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晶体管（（3903）

产品编号	（（（）	数量	可用数量	MFR	系列	包裹	产品状态	工作温度	安装类型	包装 /案例	基本产品编号	输入类型	技术	力量 -最大	供应商设备包	数据表	Rohs状态	（MSL）	达到状态	其他名称	ECCN	htsus	标准包	配置	fet	测试条件	（VDSS）	电流 -id（ID） @ 25°C	驱动电压（最大 rds，最小rds打开）	RDS（最大值） @ ID，VGS	VGS（TH）（最大） @ ID	（QG））（最大） @ vgs	VGS（VGS）	（ciss）（最大（ciss） @ vds	fet	（（（）	trr）	IGBT类型	电压 -收集器发射器故障（最大）	电流 -ic（IC）（最大）	电流 -icm）	（在）（最大） @ vce @ vge，ic，ic	切换能量	门充电	TD （开/关） @ 25°C
IXTP8N70X2M	3.4000	RFQ	12	ixys	Ultra X2	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3完整包，隔离选项卡	ixtp8		MOSFET （金属 o化物）		TO-220隔离选项卡	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp8n70x2m	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		700 v	4A（TC）	10V	550MOHM @ 500mA，10V	5V @ 250µA	12 nc @ 10 V	±30V	800 pf @ 10 V	-	32W（TC）
IXBT20N360HV	76.3097	RFQ	8421	ixys	Bimosfet™	管子	不适合新设计	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXBT20	标准		430 w	TO-268AA	下载	rohs3符合条件	3（168））	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			1500V，20a，10ohm，15V											1.7 µs	-	3600 v	70 a	220 a	3.4V @ 15V，20A	15.5MJ（在）上，4.3MJ OFF）	110 NC	18NS/238NS
IXGP16N60C2D1	-	RFQ	6588	ixys	HiperFast™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXGP16	标准		150 w	TO-220-3	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，12A，22OHM，15V											30 ns	pt	600 v	40 a	100 a	3V @ 15V，12A	160µJ（在）（90µJ）上，OFF）	25 NC	16ns/75ns
IXTM15N60	-	RFQ	5717	ixys	-	管子	过时的	-	-	-	ixtm15		-		-	-	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	20		-			-	-	-	-		-		-	-
IXTP220N04T2	4.0600	RFQ	3	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	ixtp220		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		40 V	220A（TC）	10V	3.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	112 NC @ 10 V	±20V	6820 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXFH102N15T	6.6500	RFQ	9975	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH102		MOSFET （金属 o化物）		TO-247AD（IXFH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		150 v	102A（TC）	10V	18mohm @ 500mA，10v	5V @ 1mA	87 NC @ 10 V	±20V	5220 PF @ 25 V	-	455W（TC）
IXFL44N60	-	RFQ	4361	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFL44		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS264™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		600 v	41A（TC）	10V	130mohm @ 22a，10v	4.5V @ 8mA	330 NC @ 10 V	±20V	8900 PF @ 25 V	-	500W（TC）
ixty1n100p-trl	1.2663	RFQ	6740	ixys	极性	胶带和卷轴（（tr）	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-252-3，DPAK （2 LEADS + TAB），SC-63	ixty1		MOSFET （金属 o化物）		TO-252AA	-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixty1n100p-trltr	Ear99	8541.29.0095	2,500		n通道		1000 v	1A（TC）	10V	15ohm @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	15.5 NC @ 10 V	±20V	331 PF @ 25 V	-	50W（TC）
ixtp06n120p	4.9700	RFQ	47	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXTP06		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtp06n120p	Ear99	8541.29.0095	50		n通道		1200 v	600mA（TC）	10V	32OHM @ 500mA，10v	4.5V @ 50µA	13.3 NC @ 10 V	±20V	270 pf @ 25 V	-	42W（TC）
IXFK15N100Q	-	RFQ	9302	ixys	Hiperfet™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK15		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载		（1 （无限）			Ear99	8541.29.0095	25		n通道		1000 v	15A（TC）	10V	700mohm @ 500mA，10v	5V @ 4mA	170 NC @ 10 V	±20V	4500 PF @ 25 V	-	360W（TC）
IXXH30N60B3	5.0815	RFQ	8055	ixys	GenX3™，XPT™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准		270 w	TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，24a，10ohm，15V												pt	600 v	60 a	115 a	1.85V @ 15V，24a	（550µJ）（在500µJ）上（500µJ）	39 NC	23ns/97ns
IXFA130N10T	4.2210	RFQ	3108	ixys	hiperfet™，战沟	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXFA130		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA（IXFA）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		100 v	130a（TC）	10V	9.1mohm @ 25a，10v	4.5V @ 1mA	104 NC @ 10 V	±20V	5080 pf @ 25 V	-	360W（TC）
IXTT88N30P	13.6900	RFQ	9986	ixys	极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	ixtt88		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响	-ixtt88n30p	Ear99	8541.29.0095	30		n通道		300 v	88A（TC）	10V	40mohm @ 44a，10v	5V @ 250µA	180 NC @ 10 V	±20V	6300 PF @ 25 V	-	600W（TC）
IXTN120P20T	54.3500	RFQ	10	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN120		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		200 v	106a（TC）	10V	30mohm @ 60a，10v	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	73000 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXYP30N120B4	14.5226	RFQ	5510	ixys	-	管子	积极的									-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-IXYP30N120B4	Ear99	8541.29.0095	50
IXFT70N65X3HV	10.6497	RFQ	8010	ixys	Hiperfet™，Ultra X3	管子	积极的				IXFT70					-	rohs3符合条件		到达不受影响	238-ixft70n65x3hv	Ear99	8541.29.0095	30
IXKC19N60C5	-	RFQ	9236	ixys	coolmos™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	ISOPLUS220™	IXKC19		MOSFET （金属 o化物）		ISOPLUS220™	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	19a（tc）	10V	125mohm @ 16a，10v	3.5V @ 1.1mA	70 NC @ 10 V	±20V	2500 PF @ 100 V	-	-
MKE38P600TLB-TRR	-	RFQ	8430	ixys	-	大部分	积极的	-	表面安装	9-SMD模块	MKE38		-	-	ISOPLUS-SMPD™.b	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	1	-			-	-		-	-	-		-	-
IXFT12N100	-	RFQ	9445	ixys	Hiperfet™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-268-3，D³pak（2 + tab），TO-268AA	IXFT12		MOSFET （金属 o化物）		TO-268AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		1000 v	12A（TC）	10V	1.05Ohm @ 6a，10v	4.5V @ 4mA	155 NC @ 10 V	±20V	4000 pf @ 25 V	-	300W（TC）
IXTH300N04T2	6.8267	RFQ	9117	ixys	TRENCHT2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	ixth300		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		40 V	300A（TC）	10V	2.5MOHM @ 50a，10v	4V @ 250µA	145 NC @ 10 V	±20V	10700 PF @ 25 V	-	480W（TC）
VMM45-02F	33.7817	RFQ	4322	ixys	Hiperfet™	盒子	积极的	-40°C〜150°C（TJ）	底盘安装	TO-240AA	VMM45		MOSFET （金属 o化物）	190W	TO-240AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	6	2 n 通道（双）			200V	45a		45mohm @ 22.5a，10v	4V @ 4mA	225nc @ 10V		7500pf @ 25V	-
IXGK120N60C2	-	RFQ	6713	ixys	HiperFast™，Lightspeed 2™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXGK120	标准		830 w	TO-264（ixgk）	下载		（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25			400V，80a，1ohm，15V												pt	600 v	75 a	500 a	2.5V @ 15V，100a	1.7mj（在）上，1MJ（1MJ）	370 NC	40NS/120NS
IXFX520N075T2	16.2400	RFQ	20	ixys	HiperFet™，Trencht2™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3变体	IXFX520		MOSFET （金属 o化物）		加上247™-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		75 v	520a（TC）	10V	2.2MOHM @ 100A，10V	5V @ 8mA	545 NC @ 10 V	±20V	41000 PF @ 25 V	-	1250W（TC）
IXTN210P10T	52.2500	RFQ	138	ixys	Trechp™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	底盘安装	SOT-227-4，迷你布洛克	IXTN210		MOSFET （金属 o化物）		SOT-227B	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	10		P通道		100 v	210a（TC）	10V	7.5MOHM @ 105A，10V	4.5V @ 250µA	740 NC @ 10 V	±15V	69500 PF @ 25 V	-	830W（TC）
IXGA48N60C3	-	RFQ	9687	ixys	Genx3™	管子	过时的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	IXGA48	标准		300 w	TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50			400V，30a，3ohm，15V												pt	600 v	75 a	250 a	2.5V @ 15V，30a	410µJ（在）上，230µJ（OFF）	77 NC	19NS/60NS
IXFK40N90P	29.8700	RFQ	240	ixys	Hiperfet™，极性	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-264-3，TO-264AA	IXFK40		MOSFET （金属 o化物）		TO-264AA（IXFK）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	25		n通道		900 v	40a（TC）	10V	230mohm @ 20a，10v	6.5V @ 1mA	230 NC @ 10 V	±30V	14000 PF @ 25 V	-	960W（TC）
IXFP22N60P3	5.6300	RFQ	1	ixys	Hiperfet™，Polar3™	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-220-3	IXFP22		MOSFET （金属 o化物）		TO-220-3	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		600 v	22a（TC）	10V	360mohm @ 11a，10v	5V @ 1.5mA	38 NC @ 10 V	±30V	2600 PF @ 25 V	-	500W（TC）
IXXH30N65C4D1	-	RFQ	8797	ixys	XPT™，Genx4™	管子	积极的	-55°C〜175°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXXH30	标准		230 w	TO-247AD（IXXH）	下载	rohs3符合条件		到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30			400V，30a，15ohm，15V											72 ns	-	650 v	62 a	136 a	2.5V @ 15V，30a	1.1mj（在）上，400µJ（400µJ）	47 NC	20N/140NS
IXFH20N85X	10.4400	RFQ	2110	ixys	Hiperfet™，Ultra X	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	通过洞	TO-247-3	IXFH20		MOSFET （金属 o化物）		TO-247（IXTH）	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	30		n通道		850 v	20A（TC）	10V	330mohm @ 500mA，10v	5.5V @ 2.5mA	63 NC @ 10 V	±30V	1660 pf @ 25 V	-	540W（TC）
IXTA08N50D2	2.7700	RFQ	7464	ixys	消耗	管子	积极的	-55°C 〜150°C（TJ）	表面安装	TO-263-3，D²Pak（2引线 + TAB），TO-263AB	ixta08		MOSFET （金属 o化物）		TO-263AA	下载	rohs3符合条件	（1 （无限）	到达不受影响		Ear99	8541.29.0095	50		n通道		500 v	800mA（TC）	-	4.6ohm @ 400mA，0v	-	12.7 NC @ 5 V	±20V	312 PF @ 25 V	耗尽模式	60W（TC）

2000+
每日平均RFQ量
30,000,000
标准产品单位
2800+
全球制造商
15,000 m²
智能仓库

晶体管（（3903）

2000+

30,000,000

2800+

15,000 m2

15,000 m²