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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
MUBW15-12A6	-	RFQ	2077	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E1	mubw			70 W	三相桥梁整流器	E1	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	三期逆变器														npt	1200 v	18 a		2.9V @ 15V，10a				500 µA	是的	850 NF @ 25 V
IXTH60N30T	-	RFQ	9046	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	ixth60		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	60a（TC）		-	-				-	-
IXA70I1200NA	35.2800	RFQ	6657	ixys	-	管子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘，螺柱坐骑	SOT-227-4，迷你布洛克	IXA70I1200			350 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														pt	1200 v	100 a		2.1V @ 15V，50a				100 µA	不
LSIC1MO120T0160-TU	8.1853	RFQ	4102	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	LSIC1MO120		SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-263-7	下载				238-LSIC1MO120T0160-TU	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		1200 v	22a（TC）	-	-	-		-		-	-
IXGT45N120	-	RFQ	6451	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT45	标准		300 w		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，45A，5OHM，15V												-	1200 v	75 a	180 a	2.5V @ 15V，45a	（14mj））	170 NC	55NS/370NS
IXTH6N50D2	9.3800	RFQ	15	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	6A（TC）	-	500mohm @ 3a，0v	-	96 NC @ 5 V	±20V	2800 PF @ 25 V	耗尽模式	300W（TC）
IXYA20N120C4HV-TRL	3.0605	RFQ	2612	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的				ixya20						-				238-ixya20N120C4HV-Trltr			800
IXYH40N120B3D1	11.2500	RFQ	7721	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		480 w		TO-247（IXYH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			600V，40a，10ohm，15V											100 ns	-	1200 v	86 a	180 a	2.9V @ 15V，40a	2.7MJ（在）上，1.6MJ off）	87 NC	22NS/177NS
IXA40PG1200DHG-TUB	25.2370	RFQ	2275	ixys	-	大部分	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	9-SMD模块	IXA40			230 w	标准	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	半桥														pt	1200 v	63 a		2.15V @ 15V，35a				150 µA	不
MWI50-12E7	-	RFQ	1733年	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI50			350 w	标准	E2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	1200 v	90 a		2.4V @ 15V，50a				800 µA	不	3.8 nf @ 25 V
ixta34n65x2	6.0894	RFQ	5021	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta34		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		650 v	34A（TC）	10V	96mohm @ 17a，10v	5V @ 250µA	54 NC @ 10 V	±30V	3000 pf @ 25 V	-	540W（TC）
MWI15-12A7	85.4700	RFQ	3	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI15			140 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	1200 v	30 a		2.6V @ 15V，15a				900 µA	不	1 nf @ 25 V
MWI50-12A7T	-	RFQ	3062	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	E2	MWI50			350 w	标准	E2	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	三相逆变器														npt	1200 v	85 a		2.7V @ 15V，50a				4 mA	是的	3.3 NF @ 25 V
IXTH24N65x2	6.4000	RFQ	300	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth24		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2060 pf @ 25 V	-	390W（TC）
IXTA80N10T7	-	RFQ	9490	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-7，D²Pak（6 +选项卡）	ixta80		MOSFET （金属 o化物）			TO-263-7（IXTA）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	80A（TC）	10V	14mohm @ 25a，10v	4.5V @ 100µA	60 NC @ 10 V	±30V	3040 pf @ 25 V	-	230W（TC）
FID60-06D	-	RFQ	3498	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FID60	标准		200 w		ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			300V，30a，22ohm，15V											70 ns	npt	600 v	65 a		2V @ 15V，30a	1MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	120 NC	-
IXFK27N80Q	30.2600	RFQ	181	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK27		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
MDI200-12A4	-	RFQ	4030	ixys	-	盒子	积极的	150°C（TJ）	底盘安装	Y3-DCB	MDI200			1130 w	标准	Y3-DCB	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	2	单身的														npt	1200 v	270 a		2.7V @ 15V，150a				10 MA	不	11 nf @ 25 V
IXTF1N250	59.0700	RFQ	12	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	ixtf1		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q7319967A	Ear99	8541.29.0095	25		n通道		2500 v	1A（TC）	10V	40ohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 25 V	-	110W
MWI200-06A8	-	RFQ	1826年	ixys	-	大部分	过时的	-40°C〜125°C（TJ）	底盘安装	E3	MWI200			675 w	标准	E3	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	Q2725163	Ear99	8541.29.0095	5	三相逆变器														npt	600 v	225 a		2.5V @ 15V，200a				1.8 ma	不	9 nf @ 25 V
ixtk33n50	-	RFQ	7564	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk33		MOSFET （金属 o化物）			TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	33A（TC）	10V	170MOHM @ 500mA，10V	4V @ 250µA	250 NC @ 10 V	±20V	4900 PF @ 25 V	-	416W（TC）
IXGH12N60C	-	RFQ	6037	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH12	标准		100 W		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，12a，18onm，15v												-	600 v	24 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
IXST15N120B	-	RFQ	1885年	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXST15	标准		150 w		TO-268AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，15a，10ohm，15V												pt	1200 v	30 a	60 a	3.4V @ 15V，15a	1.5mj（（）	57 NC	30NS/148NS
IXTP02N50D	6.9200	RFQ	35	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP02		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp02n50d	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	200ma（tc）	10V	30ohm @ 50mA，0v	5V @ 25µA		±20V	120 pf @ 25 V	耗尽模式	1.1W（TA），25W（25W）TC）
IXTT26N60P	10.2237	RFQ	5941	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFN44N50	22.4530	RFQ	1995	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN44		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFN44N50-NDR	Ear99	8541.29.0095	10		n通道		500 v	44A（TC）	10V	120mohm @ 500mA，10v	4V @ 8mA	270 NC @ 10 V	±20V	8400 PF @ 25 V	-	520W（TC）
IXGT12N120A2D1	-	RFQ	9347	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT12	标准				TO-268AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	1200 v			-	-		-
IXFX150N15	15.3847	RFQ	2984	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX150		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	150a（TC）	10V	12.5MOHM @ 75A，10V	4V @ 8mA	360 NC @ 10 V	±20V	9100 PF @ 25 V	-	560W（TC）
IXXH30N65C4D1	-	RFQ	8797	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准		230 w		TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，15ohm，15V											72 ns	-	650 v	62 a	136 a	2.5V @ 15V，30a	1.1mj（在）上，400µJ（400µJ）	47 NC	20N/140NS
IXFB150N65X2	35.6000	RFQ	6241	ixys	Hiperfet™，Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFB150		MOSFET （金属 o化物）			加上264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		650 v	150a（TC）	10V	17mohm @ 75a，10v	5.5V @ 8mA	430 NC @ 10 V	±30V	20400 PF @ 25 V	-	1560W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²