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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻
IXGP24N60C4D1	-	RFQ	7591	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP24	标准		190 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			360V，24a，10ohm，15V											30 ns	pt	600 v	56 a	130 a	2.7V @ 15V，24a	（350µJ）（在340µJ上）	64 NC	22NS/192NS
IXFT24N50	-	RFQ	6417	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft24		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	24A（TC）	10V	230mohm @ 12a，10v	4V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXYP10N65C3D1	-	RFQ	4184	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXYP10	标准		160 w		TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，10A，50OHM，15V											170 ns	pt	650 v	30 a	54 a	2.5V @ 15V，10a	240µJ（在）上，110µJ（110µJ）	18 NC	20NS/77NS
IXFP36N60X3	7.0700	RFQ	6408	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixfp36		MOSFET （金属 o化物）			TO-220	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfp36n60x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	36a（TC）	10V	90MOHM @ 18A，10V	5V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 25 V	-	446W（TC）
IXTH80N65X2	13.6400	RFQ	3	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth80		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	80A（TC）	10V	40MOHM @ 40a，10v	4.5V @ 4mA	144 NC @ 10 V	±30V	7753 PF @ 25 V	-	890W（TC）
IXFA76N15T2	5.2060	RFQ	6564	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		150 v	76A（TC）	10V	20mohm @ 38a，10v	4.5V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IXGA20N120B3	4.7479	RFQ	6215	ixys	Genx3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixga20	标准		180 w		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			600V，16A，15OHM，15V												pt	1200 v	36 a	80 a	3.1V @ 15V，16a	（920µJ）（在），560µJ（OFF）上）	51 NC	16NS/150NS
IXYH8N250CHV	25.4400	RFQ	8056	ixys	XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYH8N250	标准		280 w		TO-247HV	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1250V，8a，15ohm，15V											5 ns	-	2500 v	29 a	70 a	4V @ 15V，8a	2.6mj（在）上，1.07mj off）	45 NC	11NS/180NS
IXFH14N100	-	RFQ	3710	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH14		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	14A（TC）	10V	750MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	220 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFT4N100Q	-	RFQ	4613	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft4		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	4A（TC）	10V	3ohm @ 2a，10v	5V @ 1.5mA	39 NC @ 10 V	±20V	1050 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXGC12N60CD1	-	RFQ	9962	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXGC12	标准		85 w		ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，12a，18onm，15v											35 ns	-	600 v	15 a	48 a	2.7V @ 15V，12A	90µJ（离）	32 NC	20N/60N
IXTM15N60	-	RFQ	5717	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtm15		-			-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-			-	-	-	-		-		-	-
IXGA30N120B3-TRL	5.3818	RFQ	8634	ixys	Genx3™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA30	标准		300 w		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixga30n120b3-trltr	Ear99	8541.29.0095	800			960V，30a，5ohm，15V											37 ns	pt	1200 v	60 a	150 a	3.5V @ 15V，30a	3.47MJ（在）上，2.16MJ off）	87 NC	16NS/127NS
IXTT26N60P	10.2237	RFQ	5941	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH320N10T2	16.0900	RFQ	5524	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH320		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		100 v	320a（TC）	10V	3.5MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	430 NC @ 10 V	±20V	26000 PF @ 25 V	-	1000W（TC）
IXYX120N120B3	31.2583	RFQ	5302	ixys	XPT™，GenX3™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXYX120	标准		1500 w		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，100A，1OHM，15V											54 ns	-	1200 v	320 a	800 a	2.2V @ 15V，100a	9.7mj（在）上，21.5MJ off）	400 NC	30NS/340NS
IXFH40N30	-	RFQ	2786	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IXFH40N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	40a（TC）	10V	85mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXUC200N055	-	RFQ	3077	ixys	-	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXUC200		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS220™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	200a（TC）	10V	5.1MOHM @ 100A，10V	4V @ 2mA	200 NC @ 10 V	±20V		-	300W（TC）
IXTF1N450	101.4600	RFQ	7133	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	ixtf1		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		4500 v	900mA（TC）	10V	85ohm @ 50mA，10v	6.5V @ 250µA	40 NC @ 10 V	±20V	1730 pf @ 25 V	-	160W（TC）
IXFN30N110P	-	RFQ	4225	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN30		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		1100 v	25A（TC）	10V	360mohm @ 15a，10v	6.5V @ 1mA	235 NC @ 10 V	±30V	13600 PF @ 25 V	-	695W（TC）
ixta15p15t	-	RFQ	5874	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta15		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	15A（TC）	10V	240MOHM @ 7A，10V	4.5V @ 250µA	48 NC @ 10 V	±15V	3650 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXGH50N60B	-	RFQ	7731	ixys	HiperFast™	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH50	标准		300 w		TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响	IXGH50N60B-NDR	Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，2.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	200 a	2.3V @ 15V，50a	3MJ（（）	160 NC	50NS/150NS
MIXA150Q1200VA	34.0754	RFQ	4507	ixys	-	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	v1a-pak	Mixa150			695 w	标准	v1a-pak	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	单身的														pt	1200 v	220 a		2.1V @ 15V，150a				100 µA	不
IXFT40N30Q	-	RFQ	7840	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT40		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载		（1 （无限）		IXFT40N30Q-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	40a（TC）	10V	80Mohm @ 500mA，10V	4V @ 4mA	140 NC @ 10 V	±20V	3100 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTT60N20L2	21.5000	RFQ	35	ixys	线性l2™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXTT60		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt60n20l2	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	60a（TC）	10V	45mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	255 NC @ 10 V	±20V	10500 PF @ 25 V	-	540W（TC）
IXTA220N055T	-	RFQ	3372	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta220		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		55 v	220A（TC）	10V	4mohm @ 25a，10v	4V @ 250µA	158 NC @ 10 V	±20V	7200 PF @ 25 V	-	430W（TC）
MKE11R600DCGFC	-	RFQ	2443	ixys	coolmos™	盒子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	isoplusi5-pak™	MKE11R600		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS I4-PAC™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	15A（TC）	10V	165mohm @ 12a，10v	3.5V @ 790µA	52 NC @ 10 V	±20V	2000 pf @ 100 V	-	-
IXFN240N25X3	48.2200	RFQ	93	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN240		MOSFET （金属 o化物）			SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		250 v	240a（TC）	10V	4.5MOHM @ 120A，10V	4.5V @ 8mA	345 NC @ 10 V	±20V	23800 PF @ 25 V	-	695W（TC）
IXGH30N60C3C1	-	RFQ	1110	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH30	标准		220 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			300V，20A，5OHM，15V												pt	600 v	60 a	150 a	3V @ 15V，20A	（120µJ）（在），90µJ（90µJ）中	38 NC	17NS/42NS
IXTH96N20P	10.0300	RFQ	1407	ixys	极性	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth96		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	96A（TC）	10V	24mohm @ 500mA，10v	5V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	600W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²