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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
Ixfp36n20x3m	4.7600	RFQ	218	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfp36n20x3m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		200 v	36a（TC）	10V	45mohm @ 18a，10v	4.5V @ 500µA	21 NC @ 10 V	±20V	1425 PF @ 25 V	-	36W（TC）
IXTQ30N50L	-	RFQ	2255	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXTQ30		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	200mohm @ 15a，10v	4.5V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	10200 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXTU08N100P	-	RFQ	5859	ixys	极性	管子	积极的	-	通过洞	TO-251-3，IPAK，TO-251AA	ixtu08		MOSFET （金属 o化物）			TO-251AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	75		n通道		1000 v	8A（TC）		-	-				-	-
MKE11R600DCGFC	-	RFQ	2443	ixys	coolmos™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	MKE11R600		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXBN75N170	94.5350	RFQ	7777	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXBN75			625 w	标准	SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10	单身的														-	1700 v	145 a		3.1V @ 15V，75a				25 µA	不	6.93 NF @ 25 V
IXTH102N20T	-	RFQ	4514	ixys	沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH102		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	102A（TC）	10V	23mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 1mA	114 NC @ 10 V	±30V	6800 PF @ 25 V	-	750W（TC）
IXFR64N50P	20.3500	RFQ	30	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR64		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	35A（TC）	10V	95mohm @ 32a，10v	5.5V @ 8mA	150 NC @ 10 V	±30V	8700 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXYH8N250CHV	25.4400	RFQ	8056	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYH8N250	标准		280 w		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，8a，15ohm，15V											5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
IXYH40N90C3	5.4664	RFQ	4725	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH40	标准		600 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			450V，40a，5ohm，15V												-	900 v	105 a	200 a	2.5V @ 15V，40a	1.9mj（在），1MJ（1MJ）上	74 NC	27NS/78NS
IXGH16N170AH1	-	RFQ	5451	ixys	-	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH16	标准		190 w		TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，16a，10ohm，15V											230 ns	npt	1700 v	16 a	40 a	5V @ 15V，11a	900µJ（离）	65 NC	36NS/160NS
Ixty5n50p	-	RFQ	9897	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty5		MOSFET （金属 o化物）			TO-252AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	70		n通道		500 v	4.8A（TC）	10V	1.4OHM @ 2.4a，10V	5.5V @ 50µA	12.6 NC @ 10 V	±30V	620 pf @ 25 V	-	89W（TC）
IXTT1N250HV-TRL	37.8644	RFQ	9685	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt1		MOSFET （金属 o化物）			TO-268HV（IXTT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响	238-ixtt1n250hv-trltr	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		2500 v	1.5A（TC）	10V	40ohm @ 750mA，10v	4V @ 250µA	41 NC @ 10 V	±20V	1660 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXGK120N60C2	-	RFQ	6713	ixys	HiperFast™，Lightspeed 2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK120	标准		830 w		TO-264（ixgk）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，80a，1ohm，15V												pt	600 v	75 a	500 a	2.5V @ 15V，100a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	370 NC	40NS/120NS
IXFP22N60P3	5.6300	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP22		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXFX520N075T2	16.2400	RFQ	20	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX520		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	520a（TC）	10V	2.2MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	545 NC @ 10 V	±20V	41000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTN210P10T	52.2500	RFQ	138	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN210		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		100 v	210a（TC）	10V	7.5MOHM @ 105A，10V	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	69500 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXTN120P20T	54.3500	RFQ	10	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN120		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		200 v	106a（TC）	10V	30mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	73000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXGA48N60C3	-	RFQ	9687	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	IXGA48	标准		300 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，30a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS
IXTH300N04T2	6.8267	RFQ	9117	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth300		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		40 V	300A（TC）	10V	2.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
IXFT70N65X3HV	10.6497	RFQ	8010	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的				IXFT70						-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixft70n65x3hv	Ear99	8541.29.0095	30
IXFH20N85X	10.4400	RFQ	2110	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH20		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	540W（TC）
GWM70-01P2	-	RFQ	8125	ixys	-	管子	过时的	-40°C〜175°C（TJ）	表面安装	17-SMD，平坦的铅	GWM70		MOSFET （金属 o化物）	-		ISOPLUS-DIL™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20	6 n通道（3相桥）			100V	70a		14mohm @ 35a，10v	4V @ 1mA	110NC @ 10V		-	-
IXKC19N60C5	-	RFQ	9236	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC19		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	19a（tc）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	-
IXFT12N100	-	RFQ	9445	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT12		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
ixtx46n50l	46.7100	RFQ	232	ixys	线性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx46		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	46A（TC）	20V	160MOHM @ 500mA，20V	6V @ 250µA	260 NC @ 15 V	±30V	7000 PF @ 25 V	-	700W（TC）
IXTA08N50D2	2.7700	RFQ	7464	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2 + Tab），TO-263AB	ixta08		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	800mA（TC）	-	4.6ohm @ 400mA，0v	-	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）
IXTP75N10P	4.9700	RFQ	48	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp75		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp75n10p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	75A（TC）	10V	25mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 250µA	74 NC @ 10 V	±20V	2250 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXYP30N120B4	14.5226	RFQ	5510	ixys	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120B4	Ear99	8541.29.0095	50
MKE38P600TLB-TRR	-	RFQ	8430	ixys	-	大部分	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38		-	-		ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-			-	-		-	-	-		-	-
IXFX90N60X	18.3363	RFQ	6337	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX90		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	90A（TC）	10V	38mohm @ 45a，10v	4.5V @ 8mA	210 NC @ 10 V	±30V	8500 PF @ 25 V	-	1100W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²