V	-	1040W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²