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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	输入	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C	当前 -收集器截止（最大）	NTC热敏电阻	（CIES） @ vce
IXFA76N15T2-TRL	3.8409	RFQ	7266	ixys	HiperFet™，Trencht2™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA76		MOSFET （金属 o化物）			TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfa76n15t2-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		n通道		150 v	76A（TC）	10V	22mohm @ 38a，10v	4.5V @ 250µA	97 NC @ 10 V	±20V	5800 pf @ 25 V	-	350W（TC）
IXFQ8N85X	4.5552	RFQ	8060	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-3P-3，SC-65-3	IXFQ8N85		MOSFET （金属 o化物）			to-3p	下载	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixfq8n85x	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	8A（TC）	10V	850MOHM @ 4A，10V	5.5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	654 pf @ 25 V	-	200W（TC）
IXGH16N170A	13.6900	RFQ	3326	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH16	标准		190 w		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			850V，16a，10ohm，15V												npt	1700 v	16 a	40 a	5V @ 15V，11a	900µJ（离）	65 NC	36NS/160NS
ixta3n110	-	RFQ	6347	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta3		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1100 v	3A（TC）	10V	4ohm @ 1.5A，10V	5V @ 250µA	42 NC @ 10 V	±20V	1350 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXTH24N65x2	6.4000	RFQ	300	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth24		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	24A（TC）	10V	145mohm @ 12a，10v	5V @ 250µA	36 NC @ 10 V	±30V	2060 pf @ 25 V	-	390W（TC）
MIXG120W1200PTEH	154.9675	RFQ	6401	ixys	-	盒子	积极的	-	-	-	Mixg120				-	-	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-MIXG120W1200PTEH			24	-														-				-
VDI75-12P1	-	RFQ	9790	ixys	-	盒子	过时的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	Eco-PAC2	vdi			379 w	标准	Eco-PAC2	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25	单身的														npt	1200 v	92 a		3.2V @ 15V，75a				3.7 MA	是的	3.3 NF @ 25 V
IXFP12N50PM	-	RFQ	4466	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP12		MOSFET （金属 o化物）			TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	6A（TC）	10V	500mohm @ 6a，10v	5.5V @ 1mA	29 NC @ 10 V	±30V	1830 pf @ 25 V	-	50W（TC）
IXFK230N20T	26.4300	RFQ	3307	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK230		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		200 v	230a（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10v	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1670W（TC）
IXFR230N20T	22.9893	RFQ	2211	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR230		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	156a（TC）	10V	8mohm @ 60a，10v	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	600W（TC）
FID60-06D	-	RFQ	3498	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FID60	标准		200 w		ISOPLUS I4-PAC™	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			300V，30a，22ohm，15V											70 ns	npt	600 v	65 a		2V @ 15V，30a	1MJ（在）上，1.4MJ（OFF）	120 NC	-
IXFR80N50Q3	37.0100	RFQ	2	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFR80		MOSFET （金属 o化物）			ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	50A（TC）	10V	72MOHM @ 40a，10V	6.5V @ 8mA	200 NC @ 10 V	±30V	10000 PF @ 25 V	-	570W（TC）
LSIC1MO120T0160-TU	8.1853	RFQ	4102	ixys	-	管子	积极的	-	表面安装	TO-263-8，D²Pak（7 + Tab），TO-263CA	LSIC1MO120		SIC （硅碳化物交界晶体管）			TO-263-7	下载				238-LSIC1MO120T0160-TU	Ear99	8541.29.0095	400		n通道		1200 v	22a（TC）	-	-	-		-		-	-
IXYP30N120C4	15.0810	RFQ	4449	ixys	-	管子	积极的										-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120C4	Ear99	8541.29.0095	50
IXGT72N60B3	-	RFQ	3129	ixys	Genx3™	管子	过时的	-	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXGT72	标准		540 w		TO-268AA	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，50a，3ohm，15v												pt	600 v	75 a	400 a	1.8V @ 15V，60a	1.38mj（在）上，1.05mj off）	230 NC	31ns/150ns
IXFK78NNNN03	22.5100	RFQ	187	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK78		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		500 v	78A（TC）	10V	68mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	147 NC @ 10 V	±30V	9900 PF @ 25 V	-	1130W（TC）
IXXK300N60C3	31.8228	RFQ	8162	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXXK300	标准		2300 w		TO-264（ixxk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，100A，1OHM，15V												pt	600 v	510 a	1075 a	2V @ 15V，100a	3.35mj（在）上，1.9MJ off）	438 NC	50NS/160NS
IXTX550N055T2	21.0490	RFQ	4849	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	ixtx550		MOSFET （金属 o化物）			加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		55 v	550a（TC）	10V	1.6MOHM @ 100A，10V	4V @ 250µA	595 NC @ 10 V	±20V	40000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXFA10N60P	4.3100	RFQ	336	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA10		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	10A（TC）	10V	740MOHM @ 5A，10V	5.5V @ 1mA	32 NC @ 10 V	±30V	1610 PF @ 25 V	-	200W（TC）
IXFK27N80Q	30.2600	RFQ	181	ixys	Hiperfet™，Q类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK27		MOSFET （金属 o化物）			TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		800 v	27a（TC）	10V	320MOHM @ 500mA，10V	4.5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTT26N60P	10.2237	RFQ	5941	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt26		MOSFET （金属 o化物）			TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	26a（TC）	10V	270MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	72 NC @ 10 V	±30V	4150 PF @ 25 V	-	460W（TC）
IXFH40N30	-	RFQ	2786	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH40		MOSFET （金属 o化物）			TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	IXFH40N30-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	40a（TC）	10V	85mohm @ 500mA，10v	4V @ 4mA	200 NC @ 10 V	±20V	4800 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXXH50N60B3	8.8916	RFQ	1530	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXXH50	标准		600 w		TO-247AD（IXXH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			360V，36a，5ohm，15V												pt	600 v	120 a	200 a	1.8V @ 15V，36a	670µJ（在）上，740µJ（OFF）	70 NC	27n/100ns
IXGP7N60C	-	RFQ	1917年	ixys	HiperFast™，Lightspeed™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP7	标准		54 w		TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			480V，7A，22OHM，15V												-	600 v	14 a	30 a	2.7V @ 15V，7a	（70µJ）（在120µJ上）	25 NC	9NS/65NS
IXTH02N250	18.3900	RFQ	8611	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXTH02		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		2500 v	200ma（tc）	10V	450OHM @ 50mA，10V	4.5V @ 250µA	7.4 NC @ 10 V	±20V	116 pf @ 25 V	-	83W（TC）
LGD8201TH	-	RFQ	8093	ixys	-	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63		逻辑		125 w		DPAK	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-LGD8201THTR	Ear99	8541.29.0095	2,500			-												-	440 v	20 a	50 a	1.9V @ 4.5V，20A	-		-
IXYH50N65C3	5.5177	RFQ	6319	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXYH50	标准		600 w		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixyh50n65c3	Ear99	8541.29.0095	30			400V，36a，5ohm，15V												pt	650 v	130 a	250 a	2.1V @ 15V，36a	1.3mj（在）上，370µJ off）	80 NC	22NS/80NS
IXFH6N100F	-	RFQ	6900	ixys	hiperfet™，f类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH6		MOSFET （金属 o化物）			TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	6A（TC）	10V	1.9OHM @ 3A，10V	5.5V @ 2.5mA	54 NC @ 10 V	±20V	1770 pf @ 25 V	-	180W（TC）
IXFA36N30P3	5.3900	RFQ	189	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA36		MOSFET （金属 o化物）			TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixfa36n30p3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		300 v	36a（TC）	10V	110MOHM @ 18A，10V	4.5V @ 250µA	30 NC @ 10 V	±20V	2040 pf @ 25 V	-	347W（TC）
IXBH32N300HV	72.6127	RFQ	7852	ixys	Bimosfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXBH32	标准		400 w		TO-247HV	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixbh32n300hv	Ear99	8541.29.0095	30			-												-	3000 v	80 a	280 a	3.2V @ 15V，32a	-	142 NC	-

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²