RFQ
bom
联系我们

电话： +86-0755-83501345

电子邮件：sales@swxic.com

晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
FMM65-015p	-	RFQ	9046	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5	FMM65		MOSFET （金属 o化物）	-	ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	24	2 n 通道（双）			150V	65a		22mohm @ 50a，10v	4V @ 1mA	230nc @ 10V		-	-
IXTH60N20X4	11.5000	RFQ	299	ixys	-	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth60		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixth60n20x4	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		200 v	60a（TC）	10V	21mohm @ 30a，10v	4.5V @ 250µA	33 NC @ 10 V	±20V	2450 pf @ 25 V	-	250W（TC）
IXGF20N300	52.7600	RFQ	9677	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	I4-PAC™-5 （3个线索）	IXGF20	标准		100 W	ISOPLUS I4-PAC™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			-												-	3000 v	22 a	103 a	3.2V @ 15V，20A	-	31 NC	-
ixta48p05t-trl	2.8547	RFQ	5871	ixys	Trechp™	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta48		MOSFET （金属 o化物）		TO-263（D2PAK）	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixta48p05t-trltr	Ear99	8541.29.0095	800		P通道		50 V	48A（TC）	10V	30mohm @ 24a，10v	4.5V @ 250µA	53 NC @ 10 V	±15V	3660 pf @ 25 V	-	150W（TC）
IXFN230N20T	37.7000	RFQ	401	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN230		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		200 v	220A（TC）	10V	7.5MOHM @ 60a，10V	5V @ 8mA	378 NC @ 10 V	±20V	28000 PF @ 25 V	-	1090W（TC）
IXGH25N100A	-	RFQ	3923	ixys	-	大部分	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGH25	标准		200 w	TO-247AD	下载		不适用	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			800V，25a，33ohm，15V												-	1000 v	50 a	100 a	4V @ 15V，25a	（5MJ））	130 NC	100NS/500NS
IXFT15N100Q3	19.7000	RFQ	20	ixys	Hiperfet™，Q3类	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft15		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixft15n100q3	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	15A（TC）	10V	1.05OHM @ 7.5A，10V	6.5V @ 4mA	64 NC @ 10 V	±30V	3250 pf @ 25 V	-	690W（TC）
IXGK35N120CD1	-	RFQ	9486	ixys	HiperFast™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK35	标准		350 w	TO-264（ixgk）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			960V，35A，5OHM，15V											60 ns	-	1200 v	70 a	140 a	4V @ 15V，35a	3MJ（（）	170 NC	50NS/150NS
IXFA36N60X3	7.0700	RFQ	38	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA36		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	238-ixfa36n60x3	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	36a（TC）	10V	90MOHM @ 18A，10V	5V @ 2.5mA	29 NC @ 10 V	±20V	2030 pf @ 25 V	-	446W（TC）
IXGR35N120BD1	-	RFQ	1378	ixys	-	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixgr35	标准		250 w	ISOPLUS247™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			960V，35a，3ohm，15v											40 ns	-	1200 v	54 a	200 a	3.5V @ 15V，35a	（900µJ）（在），3.8MJ（OFF）	140 NC	40NS/270NS
ixtp44p15t	6.3900	RFQ	80	ixys	Trechp™	管子	积极的		通过洞	TO-220-3	ixtp44		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		P通道		150 v	44A（TC）	10V	65mohm @ 500mA，10v	4V @ 250µA	175 NC @ 10 V	±15V	13400 PF @ 25 V	-	298W（TC）
IXSH30N60BD1	-	RFQ	2679	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixsh30	标准		200 w	TO-247AD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，30a，4.7Ohm，15V											50 ns	-	600 v	55 a	110 a	2.7V @ 15V，55a	1.5mj（（）	100 NC	30NS/150NS
IXYH75N65C3H1	17.6000	RFQ	24	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixyh75	标准		750 w	TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，60a，3ohm，15V											150 ns	pt	650 v	170 a	360 a	2.3V @ 15V，60a	2.8MJ（在）上，1MJ（1MJ）	123 NC	27NS/93NS
ixtv22n60ps	-	RFQ	9001	ixys	Polarhv™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	加220SMD	ixtv22		MOSFET （金属 o化物）		加220SMD	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	350MOHM @ 11A，10V	5.5V @ 250µA	62 NC @ 10 V	±30V	3600 PF @ 25 V	-	400W（TC）
IXGR60N60U1	-	RFQ	1749年	ixys	-	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXGR60	标准		300 w	ISOPLUS247™	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			480V，60a，2.7Ohm，15V												-	600 v	75 a	200 a	1.7V @ 15V，60a	（16mj））	200 NC	50NS/600NS
IXFK21N100F	-	RFQ	9189	ixys	Hiperrf™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK21		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	21a（TC）	10V	500mohm @ 10.5a，10v	5.5V @ 4mA	160 NC @ 10 V	±20V	5500 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXTV230N085T	-	RFQ	3544	ixys	TRENCHMV™	管子	过时的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3，短选项卡	IXTV230		MOSFET （金属 o化物）		加220	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		85 v	230a（TC）	10V	4.4mohm @ 50a，10v	4V @ 250µA	187 NC @ 10 V	±20V	9900 PF @ 25 V	-	550W（TC）
IXGL200N60B3	-	RFQ	9725	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGL200	标准		400 w	ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			300V，100A，1OHM，15V												pt	600 v	150 a	600 a	1.5V @ 15V，100a	1.6MJ（在）上，2.9MJ off）	750 NC	44NS/310NS
IXFH13N80	-	RFQ	7752	ixys	Hiperfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH13		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	不适用	到达不受影响	IXFH13N80-NDR	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		800 v	13A（TC）	10V	800mohm @ 500mA，10v	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4200 PF @ 25 V	-	300W（TC）
IXFT100N30X3HV	14.9100	RFQ	142	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft100		MOSFET （金属 o化物）		TO-268HV（IXFT）	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	100A（TC）	10V	13.5MOHM @ 50a，10v	4.5V @ 4mA	122 NC @ 10 V	±20V	7660 pf @ 25 V	-	480W（TC）
IXFT30N50Q	-	RFQ	6969	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixft30		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		500 v	30A（TC）	10V	160mohm @ 15a，10v	4.5V @ 4mA	190 NC @ 10 V	±20V	4925 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFH80N15Q	-	RFQ	2631	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH80		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	80A（TC）	10V	22.5mohm @ 40a，10v	4V @ 4mA	180 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXKH70N60C5	24.1700	RFQ	1	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXKH70		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		600 v	70A（TC）	10V	45mohm @ 44a，10v	3.5V @ 3mA	190 NC @ 10 V	±20V	6800 PF @ 100 V	-	-
IXTH102N25T	-	RFQ	5019	ixys	沟	管子	积极的	-	通过洞	TO-247-3	IXTH102		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	102A（TC）		-	-				-	-
IXSR50N60BU1	-	RFQ	5449	ixys	-	管子	过时的	-	通过洞	TO-247-3	IXSR50	标准			ISOPLUS247™	-		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			-												-	600 v			-	-		-
MMIX1F360N15T2	46.8120	RFQ	6350	ixys	Gigamos™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	24-PowersMD，21个线索	MMIX1F360		MOSFET （金属 o化物）		24-smpd	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		n通道		150 v	235a（TC）	10V	4.4mohm @ 100a，10v	5V @ 8mA	715 NC @ 10 V	±20V	47500 PF @ 25 V	-	680W（TC）
IXTT100N25P	13.5600	RFQ	4112	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt100		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		250 v	100A（TC）	10V	24mohm @ 50a，10v	5V @ 250µA	185 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXFN200N10P	28.9600	RFQ	10	ixys	Hiperfet™，极性	盒子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXFN200		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		n通道		100 v	200a（TC）	10V	7.5mohm @ 500mA，10v	5V @ 8mA	235 NC @ 10 V	±20V	7600 PF @ 25 V	-	680W（TC）
IXTH12N65X2	5.4700	RFQ	9	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth12		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		650 v	12A（TC）	10V	300mohm @ 6a，10v	5V @ 250µA	17 NC @ 10 V	±30V	1100 PF @ 25 V	-	180W（TC）
IXTK90N15	-	RFQ	3118	ixys	Megamos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	ixtk90		MOSFET （金属 o化物）		TO-264（IXTK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	90A（TC）	10V	16mohm @ 45a，10v	4V @ 250µA	240 NC @ 10 V	±20V	6400 PF @ 25 V	-	390W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²