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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXGR72N60C3D1	-	RFQ	3324	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr72	标准		200 w	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，2ohm，15V											35 ns	pt	600 v	75 a	400 a	2.7V @ 15V，50a	1.03mj（在）上，480µJ off）	175 NC	27NS/77NS
IXFH17N80Q	-	RFQ	4678	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH17		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	17a（TC）	10V	600mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	95 NC @ 10 V	±20V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXFA230N075T2	5.7688	RFQ	3246	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA230		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		75 v	230a（TC）	10V	4.2MOHM @ 50a，10v	4V @ 1mA	178 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXTT30N50L2	18.2200	RFQ	3405	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT30		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt30n50l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	8100 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGH30N120C3H1	9.3597	RFQ	7200	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		250 w	TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，24A，5OHM，15V											70 ns	pt	1200 v	48 a	115 a	4.2V @ 15V，24a	1.45MJ（在）上，470µJ off）	80 NC	18NS/106NS
IXFH58N20	-	RFQ	4808	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH58		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH58N20-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	58A（TC）	10V	40mohm @ 29a，10v	4V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4400 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXGH12N60CD1	-	RFQ	6726	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准		100 W	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，12a，18onm，15v											35 ns	-	600 v	24 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
ixta5n60p	-	RFQ	4148	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta5		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	5A（TC）	10V	1.7OHM @ 2.5A，10V	5.5V @ 50µA	14.2 NC @ 10 V	±30V	750 pf @ 25 V	-	100W（TC）
IXUN350N10	-	RFQ	5138	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixun350		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载		（1 （无限）	到达不受影响	Q3672970	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	350a（TC）	10V	2.5MOHM @ 175a，10V	4V @ 3mA	640 NC @ 10 V	±20V	27000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXTT10N100D2	13.7638	RFQ	1731年	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt10		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	10A（TC）	10V	1.5OHM @ 5A，10V	-	200 NC @ 5 V	±20V	5320 PF @ 25 V	耗尽模式	695W（TC）
IXFR24N100	18.6177	RFQ	3869	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR24		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	22a（TC）	10V	390MOHM @ 12A，10V	5.5V @ 8mA	267 NC @ 10 V	±20V	8700 PF @ 25 V	-	416W（TC）
IXFK20N120	-	RFQ	7124	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK20		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1200 v	20A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 8mA	160 NC @ 10 V	±30V	7400 PF @ 25 V	-	780W（TC）
GWM70-01P2	-	RFQ	8125	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM70		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	6 n通道（3相桥）			100V	70a		14mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
ixtc62n15p	-	RFQ	9751	ixys	Polarht™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	ixtc62		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 31a，10v	5V @ 250µA	70 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXSH30N60CD1	-	RFQ	4165	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准		200 w	TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXSH30N60CD1-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，30a，4.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	110 a	2.5V @ 15V，30a	（700µJ）（离）	100 NC	30NS/90NS
IXFV36N50PS	-	RFQ	4969	ixys	HiperFet™，Polarp2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	IXFV36		MOSFET （金属 o化物）		加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	36a（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	5V @ 4mA	93 NC @ 10 V	±30V	5500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXFK120N65X2	25.1000	RFQ	34	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK120		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		650 v	120A（TC）	10V	24mohm @ 60a，10v	5.5V @ 8mA	225 NC @ 10 V	±30V	15500 pf @ 25 V	-	1250W（TC）
IXGH40N60C2	-	RFQ	3516	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH40	标准		300 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	200 a	2.7V @ 15V，30a	（200µJ）	95 NC	18NS/90NS
IXTQ62N25T	-	RFQ	6083	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	ixtq62		MOSFET （金属 o化物）		to-3p	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	62A（TC）		-	-				-	-
IXTN5N250	51.3450	RFQ	4002	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	ixtn5		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		2500 v	5A（TC）	10V	8.8Ohm @ 2.5a，10v	5V @ 1mA	200 NC @ 10 V	±30V	8560 pf @ 25 V	-	700W（TC）
IXTA140N12T2	5.8746	RFQ	5648	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta140		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		120 v	140a（TC）	10V	10mohm @ 70a，10v	4.5V @ 250µA	174 NC @ 10 V	±20V	9700 PF @ 25 V	-	577W（TC）
IXFI7N80P	-	RFQ	6019	ixys	Hiperfet™，Polarht™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-262-3长的线索，I²Pak，TO-262AA	ixfi7		MOSFET （金属 o化物）		TO-262（I2PAK）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		800 v	7A（TC）	10V	1.44OHM @ 3.5A，10V	5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1890 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXTY26P10T	4.1800	RFQ	49	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty26		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixty26p10t	Ear99	8541.29.0095	70		P通道		100 v	26a（TC）	10V	90MOHM @ 13A，10V	4.5V @ 250µA	52 NC @ 10 V	±15V	3820 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTH52N65X	10.0070	RFQ	6997	ixys	Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth52		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	52A（TC）	10V	68mohm @ 26a，10v	5V @ 250µA	113 NC @ 10 V	±30V	4350 pf @ 25 V	-	660W（TC）
IXFB30N120Q2	-	RFQ	7703	ixys	Hiperfet™，Q2类	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB30		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS264™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1200 v	30A（TC）		-	-				-	-
IXG70IF1200NA	25.1170	RFQ	5432	ixys	X2PT™，XPT™	管子	积极的	-	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXG70IF1200	标准			SOT-227B	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixg70if1200NA		0000.00.0000	10			-												pt	1200 v	130 a		-			-
IXYX40N250CHV	53.0400	RFQ	277	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX40	标准		1500 w	to-247plus-hv	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，40a，1ohm，15V												-	2500 v	70 a	380 a	4V @ 15V，40a	11.7MJ（在）上，6.9MJ（（）	270 NC	21NS/200NS
IXFH22N55	-	RFQ	1291	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH22		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载		不适用	到达不受影响	IXFH22N55-NDR	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		550 v	22a（TC）	10V	270MOHM @ 11A，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFK140N20P	16.6000	RFQ	3229	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK140		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	140a（TC）	10V，15V	18mohm @ 70a，10v	5V @ 4mA	240 NC @ 10 V	±20V	7500 PF @ 25 V	-	830W（TC）
VMM45-02F	33.7817	RFQ	4322	ixys	Hiperfet™	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMM45		MOSFET （金属 o化物）	190W	TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2 n 通道（双）			200V	45a		45mohm @ 22.5a，10v	4V @ 4mA	225nc @ 10V		7500pf @ 25V	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²