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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXGH17N100U1	-	RFQ	7070	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH17	标准		150 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH17N100U1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			800V，17a，82ohm，15V											50 ns	-	1000 v	34 a	68 a	3.5V @ 15V，17a	3MJ（（）	100 NC	100NS/500NS
IXFN30N110P	-	RFQ	4225	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN30		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1100 v	25A（TC）	10V	360mohm @ 15a，10v	6.5V @ 1mA	235 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	695W（TC）
IXGR45N120	-	RFQ	4670	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXGR45	标准				ISOPLUS247™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v	90 a		-	-		-
IXFN64N60P	36.2800	RFQ	7808	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN64		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		600 v	50A（TC）	10V	96mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	12000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXFT70N30Q3	21.6000	RFQ	18	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT70		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft70n30q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	70A（TC）	10V	54mohm @ 35a，10v	6.5V @ 4mA	98 NC @ 10 V	±20V	4735 pf @ 25 V	-	830W（TC）
MXB12R600DPHFC	-	RFQ	5426	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	isoplusi5-pak™	MXB12		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件			238-MXB12R600DPHFC			1		n通道		650 v	13A（TC）	-	-	-		-		-	-
IXGQ35N120BD1	-	RFQ	4253	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXGQ35	标准		400 w		to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35a，3ohm，15v											40 ns	-	1200 v	75 a	200 a	3.3V @ 15V，35a	（900µJ）（在），3.8MJ（OFF）	140 NC	40NS/270NS
ixtp340n04t4	5.7700	RFQ	3	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp340		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	340a（TC）	10V	1.9MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	256 NC @ 10 V	±15V	13000 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXRR40N120	-	RFQ	3926	ixys	-	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXRR40	标准				ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v	45 a		-	-		-
IXFH80N10Q	-	RFQ	8102	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		不适用			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	80A（TC）	10V	15mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXBT2N250-Tr	16.8549	RFQ	6267	ixys	Bimosfet™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT2	标准		32 W		TO-268	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbt2n250-Tr	Ear99	8541.29.0095	400			2000V，2a，47ohm，15V											920 ns	-	2500 v	5 a	13 a	3.5V @ 15V，2a	-	10.6 NC	30NS/70NS
IXFA7N80P	4.0000	RFQ	4694	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA7N80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1890 pf @ 25 V	-	200W（TC）
MIXA40W1200TMH	-	RFQ	8714	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	Minipack2	Mixa40w			195 w	标准	Minipack2	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	20	三期逆变器														pt	1200 v	60 a		2.1V @ 15V，35a				150 µA	是的
IXTY12N06T	-	RFQ	8698	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty12		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		60 V	12A（TC）	10V	85mohm @ 6a，10v	4V @ 25µA	3.4 NC @ 10 V	±20V	256 pf @ 25 V	-	33W（TC）
ixtk33n50	-	RFQ	7564	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk33		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	33A（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	416W（TC）
IXST15N120B	-	RFQ	1885年	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST15	标准		150 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，15a，10ohm，15V												pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
IXTT26N60P	10.2237	RFQ	5941	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
MDI200-12A4	-	RFQ	4030	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI200			1130 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	270 a		2.7V @ 15V，150a				10 MA	不	11 nf @ 25 V
IXTP02N50D	6.9200	RFQ	35	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP02		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp02n50d	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	200ma（tc）	10V	30ohm @ 50mA，0v	5V @ 25µA		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.1W（TA），25W（25W）TC）
IXFN44N50	22.4530	RFQ	1995	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN44N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
MWI200-06A8	-	RFQ	1826年	ixys	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MWI200			675 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q2725163	Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	225 a		2.5V @ 15V，200a				1.8 ma	不	9 nf @ 25 V
ixtp38n15t	-	RFQ	5690	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-220-3	ixtp38		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	38A（TC）		-	-				-	-
IXA27IF1200HJ	11.4100	RFQ	2084	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS247™	IXA27IF1200			150 w	标准	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30	单身的														pt	1200 v	43 a		2.1V @ 15V，25a				100 µA	不
MWI50-12T7T	-	RFQ	5823	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI50			270 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														沟	1200 v	80 a		2.15V @ 15V，50a				4 mA	是的	3.5 nf @ 25 V
IXFV36N50PS	-	RFQ	4969	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV36		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
ixtk8n150l	42.6100	RFQ	3716	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk8		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtk8n150l	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1500 v	8A（TC）	20V	3.6OHM @ 4A，20V	8V @ 250µA	250 NC @ 15 V	±30V	8000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
GWM70-01P2	-	RFQ	8125	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM70		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	6 n通道（3相桥）			100V	70a		14mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
IXTQ62N25T	-	RFQ	6083	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq62		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	62A（TC）		-	-				-	-
ixtc62n15p	-	RFQ	9751	ixys	Polarht™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc62		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 31a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	150W（TC）
ixtv22n50ps	-	RFQ	5092	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv22		MOSFET （金属 o化物）			加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	50 NC @ 10 V	±30V	2630 PF @ 25 V	-	350W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²